深 圳 大 学 实 验 报 告
实验名称： 磁光克尔实验
学 院： 物理学院
指导教师：
报告人： 组号：
印花交联剂学号 实验地点
实验时间： 2015 风力发电汽车年 11 月 3 日
提交时间： 2015 年 11 月 10 日
一、实验目的
(1)了解表面磁光克尔效应的原理和实验方法；(2)掌握表面磁光克尔效应谱的测量和应用。 二、实验原理
磁光效应有两种：法拉第效应和克尔效应，1845 年，Michael Faraday 首先发现介质的磁化状态会影响透射光的偏振状态，这就是法拉第效应。1877 年，John Kerr 发现铁磁体对反射光的偏振状态也会产生影响，这就是克尔效应。克尔效应在表面磁学中的应用，即为表面磁光克尔效应（surface magneto-optic Kerr effect）。它是指铁磁性样品（如铁、钴、镍及其合金）的磁化状态对于从其表面反射的光的偏振状态的影响。当入射光为线偏振光时，样品的磁性会引起反射光偏振面的旋转和椭偏率的变化。表面磁光克尔效应作为一种探测薄膜磁性的技术始于1985 年。 图1 表面磁光克尔效应原理
如图1 所示，当一束线偏振光入射到样品表面上时，如果样品是各向异性的，那么反射光的偏振方向会发生偏转。如果此时样品还处于铁磁状态，那么由于铁磁性，还会导致反射光的偏振面相对于入射光的偏振面额外再转过了一个小的角度，这个小角度称为克尔旋转角θk。同时，一般而言，由于样品对p光和s 光的吸收率是不一样的， 即使样品处于非磁状态，反射光的椭偏率也发生变化，而铁磁性会导致椭偏率有一个附加的变化，这个变化称为克尔椭偏率εk由于克尔旋转角θk和克尔椭偏率εk都是磁化。
强度M的函数。通过探测θk或εk的变化可以推测出磁化强度M的变化。
按照磁场相对于入射面的配置状态不同，磁光克尔效应可以分为三种：极向克尔效应、纵向克尔效应和横向克尔效应。
图2 极向克尔效应
1．极向克尔效应：如图2 所示，磁化方向垂至于样品表面并且平行于入射面。通常情况下，极向克尔信号的强度随光的入射角的减小而增大，在入射角时（垂直入射）达到最大。
图3 纵向克尔效应
2．纵向克尔效应：如图3 所示，磁化方向在样品膜面内，并且平行于入射面。纵向克尔信号的强度一般随光的入射角的减小而减小，在入射角时为零。通常情况下， 纵向克尔信号中无论是克尔旋转角还是克尔椭偏率都要比极向克尔信号小一个数量级。正是这个原因纵向克尔效应的探测远比极向克尔效应来得困难。但对于很多薄膜样品来说，易磁轴往往平
行于样品表面，因而只有在纵向克尔效应配置下样品的磁化强度才容易达到饱和。因此，纵向克尔效应对于薄膜样品的磁性研究来说是十分重要的。
壁炉门图4 横向克尔效应
3．横向克尔效应：如图4 所示，磁化方向在样品膜面内，并且垂至于入射面。横向克尔效应中反射光的偏振状态没有变化。这是因为在这种配置下光电场与磁化强度矢积的方向永远没有与光传播方向相垂直的分量。横向克尔效应中，只有在p偏振光（偏振方向平行于入射面）入射条件下，才有一个很小的反射率的变化。
图5 常见SMOKE 系统的光路图
以下以极向克尔效应为例详细讨论SMOKE 系统，原则上完全适用于纵向克尔效应和横向克尔效应。图5 为常见的SMOKE 系统光路图，氦－氖激光器发射一激光束通过偏振棱镜1 后变成线偏振光，然后从样品表面反射，经过偏振棱镜2 进入探测器。偏振棱镜2 的偏振方向与偏振棱镜1 设置成偏离消光位置一个很小的角度δ，如图6 所示。样品放置在磁场中，当外加磁场改变样品磁化强度时，反射光的偏振状态发生改变。通过偏振棱镜2 的光强也发生变化。在一阶近似下光强的变化和磁化强度呈线性关系，探测器探测到这个光强的变化就可以推测出样品的磁化状态。
图6 偏振器件配置
两个偏振棱镜的设置状态主要是为了区分正负克尔旋转角。若两个偏振方向设置在消光位置，无论反射光偏振面是顺时针还是逆时针旋转，反映在光强的变化上都是强度增大。这样无法区分偏振面的正负旋转方向，也就无法判断样品的磁化方向。当两个偏振方向之间
有一个小角度δ时，通过偏振棱镜2 的光线有一个本底光强I0。反射光偏振面旋转方向和δ同向时光强增大，反向时光强减小， 这样样品的磁化方向可以通过光强的变化来区分。
超滤膜清洗在图2 的光路中，假设取入射光为p 偏振（电场矢量Ep平行于入射面），当光线从磁化了的样品表面反射时由于克尔效应，反射光中含有一个很小的垂直于Ep的电场分量Es，通常Es<<Ep。在一阶近似下有：
Es／Ep=θk+εk (1)
通过棱镜2 的光强为：
(2)
将（1）式代入（2）式得到：
(3)
因为δ 很小，所以可以取sinδ=δ，cosδ=1，得到：
(4)
整理得到：
(5)
无外加磁场下：
(6)
所以有：
(7)
于是在饱和状态下的克尔旋转角θk为：
Δθk=[δI(+Ms)-I(-Ms) ]／4I0=δΔI／4I0 (8)
I(+Ms)和I(-Ms)分别是正负饱和状态下的光强。从式（8）可以看出，光强的变化只与克尔旋转角θk有关，而与εk无关。说明在图5 这种光路中探测到的克尔信号只是克尔旋转角。
在超高真空原位测量中，激光在入射到样品之前，和经样品反射之后都需要经过一个视窗。
但是视窗的存在产生了双折射，这样就增加了测量系统的本底，降低了测量灵敏度。为了消除视窗的影响，降低本底和提高探测灵敏度，需要在检偏器之前加一个1/4 波片。仍然假设入射光为p 偏振，四分之一波片的主轴平行于入射面，如图7 所示：
此时在一阶近似下有：。通过棱镜2 的光强为：
因为δ 很小，所以可以取sinδ=δ， cosδ=1，得到：
因为角度δ 取值较小，并且，所以：
(9)
在饱和情况下Δεk为：
(10)
此时光强变化对克尔椭偏率敏感而对克尔旋转角不敏感。因此，如果要想在大气中探测磁性薄膜的克尔椭偏率，则也需要在图5 的光路中检偏棱镜前插入一个四分之一波片。如图7 所示。
图7 SMOKE 系统测量椭偏率的光路图
如图5 所示，整个系统由一台计算机实现自动控制。根据设置的参数，计算机经D/A 卡控制磁场电源和继电器进行磁场扫描。光强变化的数据由A/D 卡采集，经运算后作图显示，从屏幕上直接看到磁滞回线的扫描过程，如图7 所示。
表面磁光克尔效应具有极高的探测灵敏度。目前表面磁光克尔效应的探测灵敏度可以达到10－4度的量级。这是一般常规的磁光克尔效应的测量所不能达到的。因此表面磁光克尔
效应具有测量单原子层、甚至于亚原子层磁性薄膜的灵敏度，所以表面磁光克尔效应已经被广泛地应用在磁性薄膜的研究中。虽然表面磁光克尔效应的测量结果是克尔旋转角或者克尔椭偏率，并非直接测量磁性样品的磁化强度。但是在一阶近似的情况下，克尔旋转角或者克尔椭偏率均和磁性样品的磁化强度成正比。所以，只需要用振动样品磁强计（VSM）等直接测量磁性样品的磁化强度的仪器对样品进行一次定标，即能获得磁性样品的磁化强度。另外，表面磁光克尔效应实际上测量的是磁性样品的磁滞回线，因此可以获得矫顽力、磁各向异性等方面的信息。
图8 表面磁光克尔效应实验扫描图样
三、实验仪器：
（1）光学减震台；（2）光路系统,包括入射光路与接收光路；（3）励磁电源主机和可程控电磁铁；（4）前级放大器和直流电源组合器（a.为激光器提供精密稳压电源；b.将光电检测装置接收到的克尔信号作前级放大，并送入系统控制装置中的信号检测装置中；c.将霍尔传感器探测到的信号送入检测装置)；（5）信号检测主机；（6）控制系统和计算机。
测量装置
如图9 所示，表面磁光克尔效应实验系统主要由电磁铁系统、光路系统、主机控制系统、光学实验平台以及电脑组成。
1）电磁铁系统
电磁铁系统主要由CD 型电磁铁、转台、支架、样品固定座组成。其中CD 型电
紫砂饮水机
磁铁由支架支撑竖直放置在转台上，转台可以每隔90°转动定位，同时支架中间的样品固定座也可以90°定位转动，这样可以在极向克尔效应和纵向克尔效应之间转换测量。
2）光路系统
光路系统主要由半导体激光器、可调光阑（两个）、格兰－汤普逊棱镜（两个）、会聚透镜、光电接收器、四分之一波片组成，所有光学元件均有外壳固定，并由不锈钢立柱与磁性开关底座相连。
半导体激光器输出波长650nm，输出功率2 毫瓦左右，激光器头部装有调焦透镜， 实验时应该调节透镜，使激光光斑打在实验样品上的光点直径最小。
可调光阑采用转盘形式，上面有直径分别为1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm、5mm、6mm 共10 个孔。在光电接收器前同样装有可调光阑，这样可以减小杂散光对实验的影响。
格兰－汤普逊棱镜通光孔径8mm，转盘刻度分辨率1°，配螺旋测微头，测微头量程10mm，测微分辨率0.01mm，转盘将角位移转换为线位移，经过测量，外转盘转动10°，测微头直线移动3.00mm，所以测微移动0.01mm，转盘转动2′。实验中设置消光位置偏转2°左右，所以侧微移动约0.6mm。
会聚透镜为组合透镜，焦距为157mm。
光电接收器为硅光电池，前面装有可调光阑，后面通过三芯连接线与主机相连。
四分之一波片光轴方向在外壳上标注，外转盘可以360°转动，角度测量分辨率1°。
3）主机控制系统
表面磁光克尔效应实验系统控制主机主要由光功率计部分、克尔信号部分和扫描电源部分组成。
光功率计部分由光功率计、光信号和磁信号前置放大器、激光器电源组成。
仪器前面板如图9 所示：
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议