度，比较关键的是本振对中频的泄露，因为本振信号强度往往远大于中频信号，因此本振Ｅｌ和中频口之间的隔离度也是混频器的一个主要指标，现代的ＭＭＩＣ混频器设计可以达到３０—５０ｄＢ的隔离度。 混频器的种类很多，在ＭＭｌＣ设计中常用的有镜像抑制混频器（ＩＲＭ），次谐波电阻式（Ｓｕｂ—ＨａｒｍｏｎｉｃＲｅｓｉｓｔｉｖｅ），Ｇｉｌｂｅｒｔ式等。在ＭＭＩＣ设计中滤波网络设计也是在设计混频器时必须要考虑的，在混频器和滤波网络的不同组态会对射频，本振。中频三端口的隔离度指标有很重要的影响，在高度集成的ＭＭＩＣ芯片中比较典型的设计方案有单端／双端输入电阻式混频器，往往会在本振端加谐振网络减少射频和本振泄露；单平衡／双平衡电阻式混频器（ＢＲＭ），往往有良好的宽带隔离度，但是需要在端口处使用巴伦（Ｂａｌｕｎ）进行频率分量隔离；双正交混频器（ＤＱＭ）。利用正交的两路平衡得到极好的本振射频隔离度。电视机高频头
３．２本振
超声波萃取
在收发信机中本地振荡器（本振ＬＯ）也是十分重要的组成部件。对于通信系统，振荡器的频率稳定度已经相位噪声都是很关键的指标。在６０ＧＨｚ通信系统中，往往采用一个低频信号源加倍频器的设计结构，其原因是：将６０ＧＨｚ的频率源直接集成将耗费比较大的芯片面积，而且６０ＧＨｚ高频信号源的相位噪声往往没有低频信号源好，另外６０ＧＨｚ系统通常将其８ＧＨｚ左右的带宽分为 多个通道进行通信。因此将本振从芯片上移除，取而代之的是在片上集成倍频器，使得通信芯片只需要７ＧＨｚ左右的低频源输入，在片上进行倍频。因此可以得到更大的频带使用灵活性，和更低的相位噪声。基于这种设计结构，对于低相位噪声本振设计的需求转化为对于相位
前沿科学（季刊）２０１０・
噪声特性很好的倍频器的设计需求。通常利用倍频器之后信号源的相位噪声将以２０ｘｌｏｇ（Ｎ）（Ｎ为倍频倍数）的系数恶化。例如八倍频器将使得相噪恶化１８．０６ｄＢ但是相比Ｖ波段振荡器的相位噪声特性。经过倍频处理的信号源的相位噪声要小很多。
３．３降低功耗要求，基于ＭＭＩＣ的６０ＧＨｚ收发信机体积极小（１０—２０ｍｍ“２），对于移动平台的应用具有极大优势。木薯去皮机
奖章制作>efactor但目前制约其发展的主要原因就是功耗。利用不同的芯片工艺可以大幅降低功耗，２００７年旧ＭＲｅｓｅａｒｃｈ发布了６０ＧＨｚ利用锗硅（ＳｉＧｅ）ＢｉＣＭＯＳ技术制造的７ＧＨｚ带宽的全集成收发信机芯片，其接收机部分的功耗仅有Ｏ．５Ｗ，芯片尺寸３．３ｍｍ×１．７ｍｍ。标志着利用锗硅基底的ＭＭＩＣ技术可以进一步降低６０ＧＨｚ芯片的功耗，从而进一步促进市场化和产业化。图４是ＩＢＭＲｅｓｅａｒｃｈ２００８年展出的全集成６０ＧＨｚ锗硅模块，功耗仅仅为１４８ｍＷ。
图４ＩＢＭ６０ＧＨｚ无线射频系统
３．４调制解调器设计
发热手套
由于微波芯片具有极大的带宽（若干ＧＨｚ），现有的微波ＭＭＩＣ通信芯片通常采用ＢＰＳＫ等频谱利用率很低的调制方式，也可以轻松得到很高的数据传输速率。但是随着数字芯片，尤其是数模转换器ＡＤＣＤＡＣ的发展，将使得在高带宽上采用现代的高频谱利用率的调制方式成为可能。由此将进一步提高在６０ＧＨｚ频带上可以传输的
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