模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是      ]
      A.共射放大电路        B.共基放大电路 
    C.共集放大电路        D.不能确定       
在基本共射放大电路中,负载电阻RL减小时,输出电阻RO将    ]
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  A.增大        B.减少        C.不变        D.不能确定       
在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是          ]
      A.共射放大电路        B.共基放大电路 
      C.共集放大电路        D.不能确定       
在电路中我们可以利用   ] 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
  A  共射电路    B 共基电路    C 共集电路      D  共射-共基电路
在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是            ]
  A.共射放大电路        B.共基放大电路 
  C.共集放大电路        D.不能确定       
在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是    ]
A. 饱和失真    B.截止失真    C.交越失真    D.频率失真
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以下电路中,可用作电压跟随器的是                        ]
A.差分放大电路            B.共基电路
C.共射电路                D.共集电路
晶体三极管的关系式iE激光发射器=f(uEB)|uCB代表三极管的
  A.共射极输入特性              B.共射极输出特性
  C.共基极输入特性              D.共基极输出特性           
  对于图所示的复合管,穿透电流为 (设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)
A. ICEO= ICEO2                            ICEO 
B. ICEO=ICEO1+ICEO2                                                       
C. ICEO=(1+ 2)ICEO1+ICEO2
D. ICEO=ICEO1                                                      [    ] 
在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是    ]
B. 饱和失真    B.截止失真    C.交越失真    D.频率失真
对于基本共射放大电路, Rb减小时,输入电阻Ri将          [    ]
  A.增大      B.减少      C.不变      D.不能确定       
在基本共射放大电路中,信号源内阻RS减小时,输入电阻Ri将  [    ]
  A.增大        B.减少        C.不变        D.不能确定   
在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是        [    ]
      A.共射放大电路        B.共基放大电路 
      C.共集放大电路        D.不能确定                           
在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是        [    ]
      A.共射放大电路        B.共基放大电路 
      C.共集放大电路        D.不能确定       
某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K 的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为               
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结      、集电结     
  对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。
1、R三极管自锁电路b减小时,输入电阻Ri   
2、Rb增大时,输出电阻Ro   
3、信号源内阻Rs增大时,输入电阻Ri   
4、信号源内阻Rs减小时,电压放大倍数   
5、负载电阻RL增大时,电压放大倍数agagcl参比电极   
6、负载电阻RL减小时,输出电阻Ro   
  选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是    。(a.各晶体管额定功耗之和;b.前面管子的额定功耗;c.后面管子的额定功耗;d.各晶体管额定功耗的平均值)
2、复合管的反向击穿电压等于    。(a.各晶体管反向击穿电压之和;b.前面管子的反向击穿电压;c.后面管子的反向击穿电压;d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)
3、复合管的集电极最大允许电流等于    。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和;b.前面管子的集电极最大允许电流;c.后面管子的集电极最大允许电流;d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)
4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的   
a.输入电阻大    b.输入电阻小
c.输出电阻大    d.输出电阻小
  在实验桌上放有下列仪器:
A、WQ-2-A型直流稳压电源:输出电压在0~30V范围内可调;
B、FG-163型函数发生器:可产生正弦波、三角波、方波等信号,频率范围为~20MHz,输出电阻约为50Ω;
C、DA-16型晶体管毫伏表:频率范围为20Hz~1MHz,输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ,输入电容为50~70pF;
D、DT-830型数字万用表:交、直流挡的输入电阻均为10MΩ
,交流电压挡的频率范围45~500Hz,输入电容为100pF;
E、CS-1830型示波器:频率范围为0~30MHz,输入电阻为1MΩ
,输入电容为23pF。
问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备?(只需写出上述仪器设备的标号,如A、B等)
1、静态工作点:     
2、电压放大倍数:     
3、输入电阻:     
4、输出电阻:     
5、上限截止频率(预计约1MHz):     
  为了测量交流放大电路的电压放大倍数,需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确?为什么?
1、调整信号发生器的电压幅度,利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压,然后将它加到放大电路的输入端。
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2、调整信号发生器的电压幅度,利用晶体管毫伏表测量其输出端电压,从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。
3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端,然后由小到大地调节信号源的电压幅度,用晶体管毫伏表测量其大小,使之达到10mV。
  某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系,在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试出其中错误的一组。
=,Ui=10mV,Uo=
=,Ui=10mV,Uo=
=,Ui=10mV,Uo=
=2mA,Ui=10mV,Uo=
  判断下列说法是否正确,对的画√,错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。(    )
2、在基本共射放大电路中,若晶体管的β增大一倍,则电压放大倍数也相应地增大一倍。                                              (    )
3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1,故不能用来实现功率放大。(    )
4、只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。                                                      (    )

本文发布于:2024-09-23 06:30:10,感谢您对本站的认可!

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