蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法。

背景技术：

2.高世代线的薄膜晶体管液晶显示器是显示面板技术的重要发展趋势，在该种面板的工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜布线。但是铜与玻璃膜及硅的粘合力不好，且为了预防与硅层的cu扩散，通常使用钼或其合金作为屏障金属。
3.而蚀刻这种多层结构的金属膜，通常使用双氧水系蚀刻液，而使用双氧水系蚀刻液时，由于铜、钼或其合金蚀刻效果对ph的高低要求不同，且ph较高时也会影响过氧化氢的稳定性，而双氧水系蚀刻液的ph会在1至3之间，但在这个ph区域中含氟化合物的蚀刻液会对玻璃基板及金属氧化物膜层造成损伤，若不使用氟化合物，则会产生钼或其合金的尾缘及其尖端存在残渣，导致面板制造工艺不良。

技术实现要素：

4.本技术提供一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，以解决当前蚀刻氧化物半导体器件中钼系金属的尾缘及其尖端存在残渣技术问题。
5.为解决上述方案，本技术提供的技术方案如下：
6.本技术提出了一种用于蚀刻氧化物半导体器件的蚀刻液，其包括：
7.氧化剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为12％至25％；
8.螯合剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％；
9.蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％；
10.腐蚀抑制剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％；
11.辅助蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％；以及
12.余量的水性介质；
13.其中，所述蚀刻液中氟元素的含量为0。
14.在本技术的蚀刻液中，所述氧化剂包括过氧化氢，所述过氧化氢在所述蚀刻液中的质量百分比为20％至25％。
15.在本技术的蚀刻液中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚、羟基乙烷-1,1-二烯化合物、乙基二胺四甲基磷酸、二亚乙基三胺五甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸中的至少一种；
16.其中，所述螯合剂在所述蚀刻液中的质量百分比为1.5％至2.5％。
17.在本技术的蚀刻液中，所述蚀刻剂包括甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸或丁二酸中的至少一种；
18.其中，所述蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至1.5％。
19.在本技术的蚀刻液中，所述腐蚀抑制剂包括唑类化合物，所述唑类化合物包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基
四唑、5-氨基四唑、咪唑及吡唑组成的化合物中的至少一者；
20.其中，所述腐蚀抑制剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.3％至8％。
21.在本技术的蚀刻液中，所述辅助蚀刻剂包括醋酸钾、醋酸钠、醋酸铵、醋酸钙、醋酸镁、硝酸钾、硝酸钠、硝酸铵中的至少一者；
22.其中，所述辅助蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.1％至0.8％。
23.在本技术的蚀刻液中，所述水性介质为去离子水。
24.在本技术的蚀刻液中，所述蚀刻液的ph值为4至7。
25.本技术还提出了一种氧化物半导体器件的蚀刻方法，其包括：
26.提供待蚀刻的氧化物半导体器件，所述氧化物半导体器件包含铜系和钼系金属膜的金属膜层结构；
27.使用上述蚀刻液对所述氧化物半导体器件蚀刻。
28.本技术还提出了一种氧化物半导体器件，其包括铜系和钼系金属膜的金属膜层结构，所述氧化物半导体器件使用上述蚀刻方法蚀刻得到；
29.其中，所述钼系金属膜的边界和所述铜系金属膜的边界间距小于或等于0.05微米。
30.有益效果：本技术公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本技术的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。
附图说明
31.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
32.图1为本技术的氧化物半导体器件的蚀刻方法流程图；
33.图2为本技术提供的氧化物半导体器件中金属走线的膜层示意图；
34.图3为本技术示例1的提供的氧化物半导体器件中金属走线的钼系金属层的边缘线宽电镜示意图；
35.图4为本技术对比例3的提供的氧化物半导体器件中金属走线的钼系金属层的边缘线宽电镜示意图。
具体实施方式
36.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
37.本技术提出了一种用于蚀刻氧化物半导体器件的蚀刻液，其可以包括氧化剂、螯
合剂、蚀刻剂、腐蚀抑制剂、辅助蚀刻剂以及余量的水性介质。
38.在本实施例中，所述氧化剂在所述蚀刻液中的质量百分比为12％至25％，所述螯合剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％，所述蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％，所述腐蚀抑制剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％，所述辅助蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％。
39.在本实施例中，所述蚀刻液中氟元素的含量为0，氟元素的去除可以避免蚀刻液在对氧化物半导体器件的衬底和氧化物半导体层腐蚀，保证器件的稳定性。
40.本技术的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。
41.需要说明的是，本技术中蚀刻液可以用于蚀刻包含铜系金属膜和钼系金属膜的多层结构金属层膜。例如，氧化物半导体器件中的多层金属膜，即以铜系金属为下层膜以及钼系金属为上层膜的铜钼系金属膜，或者以钼系金属为下层膜以及铜系金属为上层膜的钼铜系金属膜，或者以钼系金属为下层膜、铜系金属为中层膜、以及钼系金属为上层膜的钼铜钼三层结构的金属膜层，该三层夹层结构的金属膜层，钼系金属层作为屏障金属层阻挡了铜系金属层中铜离子向下层结构扩散，保障了铜层金属的性能。
42.需要说明的是，本技术氧化物半导体器件中的氧化物半导体层可以包括由金属铟、镓以及锌组成的金属氧化物。
43.需要说明的是，所述水性介质为去离子水，例如水性介质可以为电阻率大于或等18mω*cm的去离子水。
44.需要说明的是，所述蚀刻液的ph值可以为4至7。
45.在本技术的蚀刻液中，所述氧化剂包括过氧化氢，过氧化氢可以作为多层金属膜层的主要氧化剂使用；以总组成物含量100％为标准，过氧化氢在所述蚀刻液中的质量百分比可以为15％至25％，在上述范围内，过氧化氢可以对多层金属膜具有良好的氧化能力和蚀刻效率。
46.在本实施例中，过氧化氢在所述蚀刻液中的质量百分比可以为20％至25％。
47.在本实施例中，所述螯合剂主要在蚀刻制程中将氧化的金属离子进行非活性化处理，以抑制过氧化氢的分解，确保蚀刻液组成物的稳定性。
48.在本技术的蚀刻液中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚、羟基乙烷-1,1-二烯化合物、乙基二胺四甲基磷酸、二亚乙基三胺五甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸中的至少一种。
49.在本实施例中，所述螯合剂在所述蚀刻液中的质量百分比为1.5％至2.5％。在上述范围内，蚀刻液可以维持较高的蚀刻效率，确保组成物的稳定性。
50.在本技术的蚀刻液中，所述蚀刻剂包括甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸或丁二酸中的至少一种；
51.在本实施例中，所述蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至1.5％；或者，所述蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.1％到1.0％。
52.在本实施例中，所述腐蚀抑制剂与金属走线表面金属离子相结合，防止蚀刻剂组成物导致的过度腐蚀，可以减少金属走线的临界偏差值，提高金属走线的腐蚀精度。
53.在本技术的蚀刻液中，所述腐蚀抑制剂可以包括唑类化合物，例如所述唑类化合物可以包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑及吡唑组成的化合物中的至少一者。
54.在本实施例中，以总含量100％为标准，所述腐蚀抑制剂在所述蚀刻液中的质量百分比可以为0.1％到1.5％；或者，所述腐蚀抑制剂在所述蚀刻液中的质量百分比可以为0.3％至8％。
55.由于氧化物半导体器件中金属走线将钼系金属作为中间铜层金属的屏蔽金属，并且在蚀刻过程中，位于光刻胶下面的上层钼系金属膜与光刻胶的粘合力大，且蚀刻液中不包含氟元素，因此在对钼系金属膜进行蚀刻时，钼系金属的蚀刻速度受到影响，以及蚀刻后的上层钼系金属末端存在一定长度的尾缘及其尖端的残渣。
56.在本技术的蚀刻液中，所述辅助蚀刻剂可以包括醋酸钾、醋酸钠、醋酸铵、醋酸钙、醋酸镁、硝酸钾、硝酸钠、硝酸铵中的至少一者。
57.在本实施例中，所述辅助蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比可以为0.1％至0.8％。
58.在本实施例中，本技术通过在蚀刻液中增加辅助蚀刻剂，以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留，改善后续膜层在钼系金属层上覆盖不佳的技术问题。
59.请参阅图1，本技术还提出了一种氧化物半导体器件的蚀刻方法，其包括：
60.s10、提供待蚀刻的氧化物半导体器件，所述氧化物半导体器件包含铜系和钼系金属膜的金属膜层结构；
61.s20、使用上述蚀刻液对所述氧化物半导体器件蚀刻。
62.在本实施例中，所述氧化物半导体器件包括金属氧化物层和设置于所述金属氧化物层上的金属走线，所述金属走线可以包括铜系和钼系金属膜的金属膜层结构，例如，请参阅图2，所述金属走线包括以钼系金属为下层膜101、铜系金属为中层膜102、以及钼系金属为上层膜103的钼铜钼三层结构的金属膜层。
63.在本实施例中，所述蚀刻液主要通过对所述金属走线进行蚀刻。
64.下面以总含量100％为标准，三组不同蚀刻液的组分对本技术的氧化物半导体器件中的金属线进行蚀刻，所述蚀刻液中的氧化剂为过氧化氢，所述蚀刻液中的螯合剂为二亚乙基三胺五甲基磷酸，所述蚀刻液中的蚀刻剂为柠檬酸，所述蚀刻液中的腐蚀抑制剂为5-甲基四唑，所述蚀刻液中的辅助蚀刻剂为醋酸钾，并且蚀刻液中还包括质量分数占比为1％的二甘醇为稳定剂。
65.示例1中各组分为：23％的双氧水、1.2％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.3％的5-甲基四唑、0.5％的柠檬酸、0.5％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移至为0.71微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.06微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.03微米，具体请参阅图3。
66.示例2中各组分为：23％的双氧水、1.5％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.2％的5-甲基四唑、0.5％的柠檬酸、0.5％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移值为0.68微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.07微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.03微米。
67.示例3中各组分为：23％的双氧水、1.2％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.5％的5-甲基四唑、0.4％的柠檬酸、0.7％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移值为0.65微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.07微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.03微米。
68.因此，本技术的三组不同蚀刻液对金属走线为钼铜钼三层结构的金属膜层进行蚀刻时，上层钼系金属层的尾缘长度均小于0.1微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l均小于0.05微米，金属走线整体宽度的偏移值均小于0.75微米。
69.下面以总含量100％为标准，设定三组不同组分的蚀刻液的对比例对本技术的氧化物半导体器件中的金属线进行蚀刻，所述蚀刻液中的氧化剂为过氧化氢，所述蚀刻液中的螯合剂为二亚乙基三胺五甲基磷酸，所述蚀刻液中的蚀刻剂为柠檬酸，所述蚀刻液中的腐蚀抑制剂为5-甲基四唑，所述蚀刻液中的辅助蚀刻剂为醋酸钾，并且蚀刻液中还包括质量分数占比为1％的二甘醇为稳定剂。
70.对比例1中各组分为：23％的双氧水、1.2％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.3％的5-甲基四唑、0.5％的柠檬酸、0％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移至为0.72微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.12微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.10微米。
71.对比例2中各组分为：23％的双氧水、1.2％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.3％的5-甲基四唑、0.5％的柠檬酸、0.1％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移至为0.69微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.11微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.08微米。
72.对比例3中各组分为：23％的双氧水、4.0％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.3％的5-甲基四唑、0.5％的柠檬酸、0.5％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移至为0.70微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.11微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.07微米，具体请参阅图4。
73.对比例4中各组分为：23％的双氧水、1.2％的二亚乙基三胺五甲基磷酸、0.3％的5-甲基四唑、0％的柠檬酸、0.5％的醋酸钾；本实施例中，金属走线整体宽度的偏移至为0.71微米，上层钼系金属层的尾缘长度为0.10微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l为0.07微米。
74.在对比例1和示例1至示例3中，对比例1中去除了醋酸钾，使得上层钼系金属层的尾缘长度从0.06微米增加至0.12微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l从0.03微米增加至0.10微米；
75.在对比例1和对比例2中，对比例2中醋酸钾的占比增加至0.1％，使得上层钼系金属层的尾缘长度从0.12微米减少至0.11微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l从0.10微米减少至0.08微米，因此醋酸钾对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的去除具有较大的影响。
76.在对比例3中，对比例3中的螯合剂的质量占比从1.2％增加至4.0％，使得上层钼系金属层的尾缘长度从0.06微米增加至0.11微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l从0.03微米增加至0.07微米；螯合剂主要用于在蚀刻制程中将氧化的金属离子进行非活性化处理，以抑制过氧化氢的分解，确保蚀刻液组成物的稳定性，螯合剂的质量占比过大，导致
氧化剂的稳定性下降，因此钼系金属的尾缘及其尖端的长度均有一定的增加。
77.在对比例4中，对比例4中的蚀刻剂的质量占比从0.5％减少至0％，使得上层钼系金属层的尾缘长度从0.06微米增加至0.10微米，上层钼系金属层的尾缘的尖端长度l从0.03微米增加至0.07微米，蚀刻剂在蚀刻液中起到一定的辅助作用，蚀刻剂的减少，钼系金属的尾缘及其尖端的长度均有一定的增加。
78.本技术公开了一种蚀刻液，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本技术的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。
79.本技术还提出了一种氧化物半导体器件，其包括铜系和钼系金属膜的金属膜层结构，所述氧化物半导体器件使用上述蚀刻方法蚀刻得到。
80.在本实施例中，所述钼系金属膜的边界和所述铜系金属膜的边界间距可以小于或等于0.05微米。
81.本技术公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本技术的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。
82.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
83.以上对本技术实施例所提供的一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。

技术特征：

1.一种用于蚀刻氧化物半导体器件的蚀刻液，其特征在于，包括：氧化剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为12％至25％；螯合剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％；蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％；腐蚀抑制剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％；辅助蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％；以及余量的水性介质；其中，所述蚀刻液中氟元素的含量为0。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂包括过氧化氢，所述过氧化氢在所述蚀刻液中的质量百分比为20％至25％。3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚、羟基乙烷-1,1-二烯化合物、乙基二胺四甲基磷酸、二亚乙基三胺五甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸中的至少一种；其中，所述螯合剂在所述蚀刻液中的质量百分比为1.5％至2.5％。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻剂包括甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸或丁二酸中的至少一种；其中，所述蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至1.5％。5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂包括唑类化合物，所述唑类化合物包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑及吡唑组成的化合物中的至少一者；其中，所述腐蚀抑制剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.3％至8％。6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述辅助蚀刻剂包括醋酸钾、醋酸钠、醋酸铵、醋酸钙、醋酸镁、硝酸钾、硝酸钠、硝酸铵中的至少一者；其中，所述辅助蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.1％至0.8％。7.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述水性介质为去离子水。8.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液的ph值为4至7。9.一种氧化物半导体器件的蚀刻方法，其特征在于，包括：提供待蚀刻的氧化物半导体器件，所述氧化物半导体器件包含铜系和钼系金属膜的金属膜层结构；使用如权利要求1至8任一项所述的蚀刻液对所述氧化物半导体器件蚀刻。10.一种氧化物半导体器件，其特征在于，包括铜系和钼系金属膜的金属膜层结构，所述氧化物半导体器件使用如权利要求9所述的蚀刻方法蚀刻得到；其中，所述钼系金属膜的边界和所述铜系金属膜的边界间距小于或等于0.05微米。

技术总结

本申请公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本申请的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。