总第188期2020年第4期
山西化工
SHANXI CHEMICAL INDUSTRY
Total188
No.4,2020
叫科研有羿发/DOI：10.16525/jkil4-1109/tq.2020.04.02
alysa_queen李雪方，元江博
(山西潞安太阳能科技有限责任公司，山西长治046000)
摘要：单晶硅金字塔绒面结构的形成受制绒碱液浓度、添加剂、制绒温度、制绒时间等因素的影响。本实验在不影响车间生产工艺的前提下，从单晶制绒工艺的粗抛时间和碱制绒时间上进行调整，以此获得不同的减薄量，并获得最终的电学性能。通过实验，单晶硅粗抛时间在达到去除损伤层的基础上要尽量 缩短，碱制绒时间的选择要兼顾单晶硅电池的制绒反射率、最终电学性能和转换效率等因素的影响。
关键词：单晶硅；粗抛；损伤层；制绒；金字塔
中图分类号.TM914.4文献标识码:A文章编号:1004-7050(2020)04-0003-02
ntest>堆栈式引言
自法国科学家贝克勒尔于1839年用光照射电解液中的银电极产生电流开始m，太阳能便作为一种清洁的可再生能源，开始受到人们的关注和研究。随着全球能源短缺和环境污染等问题日益严重，太阳能光伏发电因其清洁、高效、安全、便利等特点，成为各国重点发展的行业。近年来，随着光伏行业的发展和竞争，单晶硅因转换效率高、技术成熟、可靠性高等优点脱颖而出，且实现规模化多样化生产。据ITRPV2019预测，光伏电池以背面钝化PERX (PERC.PERT)技术为主，市场份额逐年增加，效率逐年提升。本文主要介绍已实现规模化生产的PERC电池的制绒工艺，单晶硅金字塔绒面制备是利用硅的各向异性腐蚀特性在热碱腐蚀液中实现。在车间量化生产时，单晶硅制绒主要监控硅片的减薄量和制绒后外观，主要讨论研究单晶硅制绒工艺通过改变制绒槽体时间来获得不同减薄量以及对电学性能的影响。
1实验辅材及设备
实验硅片为晶科方单晶，电阻率在0.5Q・ni〜1.5Q・m，使用捷佳伟创槽式制绒设备进行金字塔绒面制备。槽体设置流程为：粗抛槽f前清洗槽f 碱制绒槽f水洗槽f后清洗槽f水洗槽f酸洗槽f
液化气燃烧器收稿日期：2020-03-12
基金项目：2018年山西省重点研发计划项目基金(201803D421097)；2019年山西省重点研发计划项目基金(201903D121019)
作者简介：李雪方，女，1985年出生，毕业于太原理工大学，硕士学位，工程师，主要从事光伏晶体硅电池工艺研究工作。水洗槽f慢提拉槽f烘干槽。其他工艺同产线相同。粗抛液为KOH(体积分数5%)和热水(75°C)的混合液，制绒碱液为KOH(体积分数为3%)、添加剂和热水(80°C)的混合液。
2结果分析及讨论
实验分别在3台同厂家制绒设备上进行，在每个机台制定方案获得不同减薄量，因机台差异，每台初始配液相同，自动补液略有差异，槽体温度设备相同。
速闭阀
在1号机改变粗抛时间、固定制绒时间来获得不同的减薄量。A组粗抛时间为100s，制绒时间420s；B组粗抛时间为110s，制绒时间为420s；C组粗抛时间为130s，制绒时间为420s。表1为1号机台各数据汇总。
表11号机电性能参数
减薄
量/g
制绒反“+/o/
射率/%时FF/%he/m A Rs/Q Rsh/Q Uoc/V A0.559.0521.9681.39959.71020.00181029.890.6787 B0.608.9221.9681.38959.70950.0018974.980.6791 C0.689.0221.9681.39659.71190.00181005.660.6788在2号机台改变粗抛时间和制绒时间获得不同刻蚀减薄量,A组粗抛时间110s，制绒时间420s；B组粗抛时间130s，制绒时间400s；C组粗抛时间130s，制绒时间420s。表2为2号机台各数据汇总。
表22号机电性能参数
减薄制绒反
量/g射率/%
Eta/%FF/%Ise/m A Rs/Q Rsh/Q Uoc/V A0.459.1222.1381.639.69640.001741027.670.6830 B0.459.1222.1481.639.69920.00177900.13010.6832 C0.508.9022.1981.579.71330.0017986&07030.6842
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