电子元器件来料检验规程一
1内容
本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管
IGBT来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求; 2范围
本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管
IGBT来料检验和验收;
3引用标准
计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限AQL检索的逐批检验抽样计划
GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 总则
电工电子产品基本环境试验规程 试验Cb：恒定湿热试验方法
GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 试验N：温度变化试验方法
电工电子产品应用环境条件 贮存
4检验测试设备和测试方法
缠绕膜复卷机
测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪或QT2型晶体管特性图示仪等 测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置
数字万用表、不锈钢镊子等应手工具
网络取书
晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内;
人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试,工作态度严谨、细心,持有检验测试操作合格证或许可证;
测试准备：
晶体管特性图示仪每次开启,必须预热五分钟;检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试;
每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮,管身标志清晰、无划痕,封装尺寸应符合订货要求;
绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT
主要测试参数：
IGBT的饱和压降VCES
IGBT的栅极阈值电压VGEth
IGBT的击穿电压VCER
测试方法：
现将上述特性参数的测试方法分述如下;
测IGBT的输出特性曲线
按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求,调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位;正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置,检查连接无误后,接入待测的IGBT,图示仪即显示一簇该IGBT的输出特性曲线;
该线簇应均匀、平滑、无畸变,为合格如图1a所示;否则为不合格如图1b所示;
图 1
测IGBT的饱和压降VCES
在特性曲线中选择VGE=的一条曲线,它与IC=直线的交点所对应的VC电压值就是所测试的IGBT在VGE雨水弃流井=、IC=时的饱和压降VCES;
VCES＜为合格;否则为不合格;
测IGBT的转移特性曲线
按附表1“常规测试/转移特性曲线”栏、测IGBT的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位;正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置,检查连接无误后,接入待测的IGBT,图示仪即显示一簇该IGBT的转移特性曲线;
该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段;这些线段的一端在X轴上,另一端连接起来应当是一条平滑的曲线;
测IGBT的栅极阈值电压VGEth
观测特性曲线与IC=1mA直线的交点所对应的VBE电压值,就是该IGBT在该测试温度下的栅极阈值电压VGEth;此时VBE=VGEth;
所测得的VGEth在该IGBT的标称栅极阈值电压范围内为合格;否则为不合格;
测IGBT的击穿电压VCER
按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT的要求,调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位;接入待测的IGBT并使栅极悬空,使峰值电压由0V缓慢增加,观测特性曲线的形状及击穿点电压,此电压在该IGBT的标称击穿电压范围内为合格;否则为不合格;
注意：操作人员应避免直接接触高压电极,并且每测试完一只IGBT的击穿电压,都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0,以保障人员和设备安全;
达林顿大功率NPN晶体管
主要测试参数：
达林顿晶体管的共射输出特性曲线
达林顿晶体管的饱和压降BVCES
达林顿晶体管的共射极电流放大系数β
达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0
驱动链轮测试方法：
现将上述特性参数的测试方法分述如下;
测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线
按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求,调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位;正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、插座或装置,检查连接无误后,接入待测的IGBT,图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线;
该线簇应均匀、平滑、无畸变,为合格如图2a所示;否则为不合格如图2b所示;
图 2
测达林顿晶体管的饱和压降BVCES
观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线IC=6A的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的VCE值,就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流IC=6A时的饱和压降VCES;
观测到的VCES值在该达林顿晶体管的标称饱和压降范围内为合格,否则为不合格;
测达林顿晶体管的共射极电流放大系数β
观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线IC=6A的直线与放大区某一特性曲线的交点所
对应的IB值,即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数β
β=～IC/IB
β值在该达林顿晶体管的标称电流放大系数范围内为合格,否则为不合格;
测达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0
按附表1“击穿电压测试”栏、测达林顿晶体管的要求,调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位;接入待测的达林顿晶体管并使基极悬空,使峰值电压由0V缓慢增加,观测特性曲线的形状及击穿点电压VCE,此电压即为达林顿晶体管基极开路时的击穿电压BVCE0,BVCE0在该达林顿晶体管的标称击穿电压范围内为合格;否则为不合格;
注意：操作人员应避免直接接触高压电极,并且每测试完一只达林顿晶体管的反向击穿电压,都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0,以保障人员和设备安全;
小功率晶体管
主要测试参数：
小功率晶体管的共发射极输出特性曲线
小功率晶体管的饱和压降VCES
小功率晶体管的共射极电流放大系数β
小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BVCE0
小功率晶体管基极开路时的穿透电流ICE0
测试方法：
化学泥浆现将上述特性参数的测试方法分述如下;
远程压力表
测小功率晶体管的共发射极输出特性曲线
按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测NPN晶体管的要求,调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位;正确连接相应的NPN晶体管测试夹具、插座或装置,检查连接无误后,接入待测的小功率NPN晶体管,图示仪即显示一簇该小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线;
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