集成电路测试在芯⽚设计产业发达的国家，特别是北美和西欧，逆向芯⽚解密⼯程并⾮作为⼀种完整的设计⽅法⽽存在，⽽是⼀种竞争⼿段和保护知识产权的⼿段。这⾜以说明芯⽚逆向分析在半导体器件⾏业是不可或缺的技术。 完整的逆向分析过程繁复，需要诸多设备和技术来完成芯⽚整体结构的形貌和数据提取。
如今芯⽚越来越精细化，解密芯⽚的难度越来越⾼，芯⽚的逆向分析，可以简单理解成⼀种芯⽚解密的过程。
通过逆向分析，我们可以分析市场中先进的芯⽚，对其整体形貌、内部结构进⾏研究，在深⼊解析中学习其基本技巧或新型原理，并融汇⾃⼰的知识和制造技术，进⾏再创新的设计和制造，最终研究出更好的产品。
透射电⼦显微镜（TEM）可⽤于观察样品的微观形貌、可进⾏样品的晶体结构分析、可进⾏纳⽶尺度的微区或晶粒的成分分析，其⼴泛应⽤于材料、物理、化学、⽣物、电⼦等领域。公司专注于芯⽚、激光器件等半导体材料的检测与服务，其具体功能如下： 透射电镜样品制备是TEM分析技术的关键⼀环，特别是制备半导体芯⽚样品，由于电⼦束的穿透⼒很弱，
因此⽤于TEM的样品必须制备成厚度⼩于100nm的薄⽚。通常会⽤到聚焦离⼦束 FIB制样，我司⽬前拥有三台聚焦离⼦束FIB可⽤于芯⽚TEM样品制备。
电子管功放制作FIB制备芯⽚透射样品过程
LED芯⽚膜层成分分析
TEM能谱⾯扫分析（EDS Mapping）
芯⽚膜层成分分析 TEM能谱线扫分析（EDS Line scan）
透射电镜 EDS Line scan ⽤于分析芯⽚外延结构的成分，可得到每层外延材料的元素类型、含量及分布信息，指导后续芯⽚的材料选择及设计。
芯⽚量⼦阱膜层尺⼨测量（厚度⼩于10nm）
电子政务信息平台客户送样委托芯⽚竞品分析，测量半导体芯⽚膜层尺⼨，可得到量⼦阱区域膜层结构的纳⽶级厚度，进⽽分析相关产品的性能，可指导后续产品的⼯艺优化。
离子风机aryang位错是半导体单晶材料在⽣长过程中不可避免的缺陷之⼀，TEM可⽤来观察半导体单晶材料的位错缺陷，对于优化其⽣长过程中的⼯艺参数具有重要意义。民宿管理系统
g = 0002 刃位错观察 g = 11-20 螺旋位错及混合位错观察
单晶、多晶材料的电⼦衍射
电⼦衍射主要⽤于晶体材料的晶型确定及晶体材料⽣长⽅向分析。
氮化镓电⼦衍射花样标定
电⼦衍射花样标定主要⽤于晶体材料的晶型确定。
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