存储器件刷新方法及系统与流程

1.本技术涉及存储技术领域，特别是涉及一种存储器件刷新方法及系统。

背景技术：

2.为了保持易失性存储器中存储的数据，通常要每隔一段时间就对其字线进行刷新。刷新操作首要任务是要保证数据不被破坏，因此刷新操作的可靠性是一个首要的问题。
3.但是在实际刷新过程中，时常会出现数据被破坏的现象。

技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够防止刷新过程中出现数据被破坏现象的存储器件刷新方法及系统。
5.一种存储器件刷新方法，包括：
6.获取目标刷新行地址；
7.判断所述目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，所述被替换行地址对应已损坏的字线；
8.如果所述目标刷新行地址存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中，则跳过对所述目标刷新行地址指向的字线的刷新。
9.在其中一个实施例中，还包括：
10.如果所述目标刷新行地址未存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中，则对所述目标刷新行地址指向的字线进行刷新。
11.在其中一个实施例中，所述参考模块包括k个熔丝单元，每个所述熔丝单元存储一个被替换行地址，k为大于0的整数。
12.在其中一个实施例中，
13.所述获取目标刷新行地址，包括：
14.获取属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址，n为大于0的整数，所述目标刷新行地址以及所述熔丝单元存储的被替换行地址均包括a个扇区地址位以及b个编码地址位，所述扇区地址位用于存储扇区地址信息，所述编码地址位用于存储每个扇区中的行地址信息，所述n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相同，且所述目标刷新行地址的b个编码地址作为目标编码地址位，a、b均为大于0的整数；
15.所述判断所述目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，包括：
16.对于每个所述熔丝单元，根据其中的各所述扇区地址位中存储的信息，译码获取所述熔丝单元的n个扇区地址信息信号；
17.对于每个所述熔丝单元，比较其中的各所述编码地址位中存储的信息与各所述目标编码地址位中存储的信息，获取各个所述编码地址位的匹配信息信号；
18.对于每个所述熔丝单元，根据其中的各个所述编码地址位的所述匹配信息信号，获取所述熔丝单元的全匹配信息信号；
19.对于每个所述熔丝单元，根据其对应的所述全匹配信息信号以及所述n个扇区地址信息信号，获取每个所述熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号；
20.将k个所述熔丝单元的属于相同扇区的扇区熔丝信息信号作为一组扇区熔丝信息信号，形成n组扇区熔丝信息信号，每组扇区熔丝信息信号包括属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号；
21.根据所述n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号，获取n个扇区存在信息信号；
22.根据所述n个扇区存在信息信号，判断各所述目标刷新行地址是否存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中。
23.在其中一个实施例中，对于每个所述熔丝单元，根据其中的各个所述编码地址位的所述匹配信息信号，获取所述熔丝单元的全匹配信息信号，包括：
24.对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号做与逻辑运算，获取每个所述熔丝单元的全匹配信息信号。
25.在其中一个实施例中，所述对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号做与逻辑运算，获取每个所述熔丝单元的全匹配信息信号，包括：
26.对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号分组做与非逻辑运算，获取组匹配信息信号；
27.将各组匹配信息信号做或非逻辑运算，获取每个所述熔丝单元的全匹配信息信号。
28.在其中一个实施例中，所述对于每个所述熔丝单元，根据其对应的所述全匹配信息信号以及所述n个扇区地址信息信号，获取每个所述熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号，包括：
29.对于每个所述熔丝单元，将其对应的所述全匹配信息信号与n个所述扇区地址信息信号做与逻辑运算，获取所述熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号。
30.在其中一个实施例中，所述根据所述n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号，获取n个扇区存在信息信号，包括：
31.将n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号做或逻辑运算，获取n个扇区存在信息信号。
32.一种存储器件刷新系统，包括：
33.获取模块，用于获取目标刷新行地址；
34.参考模块，用于存储被替换行地址，所述被替换行地址对应已损坏的字线；
35.判断模块，连接所述获取模块与所述参考模块，用于判断所述目标刷新行地址是否存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中；
36.控制模块，连接所述判断模块，用于当所述目标刷新行地址存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中时，控制跳过对所述目标刷新行地址指向的字线的刷新。
37.在其中一个实施例中，所述参考模块包括k个熔丝单元，每个熔丝单元存储一个被替换行地址，k为大于0的整数。
38.在其中一个实施例中，
39.所述目标刷新行地址包括属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址，所述目标刷新
行地址以及所述熔丝单元存储的被替换行地址均包括a个扇区地址位以及b个编码地址位，所述扇区地址位用于存储扇区地址信息，所述编码地址位用于存储每个扇区中的行地址信息，所述n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相同，且所述目标刷新行地址的b个编码地址作为目标编码地址位，a、b均为大于0的整数；
40.所述判断模块包括判定单元以及k个判断单元；
41.所述判断单元与所述熔丝单元一一对应连接，且每个所述判断单元均包括：
42.译码电路，对应连接一个所述熔丝单元，接收所述熔丝单元的各所述扇区地址位中存储的信息，并根据各所述扇区地址位中存储的信息，译码输出所述熔丝单元的n个扇区地址信息信号；
43.比较电路，对应连接一个所述熔丝单元，包括b个比较子电路，每个所述比较子电路同时接收一对对应的所述目标编码地址位中存储的信息与所述熔丝单元的所述编码地址位中存储的信息，并根据一对对应的所述目标编码地址位中存储的信息与所述熔丝单元的所述编码地址位中存储的信息的比较，而输出对应的所述编码地址位的匹配信息信号；
44.匹配电路，连接所述比较电路的各个比较子电路，接收各所述比较子电路输出的匹配信息信号，根据各个所述匹配信息信号，输出所述熔丝单元的全匹配信息信号；
45.判断电路，连接所述匹配电路与所述译码电路，包括n个判断子电路，每个所述判断子电路接收所述匹配电路输出的全匹配信息信号以及对应的一个所述扇区地址信息信号，并根据所述全匹配信息信号以及所述扇区地址信息信号，获取所述熔丝单元的一个扇区熔丝信息信号；
46.所述判定单元连接k个所述判断单元，包括n个判定电路，每个所述判定电路接收属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号，获取一个扇区存在信息信号。
47.在其中一个实施例中，所述比较子电路包括同或门。
48.在其中一个实施例中，所述匹配电路包括第一匹配电路与至少两个第二匹配电路；每个所述第二匹配电路连接一组所述比较子电路，接收一组所述比较子电路的匹配信息信号，根据该组比较子电路输出的各个所述匹配信息信号，输出组匹配信息信号；所述第一匹配电路连接各个所述第二匹配电路，接收各个所述第二匹配电路输出的组匹配信息信号，并根据所述各组匹配信息信号，输出所述熔丝单元的全匹配信息信号。
49.在其中一个实施例中，所述第二匹配电路均包括与第一与非门，所述第一匹配电路包括第一或非门。
50.在其中一个实施例中，所述判断子电路包括第二与非门以及第一非门，所述第二与非门的输入端连接所述匹配电路与所述译码电路，所述第二与非门的输出端连接所述第一非门的输入端，所述第一非门的输出端连接对应的所述判定电路。
51.在其中一个实施例中，所述判定电路包括第二或非门以及第二非门，所述第二或非门的输入端连接k个所述判断单元，所述第二或非门的输出端连接所述第二非门的输入端，所述第二非门的输出端用于输出所述扇区存在信息信号。
52.上述存储器件刷新方法及系统，判断目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，并在目标刷新行地址存在于参考模块中的被替换行地址中时，跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新，从而可以有效降低存储器件在刷新过程中出现数据被破坏的风险。
附图说明
53.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
54.图1为一个实施例中存储器件刷新方法的流程示意图；
55.图2为一个实施例中判断目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中的流程示意图；
56.图3一个实施例中获取熔丝单元的全匹配信息信号的流程示意图；
57.图4为一个实施例中存储器件刷新系统的结构框图；
58.图5为另一个实施例中存储器件刷新系统的结构框图；
59.图6为一个实施例中判断单元的结构框图；
60.图7为一个实施例中判断单元的电路示意图；
61.图8为一个实施例中判定单元的电路示意图。
具体实施方式
62.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容更加透彻全面。
63.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
64.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。
65.需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
66.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
67.正如背景技术所述，现有技术中，存储器件在刷新过程中可能会出现数据被破坏的问题。经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于：
68.对已损坏的字线进行刷新，可能会破坏相邻近的字线中的数据。特别是随着工艺向前推进，线宽越来越小，对已损坏的字线进行刷新，造成相邻近的字线中的数据被破坏的风险越来越大。但是在现有技术中，刷新时并没有规避已损坏的字线，这样的处理其实是存在数据被破坏的风险的。
69.基于以上原因，本发明提供了一种存储器件刷新方法及系统。
70.在一个实施例中，请参阅图1，提供了一种存储器件刷新方法，包括：
71.步骤s100，获取目标刷新行地址；
72.步骤s200，判断目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，被替换行地址对应已损坏的字线；
73.步骤s300，如果目标刷新行地址存在于参考模块中的被替换行地址中，则跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新。
74.在步骤s100中，目标刷新行地址为要进行刷新的字线对应的存储单元的行地址。存储器件上具有多条字线以及呈多行多列排布的多个存储单元。每一行存储单元均对应一条字线。每条字线为其对应行上的若干个存储单元的晶体管提供栅压信号，以控制晶体管的开关，进而控制存储数据的写入和读出。同一条字线对应的存储单元的行地址相同。
75.在步骤s200中，被替换行地址为已损坏的字线对应的存储单元的行地址。同一条字线对应的存储单元的行地址相同，一个被替换行地址对应一条已损坏的字线。
76.参考模块为用于存储被替换行地址的模块。
77.在步骤s300中，如果目标刷新行地址存在于参考模块中的被替换行地址中，则表明该目标刷新行地址指向的字线已损坏。此时跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新，进而可以有效规避已损坏的字线，防止对已损坏的字线进行刷新而造成相邻近的字线中的数据被破坏。
78.在本实施例中，判断目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，并在目标刷新行地址存在于参考模块中的被替换行地址中时，跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新，从而可以有效降低存储器件在刷新过程中出现数据被破坏的风险。
79.在一个实施例中，进一步地，存储器件刷新方法还包括：
80.步骤s400，如果目标刷新行地址未存在于参考模块中的被替换行地址中，则对目标刷新行地址指向的字线进行刷新。
81.此时，可以对存储器件进行及时有效刷新，从而保持存储器件存储的数据。
82.在一个实施例中，参考模块包括k个熔丝单元，每个熔丝单元存储一个被替换行地址，k为大于0的整数。
83.熔丝单元为用于对出现字线损坏的存储单元进行行地址修复的单元。一个熔丝单元用于存储一个出现字线损坏的存储单元的行地址。同时，每个熔丝单元对应一个冗余字线。
84.当对一个出现字线损坏的存储单元进行行地址修复时，把该出现字线损坏的存储单元的行地址a存储至一个熔丝单元。然后以冗余字线代替该存储单元对应的字线。之后，在读写的过程中，如果读写的行地址为a，则会开启存储行地址a的熔丝单元对应的冗余字线。行地址为a即为被替换行地址。
85.在本实施例中，以熔丝单元组成参考模块，从而可以有效利用熔丝单元，且节省存储空间。
86.在一个实施例中，步骤s100包括：获取属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址，n为大于0的整数。
87.目标刷新行地址以及熔丝单元存储的被替换行地址均包括a个扇区地址位以及b个编码地址位。扇区地址位用于存储扇区地址信息。编码地址位用于存储每个扇区中的行地址信息，a、b均为大于0的整数。n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相
同，且目标刷新行地址的b个编码地址作为目标编码地址位。
88.作为示例，目标刷新行地址以及熔丝单元存储的被替换行地址的前两位(如第15位以及第14位)可以作为扇区地址位，而其后十二位(如第13位至第2位)可以作为编码地址位。此时，a＝2且b＝12。
89.n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相同。即n个目标刷新行地址的后十二位(如第13位至第2位)编码地址位中存储的信息均相同。亦即，各个目标刷新行地址的第i位编码地址位中存储的信息均相同(均为“1”或者均为“0”)，第i位为b个编码地址位中的任意一位。
90.在本实施例中，同时获取属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址，从而可以同时对b个编码地址位存储的信息均相同的n条字线进行刷新。
91.同时，请参阅图2，在本实施例中，步骤s200包括：
92.步骤s210，对于每个熔丝单元，根据其中的各扇区地址位中存储的信息，译码获取熔丝单元的n个扇区地址信息信号secen；
93.步骤s220，对于每个熔丝单元，比较其中的各编码地址位中存储的信息与各目标编码地址位中存储的信息，获取各个编码地址位的匹配信息信号match；
94.步骤s230，对于每个熔丝单元，根据其中的各个编码地址位的匹配信息信号match，获取熔丝单元的全匹配信息信号alladdmatch；
95.步骤s240，对于每个熔丝单元，根据其对应的全匹配信息信号alladdmatch以及n个扇区地址信息信号secen，获取每个熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号sec；
96.步骤s250，将k个熔丝单元的属于相同扇区的扇区熔丝信息信号sec作为一组扇区熔丝信息信号，形成n组扇区熔丝信息信号，每组扇区熔丝信息信号包括属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号sec；
97.步骤s260，根据n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号sec，获取n个扇区存在信息信号selsec；
98.步骤s270，根据n个扇区存在信息信号selsec，判断各目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中。
99.作为示例，取k＝3，n＝4，a＝2，b＝12。此时，参考模块包括三个熔丝单元fuse0、fuse1、fuse2。刷新时，同时对四个不同扇区的四个目标刷新行地址指向的四条字线进行刷新。目标刷新行地址以及熔丝单元存储的被替换行地址的前两位(第15位以及第14位)作为扇区地址位，而其后十二位(第13位至第2位)作为编码地址位。
100.同时，a＝2时，目标刷新行地址以及熔丝单元存储的被替换行地址均包括两个扇区地址位。每个扇区地址位存储的信息均可能为“0”也可能为“1”，经过译码之后可以表征四个扇区。因此，此时n取4。
101.上述步骤s210至步骤s240对熔丝单元fuse0、fuse1、fuse2同时进行处理。这里以熔丝单元fuse0为例进行具体介绍。
102.对于fuse0：
103.在步骤s210中，熔丝单元fuse0的两个扇区地址位(第15位以及第14位)分别为fuse0《15》、fuse0《14》。
104.将fuse0《15》、fuse0《14》中存储的信息输入至译码电路，从而可以译码获取熔丝
单元fuse0的四个扇区地址信息信号secen0《3》、secen0《2》、secen0《1》、secen0《0》。四个扇区地址信息信号secen0《3》、secen0《2》、secen0《1》、secen0《0》中有且只有一个为高电平信号，表征熔丝单元fuse0中存储的被替换行地址属于该高电平信号对应的扇区。例如，扇区地址信息信号secen0《3》、secen0《2》、secen0《1》为低电平信号，扇区地址信息信号secen0《0》为高电平信号，表征熔丝单元fuse0中存储的被替换行地址属于第零扇区。
105.在步骤s220中，熔丝单元fuse0的十二位编码地址位(第13位至第2位)分别为fuse0《13》至fuse0《2》。目标刷新行地址的十二位目标编码地址位分别为a《13》至a《2》。
106.比较fuse0《j》与a《j》中存储的信息，获取第j位编码地址位的匹配信息信号match0《j》，第j位为第13位至第2位中的任意一位。匹配信息信号match0《j》为高电平时，表征fuse0《j》与a《j》中存储的信息一致。匹配信息信号match0《j》为低电平时，表征fuse0《j》与a《j》中存储的信息不一致。
107.在步骤s230中，根据熔丝单元fuse0的十二位编码地址位的匹配信息信号match0《13》至match0《2》，获取熔丝单元fuse0的全匹配信息信号alladdmatch0。全匹配信息信号alladdmatch0为高电平时，表征熔丝单元fuse0的十二位编码地址位fuse0《13》至fuse0《2》中存储的信息与目标刷新行地址的十二位目标编码地址位a《13》至a《2》中存储的信息全部一致。
108.在步骤s240中，根据熔丝单元fuse0的全匹配信息信号alladdmatch0以及其四个扇区地址信息信号secen0《3》、secen0《2》、secen0《2》、secen0《0》，获取熔丝单元fuse0的四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》。四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》中至多有一个信号为高电平。当四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》都为低电平时，表征目标刷新行地址不存在于熔丝单元fuse0存储的被替换行地址中。当四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》中有一个信号为高电平时，表征目标刷新行地址存在于熔丝单元fuse0存储的被替换行地址中。例如sec0《0》为高电平时，表征目标刷新行地址存在于熔丝单元fuse0存储的被替换行地址中，且该目标刷新行地址属于第零扇区。
109.对于fuse1、fuse2，其步骤s210至步骤s240中的处理过程相同，且在步骤240中，获取熔丝单元fuse0的四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》的同时，还获取熔丝单元fuse1的四个扇区熔丝信息信号sec1《3》、sec1《2》、sec1《1》、sec1《0》，以及熔丝单元fuse2的四个扇区熔丝信息信号sec2《3》、sec2《2》、sec2《1》、sec2《0》。
110.在步骤s250中，将熔丝单元fuse0的sec0《3》、fuse1的sec1《3》以及fuse2的sec2《3》作为一组扇区熔丝信息信号。熔丝单元fuse0的sec0《2》、fuse1的sec1《2》以及fuse2的sec2《2》作为一组扇区熔丝信息信号。熔丝单元fuse0的sec0《1》、fuse1的sec1《1》以及fuse2的sec2《1》作为一组扇区熔丝信息信号。熔丝单元fuse0的sec0《0》、fuse1的sec1《0》以及fuse2的sec2《0》作为一组扇区熔丝信息信号，从而形成四组扇区熔丝信息信号。
111.在步骤s260中，根据fuse0的sec0《3》、fuse1的sec1《3》以及fuse2的sec2《3》，获取一个扇区存在信息信号selsec《3》。当fuse0的sec0《3》、fuse1的sec1《3》以及fuse2的sec2《3》中任意一个信号为高电平时，扇区存在信息信号selsec《3》为高电平，表征目标刷新行地址存在于熔丝单元fuse0、fuse1或fuse2存储的被替换行地址中，且该目标刷新行地址属于第三扇区。根据熔丝单元fuse0的sec0《2》、fuse1的sec1《2》以及fuse2的sec2《2》，获取一个
扇区存在信息信号selsec《2》。当fuse0的sec0《2》、fuse1的sec1《2》以及fuse2的sec2《2》中任意一个信号为高电平时，扇区存在信息信号selsec《2》为高电平，表征目标刷新行地址存在于熔丝单元fuse0、fuse1或fuse2存储的被替换行地址中，且该目标刷新行地址属于第二扇区。根据熔丝单元fuse0的sec0《1》、fuse1的sec1《1》以及fuse2的sec2《1》，获取一个扇区存在信息信号selsec《1》。当fuse0的sec0《1》、fuse1的sec1《1》以及fuse2的sec2《1》中任意一个信号为高电平时，扇区存在信息信号selsec《1》为高电平，表征目标刷新行地址存在于熔丝单元fuse0、fuse1或fuse2存储的被替换行地址中，且该目标刷新行地址属于第一扇区。根据熔丝单元fuse0的sec0《0》、fuse1的sec1《0》以及fuse2的sec2《0》，获取一个扇区存在信息信号selsec《0》。当fuse0的sec0《0》、fuse1的sec1《0》以及fuse2的sec2《0》中任意一个信号为高电平时，扇区存在信息信号selsec《0》为高电平，表征目标刷新行地址存在于熔丝单元fuse0、fuse1或fuse2存储的被替换行地址中，且该目标刷新行地址属于第零扇区。
112.在步骤s270中，根据扇区存在信息信号selsec《0》、selsec《1》、selsec《2》、selsec《3》，判断各目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中。
113.作为示例，如果selsec《0》、selsec《1》、selsec《2》、selsec《3》中的任意一者为高电平信号时，则说明具有目标刷新行地址存储于熔丝单元内。此时跳过对该目标刷新行地址指向的字线的刷新。
114.如果selsec《0》、selsec《1》、selsec《2》、selsec《3》中同时有多个为高电平信号，则同时跳过对多个目标刷新行地址指向的字线的刷新。例如selsec《0》和selsec《2》同时为高电平信号时，则同时跳过对属于第零扇区与第二扇区内目标刷新行地址指向的字线的刷新。
115.在一个实施例中，步骤s230包括：对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号match做与逻辑运算，获取每个熔丝单元的全匹配信息信号alladdmatch。
116.作为示例，对于上述熔丝单元fuse0，可以将其各个编码地址位的匹配信息信号match0《13》至match0《2》做与逻辑运算，获取熔丝单元fuse0的全匹配信息信号alladdmatch0。当match0《13》至match0《2》全部为高电平信号时，则alladdmatch0为高电平信号。
117.在一个实施例中，请参阅图3，步骤s230进一步地包括：
118.步骤s231，对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号match分组做与非逻辑运算，获取组匹配信息信号；
119.步骤s232，将各组匹配信息信号做或非逻辑运算，获取每个熔丝单元的全匹配信息信号alladdmatch。
120.作为示例，对于上述熔丝单元fuse0：
121.在步骤s231中，可以将其各个编码地址位的匹配信息信号match0《13》至match0《2》分为四组做与非逻辑运算。
122.具体地，match0《13》、match0《12》、match0《11》为一组，将三者做与非逻辑运算，获取一个组匹配信息信号。match0《10》、match0《9》、match0《8》为一组，将三者做与非逻辑运算，获取一个组匹配信息信号。match0《7》、match0《6》、match0《5》为一组，将三者做与非逻辑运算，获取一个组匹配信息信号。match0《4》、match0《3》、match0《2》为一组，将三者做与非逻辑运算，获取一个组匹配信息信号。
123.当做与非逻辑运算的三者(如match0《13》、match0《12》、match0《11》)均为高电平信号时，则根据与非逻辑运算输出的组匹配信息信号为低电平信号。否则为高电平信号。
124.在步骤s232中，将根据与非逻辑运算获取的四个组匹配信息信号做或非逻辑运算，获取每个熔丝单元的全匹配信息信号alladdmatch。当四个组匹配信息信号为均低电平信号时，熔丝单元的全匹配信息信号alladdmatch为高电平信号。否则为低电平信号。
125.在本实施例中，通过将各个编码地址位的匹配信息信号match分组做与非逻辑运算，然后再将各组匹配信息信号做或非逻辑运算，获取每个熔丝单元的全匹配信息信号alladdmatch，从而有效减少器件数量，降低生产成本。
126.当然，在其他实施例中，也可以不分组，本技术对此并没有限制。
127.在一个实施例中，步骤s240包括：对于每个熔丝单元，将其对应的全匹配信息信号alladdmatch与n个扇区地址信息信号secen做与逻辑运算，获取熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号sec。
128.作为示例，对于上述熔丝单元fuse0，可以将其全匹配信息信号alladdmatch0与其四个扇区地址信息信号secen0《3》、secen0《2》、secen0《2》、secen0《0》分别做与逻辑运算，获取熔丝单元的四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》。
129.四个扇区地址信息信号secen0《3》、secen0《2》、secen0《1》、secen0《0》中有且只有一个为高电平信号，表征熔丝单元fuse0中存储的被替换行地址属于该高电平信号对应的扇区。当alladdmatch0为高电平时，获取的四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》中有一个为高电平信号。此时，说明fuse0中存储的被替换行地址与其中一个扇区中的目标刷新行地址相同。
130.否则，当alladdmatch0为低电平时，获取的四个扇区熔丝信息信号sec0《3》、sec0《2》、sec0《1》、sec0《0》均为低电平信号。此时，说明fuse0中存储的被替换行地址与任意一个扇区中的目标刷新行地址均不相同。
131.在一个实施例中，步骤s260包括：将n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号做或逻辑运算，获取n个扇区存在信息信号selsec。
132.作为示例，对于上述熔丝单元fuse0、fuse1、fuse2，将熔丝单元fuse0的sec0《3》、fuse1的sec1《3》以及fuse2的sec2《3》做或逻辑运算，获取一个扇区存在信息信号selsec《3》。若fuse0的sec0《3》、fuse1的sec1《3》以及fuse2的sec2《3》中的任意一个为高电平信号时，则扇区存在信息信号selsec《3》为高电平信号，则说明位于第三扇区的目标刷新行地址存储于熔丝单元fuse0或fuse1或fuse2内。否则，若fuse0的sec0《3》、fuse1的sec1《3》以及fuse2的sec2《3》的均为低电平信号时，则扇区存在信息信号selsec《3》为低电平信号，则说明位于第三扇区的目标刷新行地址未存储于熔丝单元fuse0、fuse1、fuse2内的任意一个之中。
133.同理，将熔丝单元fuse0的sec0《2》、fuse1的sec1《2》以及fuse2的sec2《2》做或逻辑运算，获取一个扇区存在信息信号selsec《2》，进而可以判断位于第二扇区的目标刷新行地址是否存储于熔丝单元fuse0或fuse1或fuse2内。
134.将熔丝单元fuse0的sec0《1》、fuse1的sec1《1》以及fuse2的sec2《1》做或逻辑运算，获取一个扇区存在信息信号selsec《1》，进而可以判断位于第一扇区的目标刷新行地址是否存储于熔丝单元fuse0或fuse1或fuse2内。
135.将熔丝单元fuse0的sec0《0》、fuse1的sec1《0》以及fuse2的sec2《0》做或逻辑运算，获取一个扇区存在信息信号selsec《0》，进而可以判断位于第零扇区的目标刷新行地址是否存储于熔丝单元fuse0或fuse1或fuse2内。
136.应该理解的是，虽然图1-图3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-图3中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
137.在一个实施例中，请参阅图4，提供了一种存储器件刷新系统，包括：获取模块100、参考模块200、判断模块300以及控制模块400。
138.获取模块100用于获取目标刷新行地址。参考模块200用于存储被替换行地址，被替换行地址对应已损坏的字线。判断模块300连接获取模块100与参考模块200，用于判断目标刷新行地址是否存在于参考模块200中的被替换行地址中。控制模块400连接判断模块，用于当目标刷新行地址存在于参考模块200中的被替换行地址中时，控制跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新。
139.在本实施例中，判断模块300判断目标刷新行地址是否存在于参考模块200中的被替换行地址中，控制模块400在目标刷新行地址存在于参考模块200中的被替换行地址中时，跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新，可以有效规避已损坏的字线，防止对已损坏的字线进行刷新而造成相邻近的字线中的数据被破坏，从而可以有效降低存储器件在刷新过程中出现数据被破坏的风险。
140.在一个实施例中，请参阅图5，参考模块200包括k个熔丝单元210，每个熔丝单元存储一个被替换行地址，k为大于0的整数。
141.在一个实施例中，目标刷新行地址包括属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址。目标刷新行地址以及熔丝单元存储的被替换行地址均包括a个扇区地址位以及b个编码地址位。扇区地址位用于存储扇区地址信息。编码地址位用于存储每个扇区中的行地址信息。n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相同，且目标刷新行地址的b个编码地址作为目标编码地址位，a、b均为大于0的整数。
142.在本实施例中，请继续参阅图5，判断模块300包括判定单元320以及k个判断单元310。判断单元310与熔丝单元210一一对应连接。每个判断单元310对一个熔丝单元210的相关数据进行处理。
143.具体地，请参阅图6以及图7，每个判断单元310均包括译码电路311、比较电路312、匹配电路313、判断电路314。
144.译码电路311对应连接一个熔丝单元210，接收该熔丝单元210的各扇区地址位中存储的信息，并根据各扇区地址位中存储的信息，译码输出熔丝单元210的n个扇区地址信息信号secen。
145.比较电路312对应连接一个熔丝单元210，包括b个比较子电路3121。每个比较子电路3121同时接收一对对应的目标编码地址位中存储的信息与熔丝单元210的编码地址位中
存储的信息。并根据一对对应的目标编码地址位中存储的信息与熔丝单元210的编码地址位中存储的信息的比较，而输出对应的编码地址位的匹配信息信号match。
146.匹配电路313连接比较电路312的各个比较子电路3121，接收各比较子电路3121输出的匹配信息信号match，根据各个匹配信息信号match，输出熔丝单元210的全匹配信息信号alladdmatch。
147.判断电路314连接匹配电路313与译码电路311，包括n个判断子电路3141。每个判断子电路3141接收匹配电路313输出的全匹配信息信号alladdmatch以及对应的一个扇区地址信息信号secen。并根据全匹配信息信号alladdmatch以及扇区地址信息信号secen，获取熔丝单元210的一个扇区熔丝信息信号sec。
148.请参阅图8，判定单元320连接k个判断单元310，且包括n个判定电路321。每个判定电路321接收属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号sec，获取一个扇区存在信息信号selsec。
149.在一个实施例中，请参阅图7，比较子电路3121包括同或门。比较子电路3121的数量可以与编码地址位的个数相同。同或门当输入电平相同时，输出为高电平。因此，当一个比较子电路3121接收的一对对应的目标编码地址位中存储的信息与熔丝单元210的编码地址位中存储的信息相同(均为“0”或者均为“1”)时，该比较子电路3121均输出高电平。
150.在一个实施例中，请参阅图7，匹配电路313包括第一匹配电路3132与至少两个第二匹配电路3131。每个第二匹配电路3132连接一组比较子电路3121，接收一组比较子电路的匹配信息信号match，根据该组比较子电路输出的各个匹配信息信号match，输出组匹配信息信号。
151.第一匹配电路3132连接各个第二匹配电路3131，接收各个第二匹配电路3131输出的组匹配信息信号，并根据各组匹配信息信号，输出熔丝单元210的全匹配信息信号alladdmatch。
152.在本实施例中，通过第一匹配电路3132与至少两个第二匹配电路3131构成匹配电路313，进而对各比较子电路3121输出的匹配信息信号match进行分组处理，从而有效减少器件数量，降低生产成本。
153.当然，在其他实施例中，也可以不对各比较子电路3121输出的匹配信息信号match进行分组，本技术对此并没有限制。
154.在一个实施例中，请参阅图7，第二匹配电路3131均包括与第一与非门，第一匹配电路3132包括第一或非门。
155.在本实施例中，通过第一与非门以及第一或非门可以有效实现对各比较子电路3121输出的匹配信息信号match进行与逻辑运算。
156.在一个实施例中，请参阅图7，判断子电路3141包括第二与非门以及第一非门。第二与非门的输入端连接匹配电路3132与译码电路311。第二与非门的输出端连接第一非门的输入端，第一非门的输出端连接对应的判定电路321。
157.在本实施例中，通过第二与非门以及第一非门可以有效实现对匹配电路3132输出的全匹配信息信号alladdmatch与译码电路311输出的一个扇区地址信息信号secen进行与逻辑运算。
158.在一个实施例中，请参阅图8，判定电路321包括第二或非门以及第二非门，第二或
非门的输入端连接k个判断单元310。第二或非门的输出端连接第二非门的输入端，第二非门的输出端用于输出扇区存在信息信号selsec。
159.在本实施例中，通过第二或非门以及第二非门有效实现对k个判断单元310的属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号sec进行或逻辑运算。
160.可以理解的是，图7、图8示出的为一具体实施例的电路图，这个实施例与之前实施例中的存储器件刷新系统的实施方式一致，可以实现之前实施例中的存储器件刷新方法。但是，本技术并不限于图7、图8示出的该具体实施例的实施方式，所有可以实现本技术存储器件刷新功能的实施方式均属于本技术的保护范围。
161.关于存储器件刷新系统的具体限定可以参见上文中对于存储器件刷新方法的限定，在此不再赘述。上述存储器件刷新系统中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。需要说明的是，本技术实施例中对模块的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
162.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。
163.在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
164.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
165.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：

1.一种存储器件刷新方法，其特征在于，包括：获取目标刷新行地址；判断所述目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，所述被替换行地址对应已损坏的字线；如果所述目标刷新行地址存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中，则跳过对所述目标刷新行地址指向的字线的刷新。2.根据权利要求1所述的存储器件刷新方法，其特征在于，还包括：如果所述目标刷新行地址未存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中，则对所述目标刷新行地址指向的字线进行刷新。3.根据权利要求2所述的存储器件刷新方法，其特征在于，所述参考模块包括k个熔丝单元，每个所述熔丝单元存储一个被替换行地址，k为大于0的整数。4.根据权利要求3所述的存储器件刷新方法，其特征在于，所述获取目标刷新行地址，包括：获取属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址，n为大于0的整数，所述目标刷新行地址以及所述熔丝单元存储的被替换行地址均包括a个扇区地址位以及b个编码地址位，所述扇区地址位用于存储扇区地址信息，所述编码地址位用于存储每个扇区中的行地址信息，所述n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相同，且所述目标刷新行地址的b个编码地址作为目标编码地址位，a、b均为大于0的整数；所述判断所述目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，包括：对于每个所述熔丝单元，根据其中的各所述扇区地址位中存储的信息，译码获取所述熔丝单元的n个扇区地址信息信号；对于每个所述熔丝单元，比较其中的各所述编码地址位中存储的信息与各所述目标编码地址位中存储的信息，获取各个所述编码地址位的匹配信息信号；对于每个所述熔丝单元，根据其中的各个所述编码地址位的所述匹配信息信号，获取所述熔丝单元的全匹配信息信号；对于每个所述熔丝单元，根据其对应的所述全匹配信息信号以及所述n个扇区地址信息信号，获取每个所述熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号；将k个所述熔丝单元的属于相同扇区的扇区熔丝信息信号作为一组扇区熔丝信息信号，形成n组扇区熔丝信息信号，每组扇区熔丝信息信号包括属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号；根据所述n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号，获取n个扇区存在信息信号；根据所述n个扇区存在信息信号，判断各所述目标刷新行地址是否存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中。5.根据权利要求4所述的存储器件刷新方法，其特征在于，对于每个所述熔丝单元，根据其中的各个所述编码地址位的所述匹配信息信号，获取所述熔丝单元的全匹配信息信号，包括：对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号做与逻辑运算，获取每个所述熔丝单元的全匹配信息信号。
6.根据权利要求5所述的存储器件刷新方法，其特征在于，所述对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号做与逻辑运算，获取每个所述熔丝单元的全匹配信息信号，包括：对于每个熔丝单元，将其各个编码地址位的匹配信息信号分组做与非逻辑运算，获取组匹配信息信号；将各组匹配信息信号做或非逻辑运算，获取每个所述熔丝单元的全匹配信息信号。7.根据权利要求4所述的存储器件刷新方法，其特征在于，所述对于每个所述熔丝单元，根据其对应的所述全匹配信息信号以及所述n个扇区地址信息信号，获取每个所述熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号，包括：对于每个所述熔丝单元，将其对应的所述全匹配信息信号与n个所述扇区地址信息信号做与逻辑运算，获取所述熔丝单元的n个扇区熔丝信息信号。8.根据权利要求4所述的存储器件刷新方法，其特征在于，所述根据所述n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号，获取n个扇区存在信息信号，包括：将n组扇区熔丝信息信号中的k个扇区熔丝信息信号做或逻辑运算，获取n个扇区存在信息信号。9.一种存储器件刷新系统，其特征在于，包括：获取模块，用于获取目标刷新行地址；参考模块，用于存储被替换行地址，所述被替换行地址对应已损坏的字线；判断模块，连接所述获取模块与所述参考模块，用于判断所述目标刷新行地址是否存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中；控制模块，连接所述判断模块，用于当所述目标刷新行地址存在于所述参考模块中的所述被替换行地址中时，控制跳过对所述目标刷新行地址指向的字线的刷新。10.根据权利要求9所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述参考模块包括k个熔丝单元，每个熔丝单元存储一个被替换行地址，k为大于0的整数。11.根据权利要求10所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述目标刷新行地址包括属于n个不同扇区的n个目标刷新行地址，所述目标刷新行地址以及所述熔丝单元存储的被替换行地址均包括a个扇区地址位以及b个编码地址位，所述扇区地址位用于存储扇区地址信息，所述编码地址位用于存储每个扇区中的行地址信息，所述n个目标刷新行地址的b个编码地址位中存储的信息均相同，且所述目标刷新行地址的b个编码地址作为目标编码地址位，a、b均为大于0的整数；所述判断模块包括判定单元以及k个判断单元；所述判断单元与所述熔丝单元一一对应连接，且每个所述判断单元均包括：译码电路，对应连接一个所述熔丝单元，接收所述熔丝单元的各所述扇区地址位中存储的信息，并根据各所述扇区地址位中存储的信息，译码输出所述熔丝单元的n个扇区地址信息信号；比较电路，对应连接一个所述熔丝单元，包括b个比较子电路，每个所述比较子电路同时接收一对对应的所述目标编码地址位中存储的信息与所述熔丝单元的所述编码地址位中存储的信息，并根据一对对应的所述目标编码地址位中存储的信息与所述熔丝单元的所述编码地址位中存储的信息的比较，而输出对应的所述编码地址位的匹配信息信号；
匹配电路，连接所述比较电路的各个比较子电路，接收各所述比较子电路输出的匹配信息信号，根据各个所述匹配信息信号，输出所述熔丝单元的全匹配信息信号；判断电路，连接所述匹配电路与所述译码电路，包括n个判断子电路，每个所述判断子电路接收所述匹配电路输出的全匹配信息信号以及对应的一个所述扇区地址信息信号，并根据所述全匹配信息信号以及所述扇区地址信息信号，获取所述熔丝单元的一个扇区熔丝信息信号；所述判定单元连接k个所述判断单元，包括n个判定电路，每个所述判定电路接收属于相同扇区的k个扇区熔丝信息信号，获取一个扇区存在信息信号。12.根据权利要求11所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述比较子电路包括同或门。13.根据权利要求11所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述匹配电路包括第一匹配电路与至少两个第二匹配电路；每个所述第二匹配电路连接一组所述比较子电路，接收一组所述比较子电路的匹配信息信号，根据该组比较子电路输出的各个所述匹配信息信号，输出组匹配信息信号；所述第一匹配电路连接各个所述第二匹配电路，接收各个所述第二匹配电路输出的组匹配信息信号，并根据所述各组匹配信息信号，输出所述熔丝单元的全匹配信息信号。14.根据权利要求13所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述第二匹配电路均包括与第一与非门，所述第一匹配电路包括第一或非门。15.根据权利要求11所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述判断子电路包括第二与非门以及第一非门，所述第二与非门的输入端连接所述匹配电路与所述译码电路，所述第二与非门的输出端连接所述第一非门的输入端，所述第一非门的输出端连接对应的所述判定电路。16.根据权利要求11所述的存储器件刷新系统，其特征在于，所述判定电路包括第二或非门以及第二非门，所述第二或非门的输入端连接k个所述判断单元，所述第二或非门的输出端连接所述第二非门的输入端，所述第二非门的输出端用于输出所述扇区存在信息信号。

技术总结

本申请涉及一种存储器件刷新方法及系统。其中，存储器件刷新方法包括：获取目标刷新行地址；判断目标刷新行地址是否存在于参考模块中的被替换行地址中，被替换行地址对应已损坏的字线；如果目标刷新行地址存在于参考模块中的被替换行地址中，则跳过对目标刷新行地址指向的字线的刷新。本申请能够防止刷新过程中出现数据被破坏现象。现数据被破坏现象。现数据被破坏现象。