检验规范自动化洗碗机 | |||||||||
主题 | 晶 片 进 料 | 页次 | 1/6 | ||||||
二、使用设备:显微镜、数字万用表、投影机、镊子、曲线扫描仪、测试机。 三、抽样计划:MIL-STD-105E电气特性检测以特殊水平S-3 尺寸检测每批从不同胶膜上共抽测5PCS,以0收1退为判定标准。 外观检查以一般检验水平Ⅱ,当每片不良数大于3%时视为不合格。 AQL:CRITICAL O MAJOR 0.1 MINOR 0.65 当为样品试作芯片进料,且进料数量小于1000PCS时,电气特性检测采用特殊水准S-2,AQL:0.65% 注: 参照页次6/6抽样计划表 四、检验项目:包装标示、电气特性、尺寸、外观。(SD1芯片进料检验参见WI-QC-G-0236) 五、备注:1.若为客户要求或汽车业订单检验则以0收1退为判定标准。 2.芯片进料检验表上所写的订单编号为KB订单编号。 3.电性检测过之芯片须作报废处理。 5.四元芯片每片需抽测5PCS作V/I曲线检测,其它芯片按型号每批抽5片,每片抽5PCS作V/I曲线检测,扫描后看有无闸流体。 6.所有蓝光芯片在进料时,都需对每片芯片抽测5个点(5颗芯片)的亮度及波长数据记录在分布式kvm(WI-QC-S-0048),波长在472nm范围下的芯片才可生产白光制程。 7.将检查之内容记录于芯片进料检验表(WI-QC-S-0226),不合格时开来料异常通知单并记录于(WI-QC-A-0804)知会采购,检验时需核对厂商规格与承认书是否相符。 8.UR芯片外观全检。 9.发现不良之芯片,不可在芯片原标签上涂改或写任何字样;不良之问题点以小贴纸注明后贴在芯片胶膜上。 六、缺点定义:1.CRITICAL:会造成使用者安全之顾虑或违反安规。 2.MAJOR:超出规格致使功能失效或不能合乎顾客满意。 3.MINOR:超出规格但功能存在而不在CRITICAL OR MAJOR规格内。 | |||||||||
检查项目 | 质量特性及标准 | 使用设备 | 判定水准 | ||||||
重 | 主 | 轻 | |||||||
电气特性 (A) | 1.依照芯片规格书,测试VF/IR是否在规格内。 | 数位万用表 | ˇ | ||||||
2.不亮:芯片不亮或发光层发光亮度不均。 | 测试机 | ˇ | |||||||
3.发光颜不符:芯片发光颜与规格不符。 | 测试机 显微镜 | ˇ | |||||||
4.闸流体:互向电阻特性。(如图一、图二) | 曲线扫描仪 | ˇ | |||||||
尺寸检测 (B) | 依照芯片规格书,测试芯片各尺寸是否在规格内。(除承认书标注外,各尺寸允许公差±0.0254mm) | 工具显微镜 | ˇ | ||||||
检验规范 | |||||||||
主题 | 晶 片 进 料 | 页次 | 2/6 | ||||||
检查项目 | 质量特性及标准 | 使用设备 | 判定水准 | ||||||
重 | 主 | 轻 | |||||||
包装标示 (C) | 1.进货芯片型号是否与验收单相符。 | 目 视 | ˇ | ||||||
2.芯片胶膜上亮度标示是否与要求相符。(如图三、图四) | 目 视 | ˇ | |||||||
外 观 (D) | 1.芯片破损:破损面积不得大于总面积之1/5。(如图五、图六) | 显微镜 | ˇ | ||||||
2.杂 物:杂物不得大于1mil覆盖于发光区,或点亮 后发光区有2点(含)以上之杂物。(如图七) | 显微镜 | 铸铁工艺ˇ | |||||||
3.发光泽不一:点亮后发光区有两种以上之颜。(如图八) | 显微镜 | ˇ | |||||||
4.表面粗化:粗化程度不得有粗颗粒现象。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
5.PAD(焊垫):脱落超过1/5(含)为不良,或不得有1/5 共生重影。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
6.PAD(焊垫):不得有断裂二支(含)触脚以上者。(触脚 断一半或掀脚视为断脚)。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
7.PAD(焊垫):于PAD图样外围全部落框部份每边不得 大于0.5mil,而局部落框于予拒收。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
8.PAD(焊垫):焊垫尺寸偏大或偏小不可超过0.5mil。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
9.焊垫泽与大小:电极角度不可有深浅不一之不良。 | 测试机 | ˇ | |||||||
10.排列不整:芯片排列不整齐,不得相差0.5个晶粒以上。(如图九) | 显微镜 | ˇ | |||||||
11.残留物:PAD金属残留物大于1.5mil。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
12.芯片倾倒:晶粒倾倒致无法取晶,视为报废。(如图十) | 显微镜 | ˇ | |||||||
13.间隔不均:晶粒与晶粒间隔在1.0-1.2个晶粒宽度以 内者为合格。(如图十一) | 显微镜 | ˇ | |||||||
14.焊垫金属丝:不得有连接于PAD上或残存于发光区内 之丝状物。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
15.背面崩裂:破裂高度不得大于芯片高度1/3(含),底 部宽度不得大于芯片宽度1/5(含)。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
16.晶粒暗崩:芯片不得内部崩裂。(如图十二) | 显微镜 | ˇ | |||||||
17.不同晶粒:单一芯片TAPE上不得粘附其它不同之晶粒。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
18.晶粒零散:不得有晶粒零散现象。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
20.并片晶粒:单片中,不得有为原二不同片组合并为一片者。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
检验规范 | |||||||||
主题 | 晶 片 进 料 | 页次 | 3/6 | ||||||
检查项目 | 质量特性及标准 | 使用设备 | 判定水准 | ||||||
重 | 主 | 轻 | |||||||
Θ≦15° 外 观 (D) | 21.WAFER需正中于WAFER SHEET,边距需5cm以上。 | 目 视 | ˇ | ||||||
22.芯片高低不得大于0.05mm(含)。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
23.芯片正、底面倾斜:a-b<=0.5mil。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
24.芯片切割倾斜:芯片与切割面倾斜 角度不可大于15°。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
25.PAD偏心:a:b<=2或b:a<=2。 | 显微镜 | ˇ | |||||||
26.芯片铝垫变白:芯片铝垫呈白。(如图十三、图十四) | 显微镜 | ˇ | |||||||
27.PAD(焊垫):芯片进料之焊垫与订单要求不符。 (如图十五) | 显微镜 | ˇ | |||||||
检验规范 | ||||||||||
主题 | 晶 片 进 料 | 页次 | 4/6 | |||||||
(图一) OK | (家用电器销售图二) NG | (图三) | ||||||||
(图四) | (图五) | (图六) | ||||||||
(图七) | (图八) | (图九) | ||||||||
(图十) | (图十一) | (图十二) | ||||||||
检验规范 | ||||||||||
主题 | 晶 片肥皂生产设备 进 料 | 页次 | 5/6 | |||||||
(图十三) | (图十四) | (图十五) | ||||||||
本文发布于:2024-09-22 11:26:54,感谢您对本站的认可!
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