图片简介:
本技术涉及一种透明导电性薄膜，包括基材、过渡层、纳米导电层及金属层。由于纳米导电层与金属层均具有较佳的可挠性，故可应用于可折叠触摸屏方案。而且，过渡层与纳米导电层之间部分重叠、融合， 形成混合层，从而增加纳米导电层与过渡层之间的附着力，故在提升上述透明导电性薄膜可靠性的同时，还无需额外设置外覆层。因此，在将上述透明导电性薄膜用于制备触控屏时，金属层可以与纳米导电层同时被蚀刻加工，从而可显著简化触控屏的制备流程，有效地提升了生产效率。此外，本技术还提供一种触控屏及一种触控屏的制备方法。拉纸笔
技术要求
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，包括：
基材，具有相对的两个表面；及
依次形成于所述基材至少一个表面的过渡层、纳米导电层及金属层，所述过渡层及所述纳米导电层分别由固化胶及纳米导电材料固化形成；
其中，所述过渡层与所述纳米导电层部分重叠，以形成包含部分所述固化胶及部分所述纳米导电材料的混合层。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述基材的厚度为5微米至100微米。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述过渡层的厚度小于10微米。
4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述纳米导电层的厚度为5纳米至1000纳米。
5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述混合层的厚度为1纳米至5纳米。
6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述金属层的厚度为100纳米至1000纳米。
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7.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述基材的其中一个表面形成有所述过渡层、所述纳米导电层及所述金属层；或者
所述基材的两个表面均形成有所述过渡层、所述纳米导电层及所述金属层。
8.一种触控屏的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种如上述权利要求1至7任一项所述的透明导电性薄膜；
采用曝光显影蚀刻工艺对所述金属层及所述纳米导电层同时蚀刻，以形成位于引线区的金属引线图案及透明引线图案，以及位于触控区金属非引线图案及电极图案；
采用曝光显影蚀刻工艺蚀刻所述金属非引线图案，以露出所述电极图案，所述金属引线图案与所述透明引线图案共同构成电极引线。
9.根据权利要求8所述的触控屏的制备方法，其特征在于，所述透明导电性薄膜的制备方法包括：
在基膜的表面形成纳米导电层；
在所述纳米导电层背向所述基膜的一侧涂覆固化胶，并使所述固化胶部分渗入并固化到所述纳米导电层中，形成过渡层及混合层；
将所述过渡层贴附于基材的表面，并去除所述基膜；
在所述纳米导电层背向所述混合层的表面形成金属层。
10.一种触控屏，其特征在于，所述触控屏由上述权利要求8或9所述的触控屏的制备方法所制成，所述触控屏包括触控区及引线区，所述触控区包括由所述电极图案构成的电极；所述引线区包括由金属引线图案与所述透明引线图案共同构成的引线。
技术说明书
透明导电性薄膜、触控屏及其制备方法
技术领域
本技术涉及电容式触控技术领域，特别涉及一种透明导电性薄膜、触控屏及其制备方法。
背景技术
透明导电性薄膜是电容式触控屏的核心元件，一般包括基材层、ITO透明导电层及金属层。随着用户的需求不断挖掘，可折叠的触控方案应运而生。由于ITO硬而脆，不适合做可弯折的导电材料，故应用于可折叠触控方案的导电性薄膜中，ITO透明导电层采用纳米导电层替代。
纳米导电层由于结构限制，与基材之间的附着力较差，故目前纳米导电层形成后，还需在表面涂布外涂层来增强附着力。然而，外涂层无法被酸性蚀刻液蚀刻。因此，在利用现有的将透明导电性薄膜制备触控屏时，对金属层及透明导电层的蚀刻需分两步进行，这将导致触控屏的加工工艺复杂化，进而降低生产效率。
技术内容
基于此，有必要针对现有透明导电性薄膜应用于触控屏制备时效率不高的问题，提供一种可提升触控屏生产效率的透明导电性薄膜。
一种透明导电性薄膜，包括：
基材，具有相对的两个表面；及
依次形成于所述基材至少一个表面的过渡层、纳米导电层及金属层，所述过渡层及所述纳米导电层分别由固化胶及纳米导电材料固化形成；
其中，所述过渡层与所述纳米导电层部分重叠，以形成包含部分所述固化胶及部分所述纳米导电材料的混合层。
由于纳米导电层与金属层均具有较佳的可挠性，故可应用于可折叠触摸屏方案。而且，过渡层与纳米导电层之间部分重叠、融合，形成混合层，从而增加纳米导电层与过渡层之间的附着力，故在提升上述透明导电性薄膜可靠性的同时，还无需额外设置外覆层。因此，在将上述透明导电性薄膜用于制备触控屏时，金属层可以与纳米导电层同时被蚀刻加工，从而可显著简化触控屏的制备流程，有效地提升了生产效率。固体水
在其中一个实施例中，所述基材的厚度为5微米至100微米。
同种材料的基材厚度越小则弯折性能越好，但相应的机械强度越低。当基材厚度小于5微米时，其机械强度则不足以起到支撑作用；而当基材的厚度的大于100微米时，其弯折性能则无法满足透明导电性薄膜可折叠的需求。因此，厚度为5微米至100微米的基材可兼顾弯折性能及机械强度。
在其中一个实施例中，所述过渡层的厚度小于10微米。
过渡层的厚度过大将会降低透明导电性薄膜的可挠性。同时，还会对透明导电性薄膜的透光率造成不利影响。因此，将过渡层控制在10微米以下有利于改善透明导电性薄膜的透光率及可挠性。
在其中一个实施例中，所述纳米导电层的厚度为5纳米至1000纳米。
当纳米导电层的厚度小于5纳米时，其实现导电的可靠性不高；而当纳米导电层的厚度的大于1000纳米时，其弯折性能则无法满足透明导电性薄膜可折叠的需求。因此，厚度为5纳米至1000纳米的纳米导电层可兼顾弯折性能及导电可靠性。
脉动测速中心在其中一个实施例中，所述混合层的厚度为1纳米至5纳米。
在将上述透明导电性薄膜制备成触控屏时，混合层中由于包含固化胶，故无法被蚀刻城对应的图案。混合层的厚度小，则其中所包含纳米导电材料的量较少。当混合层的厚度小于5纳米时，其纳米导电材料的含量极少，不足以实现导通，从而防止触控屏中的导电图案形成短路。而且，混合层的厚度大于1纳米时，可较好地起到增加纳米导电层与过渡层之间的附着力的作用。
在其中一个实施例中，所述金属层的厚度为100纳米至1000纳米。
当金属层的厚度小于100纳米时，其蚀刻成电极引线时导电的可靠性不高；而当金属层的厚度的大于1000纳米时，其弯折性能则无法满足透明导电性薄膜可折叠的需求。因此，厚度为100纳米至1000纳
米的金属层可兼顾弯折性能及导电可靠性。
在其中一个实施例中，所述基材的其中一个表面形成有所述过渡层、所述纳米导电层及所述金属层。
在其中一个实施例中，所述基材的两个表面均形成有所述过渡层、所述纳米导电层及所述金属层。
本技术还提供一种触控屏的制备方法，该方法包括步骤：
提供一种如上述优选实施例中任一项所述的透明导电性薄膜；
采用曝光显影蚀刻工艺对所述金属层及所述纳米导电层同时蚀刻，以形成位于引线区的金属引线图案及透明引线图案，以及位于触控区金属非引线图案及电极图案；
采用曝光显影蚀刻工艺蚀刻所述金属非引线图案，以露出所述电极图案，所述金属引线图案与所述透明引线图案共同构成电极引线。
上述触控屏的制备方法，第一次曝光显影蚀刻即可对金属层及纳米导电层同时进行蚀刻，而通过两次曝光显影蚀刻即可得到触控屏的成品。可见，上述触控屏的制备方法有效地提升了触控屏的生产效率。
在其中一个实施例中，所述透明导电性薄膜的制备方法包括：
在基膜的表面形成纳米导电层；
在所述纳米导电层背向所述基膜的一侧涂覆固化胶，并使所述固化胶部分渗入并固化到所述纳米导电层中，形成过渡层及混合层；
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将所述过渡层贴附于基材的表面，并去除所述基膜；
在所述纳米导电层背向所述混合层的表面形成金属层。
本技术还提供一种触控屏，所述触控屏由上述优选实施例中任一项所述的触控屏的制备方法所制成，所述触控屏包括触控区及引线区，所述触控区包括由所述电极图案构成的电极；所述引线区包括由金属引线图案与所述透明引线图案共同构成的引线。
上述触控屏，由于透明导电性薄膜具有较佳的可挠性，故其可实现折叠。而且，由于混合层的存在，增加了电极与过渡层之间的附着力，故可提升触控屏的可靠性。而且，引线的制备不需要额外增加与纳米导电层之间的对位偏差空间，故还可实现触控屏的极窄边框。
附图说明
图1为本技术一个实施例中透明导电性薄膜的结构示意图；
图2为本技术另一个实施例中透明导电性薄膜的结构示意图；
菊花链逻辑图3为本技术一个实施例中透明导电性薄膜的制备方法的流程示意图；
图4为本技术一个实施例中触控屏的结构示意图；
图5为本技术一个实施例中触控屏的制备方法的流程示意图；
图6为图5所示触控屏的制备方法中间产品结构示意图。
具体实施方式
豫公网安备41160202000603
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