2010年Xiaoguang Tu、Soo Seng Norman Ang等人研究了基于GaAs的超小十字槽型定向耦合器。实验的材料是基于GaAs-AlGaAs-GaAs材料，能够传播TE槽模式和TM槽模式。低折射率材料AlOx层通过热氧化的方法夹在高折射率GaAs层。通过25um长的定向耦合器结构获得了偏振分束器。由于场强高限制在狭缝区的优势表现仅限于TE模或是TM模，因此偏振灵敏度大大限制了狭缝波导结构在光通信领域的发展。于是提出了十字型槽波导结构，不同于传统的偏振分束器，此结构的分束器在分束后能同时得到TE模和TM模。<BPM--FEM伸缩式雨棚>（An Ultracompact Directional Coupler Based on GaAs Cross-Slot Waveguide----- Xiaoguang Tu, Soo Seng Norman Ang, Ah Bian Chew, Jinghua Teng, and Ting Mei） 2010年Ting Mei等人研究了基于GaAs十字型狭缝波导的超小型定向耦合器，实验证明了十字型狭缝波导能够传导TE狭缝模式和TM狭缝模式，此偏振分束器的尺寸为25um。（An Ultracompact Directional Coupler Based on GaAs Cross-Slot Waveguide-----Xiaoguang Tu, Soo Seng Norman Ang, Ah Bian Chew, Jinghua Teng, and Ting Mei）
2010年美国Yale大学Chi Xiong等人研究了基于水平狭缝波导(狭缝区为SiNx)的高性能纳米
光子电路。此结构波导的传输损耗小于2dB/cm。研究组实验证明了光栅耦合器<FDTD>的耦合损耗为4dB，光学带宽超过110nm。设计制作的MZ干涉仪有高的消光比，还设计了跑道型谐振腔Q值能够达到47000。
垂直狭缝波导由于散射损耗引起的传输损耗很大，目前报道的50nm单狭缝的最小损耗为11.6±3.6dB/cm。（High performance nanophotonic circuits based on partially buried horizontal slot waveguides------ Chi Xiong、Wolfram H.P. Pernice、Mo Li、Hong X. Tang）
移动语音短信2010年国立台湾大学Yao-Feng Ma, Ming-Je Sung, 和Ding-Wei Huang进一步研究了基于狭缝波导结构的定向耦合器的偏振特性。由于结构双折射，不同的波导几何结构，准TE模和准TM模的耦合长度不同。设计的偏振分束器（PBS）的耦合区长度为47.61um，偏振无关定向耦合器（PIDC）的耦合区长度为23.13um。他们的消光比大于20,1dB带宽大于100nm。此耦合器结构中引入了推拉机制，使得在通道型波导中的光场能够高效地耦合进狭缝波导区。由于准TE模的模式拖尾被强烈的抑制，因此耦合长度比L磨煤机衬板TE/LTM强烈地随着宽高比w/h的增加而增加。基于狭缝波导设计的偏振分束器具有结构更紧凑，更高的偏振消
光比，更宽的应用带宽的优势。<全矢量BPM>（Controlling the polarization dependence of dual-channel directional couplers formed by silicon-on-insulator slot waveguides----Yao-Feng Ma, Ming-Je Sung, and Ding-Wei Huang）
2009年日本北海道大学设计了一种基于狭缝硅谐振耦合的超小型偏振分束器。数值模拟结果长为16um的器件在整个C波段的消光比约为-20dB。（Design of Ultra-Small Polarization Splitter Based on a Resonant Coupling between Silicon Wire and Slot Waveguides）
2011年瑞典皇家学院Maziar Manouchehry Naiini等人研究了水平狭缝式全刻蚀光栅耦合器。光栅耦合器的作用是将光从垂直的光纤重新定向至芯片上的波导。相比垂直式狭缝波导，水平式在制作工艺上更具有优势。采用全刻蚀的光栅设计有几个优势：制作过程只需要单一的模板；耦合效率可以避免劣化，因为不需要精确的刻蚀。实验发现耦合效率取决于狭缝的大小，增加狭缝的尺寸会降低耦合的峰值波长；缝宽在30-60nm范围内，对于中心波长是1550nm银钟花的光栅，设计940-1040nm范围的周期是合适的。合成氨工艺<2D-FEM>（Fully Etched Grating Couplers for Atomic Layer Deposited Horizontal Slot Waveguides----Maziar Manouchehry Naiini电石生产工艺，Gunnar Malm，Mikael Östling）
2011年美国Harvard大学和Delaware大学研究了紧凑型带宽宽的狭缝波导偏振分束器。耦合长度仅为13.6um，TE模的平均极化消光比为21dB，而TM模为17dB。
（Ultracompact, broadband slot waveguide polarization splitter）
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