SiC陶瓷的优异性能与其专门结构紧密相关。SiC是共价键专门强的化合物，SiC中Si-C键的离子性仅12％左右。因此，SiC强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。纯SiC可不能被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液腐蚀。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，SiC还有优良的导热性。
SiC具有α和β两种晶型。β－SiC的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α－SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳固性关系。在温度低于1600℃时，SiC以β－SiC形式存在。当高于1600℃时，β－SiC缓慢转变成α－SiC的各种多型体。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型体均需在2100方形气囊℃以上的高温才易生成；关于6H－SiC，即使温度超过2200℃，也是专门稳固的。SiC中各种多型体之间的自由能相差专门小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳固关系变化。
传送侦测
现就SiC陶瓷的生产工艺简述如下：
一、SiC粉末的合成：
SiC在地球上几乎不存在，仅在陨石中有所发觉，因此，工业上应用的SiC粉末都为人工合成。目前，合成SiC粉末的要紧方法有：
1、Acheson法：
这是工业上采纳最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质，在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中，杂质少的呈绿，杂质多的呈黑。 2、化合法：
在一定的温度下，使高纯的硅与碳黑直截了当发生反应。由此可合成高纯度的β－SiC粉末。
3、热分解法：
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200～1500℃的温度范畴内发生分解反应，由此制得亚微米级的β－SiC粉末。
4、气相反相法：
使SiCl4和SiH4等含硅的气体以及CH4、C3H8、C7H8和（Cl4等含碳的气体或使CH3SiCl3、（CH3）2 SiCl2和Si（CH3）4等同时含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此制备纳米级的β－SiC超细粉。
1、无压烧结
1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采纳无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的要紧方法。美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1．732是致密化的热力学条件，当同时添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此B和C的添加为SiC的致密化制造了热力学方面的有利条件。然而，日本研究
人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发觉：在同时添加B和C的β－SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。
以α－SiC为原料，同时添加B和C，也同样可实现SiC的致密烧结。
研究说明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2／g以上，且氧含量尽可能低。B的添加量在0．5％左右，C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。 最近，有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构，因而，其强度和韧性大大改善。
50年代中期，美国Norton公司就开始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金属添加物对SiC热压烧
结的阻碍。实验说明：Al和Fe是促进SiC热压致密化的最有效的添加剂。
有研究者以Al2O3为添加剂，通过热压烧结工艺，也实现了SiC的致密化，并认为其机理是液相烧结。此外，还有研究者分别以B4C、B或B与C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作添加剂，采纳热压烧结，也都获得了致密SiC陶瓷。
研究说明：烧结体的显微结构以及力学、热学等性能会因添加剂的种类不同而异。如：当采纳B或B的化合物为添加剂，热压SiC的晶粒尺寸较小，但强度高。当选用Be作添加剂，热压SiC陶瓷具有较高的导热系数。
3、热等静压烧结：
近年来，为进一步提高SiC陶瓷的力学性能，研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂，采纳热等静压烧结工艺，在1900℃便获得高密度SiC烧结体。更进一步，通过该工艺，在2000℃和138MPa压力下，成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。
研究说明：当SiC粉末的粒径小于0．6μm时，即使不引入任何添加剂，通过热等静压烧
结，在1950℃即可使其致密化。如选用比表面积为24m2／g的SiC超细粉，采纳热等静压烧结工艺，在1850℃便可获得高致密度的无添加剂SiC陶瓷。
另外，Al2O3是热等静压烧结SiC陶瓷的有效添加剂。而C的添加对SiC陶瓷的热等静压烧结致密化不起作用，过量的C甚至会抑制SiC陶瓷的烧结。
4、反应烧结：
SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α－SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8％的游离Si。因此，为保证渗Si的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一样通过调整最初混合料中α－SiC和C的含量，α－SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。
实验说明，采纳无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反
应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抗击力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是由于烧结体中含有一定量的游离Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）关于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温性能要紧受添加剂种类的阻碍。
总之，SiC陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一样说来，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。
氧化铝的用途
冰点渗透压
产品名称 | 要紧品种 | 要紧用途 |
一般氢氧化铝 | 联合法氢氧化铝 | 氟化盐、净水剂 |
拜尔法氢氧化铝 | 氟化盐、净水剂、活性氧化铝 |
特种氢氧化铝 | 白氢氧化铝 | 阻燃剂、填料 |
超白氢氧化铝 | 人造玛瑙、人造石 |
超细氢氧化铝 | 电缆、化妆品、纸张填料 |
低铁氢氧化铝 | 特种玻璃、人造玛瑙 |
低钠氢氧化铝 | 催化剂载体 |
活性氧化铝 | 活性氧化铝微粉 | 耐火材料结合剂 |
柱状活性氧化铝 | 催化剂、干燥剂、净化剂 |
降弓球状活性氧化铝 | 催化剂、干燥剂、吸附剂 |
高纯氧化铝 | 高纯氧化铝 | 钠灯管、荧光粉 |
高温氧化铝 | 低钠高温氧化铝 | 电子陶瓷、精细陶瓷 |
中钠高温氧化铝 | 结构陶瓷 |
低钠高温氧化铝超细微粉 | 电子陶瓷、精细陶瓷、耐火材料 |
中钠高温氧化铝超细微粉 | 结构陶瓷、耐火材料 |
| 二阶低通滤波电路 抛光研磨氧化铝 | 不锈钢抛光研磨 |
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拟薄水铝石 | 一般拟薄水铝石 | 催化剂、粘结剂 |
超级电容器结构特种拟薄水铝石 | 催化剂、粘结剂 |
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