绪论单元测试
1.微纳加工是以平面集成加工为代表的非传统的加工方法，加工形成的部件或结构本身的尺寸在（ ）量级。A:纳米B:微米C:微米或纳米答案:C 2.光刻工艺的基本要素主要包括（ ）。
A:光刻胶
B:对准系统
C:光源
答案:ABC
3.刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数：（ ）。A:掩膜的抗刻蚀比烷基醚硫酸盐
B:掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性
卢允忠C:刻蚀的方向性
答案:B
4.间接加工技术能够绕过现有设备加工能力极限，意指直接光刻技术，其图形结构的分辨率决定于某种光刻方法的分辨率。（ ）
A:对
B:错
答案:B
5.间接加工技术就是光刻加图形转移技术。（ ）
A:对
B:错
答案:B
第一章测试
6.光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到（ ）上。
A:Si片
B:光刻胶拉线绝缘子
C:底片
答案:B
7.软接触通过调整（ ）实现。
A:曝光强度
B:压力大小
C:掩膜厚度
答案:B
激光打孔8.接触式曝光分为（ ）。
A:硬接触
B:软接触
C:无压接触
答案:AB
9.分辨率就是能够清晰分辨出间隔很近的特征图形的能力。（ ）
A:错
B:对
答案:B
10.正胶在感光时，使聚合物发生交联。（ ）
A:错
B:对
答案:A
第二章测试
11.先进的电子束曝光机主要适用于（ ）以下的超微细加工。A:0.5纳米B:0.5毫米C:0.5微米答案:C 12.电子束曝光的曝光效率（ ）光学曝光。
A:远小于
B:近似于
C:远大于
答案:A
13.电子包括发射电子的阴极和对发射电子聚束的电子透镜。（ ）
A:对
B:错
答案:A
14.光栅扫描是对整个曝光场扫描，但电子束曝光快门只在曝光图形部分打开。（ ）
A:错
B:对
答案:B
15.曝光平面电子束斑包含各种像差，（ ）为主要像差。
A:球差
B:像散
C:差
答案:AC
第三章测试
16.离子源按工作原理可分为（ ）。
A:气体放电型离子源
B:电子轰击型离子源
C:场致电离型离子源
D:液态金属离子源
答案:ABCD
17.聚焦离子束系统的聚焦系统与电子束系统大致相同。（ ）
A:错
B:对
答案:B
18.聚焦离子束系统存在空间电荷效应，可利用较小的发射电流来比避免该问题。（ ）
A:对
B:错
小型排风扇答案:A
19.LMIS稳定发射的关键是液态金属与钨丝的良好浸润。（ ）
A:错
B:对
答案:B
20.垂直入射的离子可以获得最大的离子溅射产额。（ ）
A:错
B:对
答案:A
第四章测试全自动电脑针织机
21.扫描探针显微镜工作模式包括（ ）。
A:恒定电流模式
B:恒定间距模式
C:恒定电压模式
答案:AB
22.STM通过（ ）对抗蚀剂曝光。
A:场致发射电子
B:隧穿电流
C:场致电场
答案:A
23.蘸笔纳米探针加工受（ ）等因素影响。
A:表面晶粒尺寸
B:环境湿度
C:表面化学吸附性
D:探针驻留时间
答案:ABCD
24.当AFM以STM方式工作时，也可以用AFM实现对抗蚀剂的曝光。（ ）
A:对
B:错
答案:A
25.与STM相比，用AFM进行扫描探针局部氧化加工更合适。 （ ）
A:错
B:对
答案:B
第五章测试
26.热压纳米压印技术工艺流程为（ ）。
A:反应离子刻蚀去残胶
B:热固化
C:脱模
D:压印
答案:ACD
27.便于脱模，最易实施的方法是（ ）。
A:光刻胶中添加其他物质，减小光刻胶与模板的粘附作用
B:模板内涂镀高抗粘连的材料
C:预先在基片底部涂一层粘结性好的聚合物
答案:B
28.纳米压印包括阳模压印和阴模压印，阴模压印相对容易。（ ）
A:错
B:对
答案:A
29.正坡度印模结构最适于脱模，零坡度视印模侧壁的表面粗糙度而定。 （ ）
A:对
B:错
答案:A
30.紫外光固化纳米压印一般采用透明的印模。 （ ）
A:错
B:对
答案:B
第六章测试
31.图形转移分为（ ）。
A:压印图形转移
B:沉积法图形转移
C:刻蚀法图形转移
答案:BC
32.薄膜沉积方法有（ ）等。
A:分子束外延
B:物理气相沉积
C:化学气相沉积
D:局部氧化加工
答案:ABC
33.溶脱剥离是薄膜沉积方法的目的之一。（ ）
A:对
B:错
答案:A
34.溅射法成膜质量好，而且衬底温升较低，但方向性不如热蒸发沉积。 （ ）
A:对
B:错
答案:A
35.沉积合金薄膜时，溅射法更优于热蒸发法。 （ ）
A:错
B:对
答案:B
第七章测试
36.湿法腐蚀二氧化硅的特点是（ ）。
A:各向同性
B:各向异性
答案:A
37.反应离子刻蚀是离子轰击辅助的化学反应过程，其主要过程可以概括为（ ）。
A:物理溅射
B:离子反应
C:产生自由基
D:自由基反应
答案:ABCD
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