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> TAG信息列表 > 高速缓存
相变存储器器件及其操作方法与流程
1.本公开涉及相变存储器(phase-change memory,pcm)器件及其操作方法。背景技术:2.pcm单元可以基于相变材料的电热加热和淬火而利用相变材料(例如硫属化物合金)中非晶相和结晶相电
时间:2023-03-31 热度:44℃
相变存储器器件及其操作方法与流程
1.本公开涉及相变存储器(phase-change memory,pcm)器件及其操作方法。背景技术:2.pcm单元可以基于相变材料的电热加热和淬火而利用相变材料(例如硫属化物合金)中非晶相和结晶相电
时间:2023-03-25 热度:32℃
无线通信网络中临时不可通达地带的改进处理的制作方法
1.本公开涉及即使当用户终端进入针对服务节点而言在可通达和不可通达之间变换的地带时也对用户终端维持无线通信网络中的服务。背景技术:2.第五代无线网络(5g)必须随时为任何地方的每个人提供高速率数据流。
时间:2023-03-04 热度:25℃
数据处理装置和方法与流程
1.本技术涉及计算机技术领域,具体而言,本技术涉及一种数据处理装置和方法。背景技术:2.在中央处理器(central processing unit,简称cpu)的设计中,加载使用延时(load to
时间:2022-12-25 热度:56℃
记录高速缓存一致性协议跟踪以与独立存储器值跟踪结合使用的制作方法
1.本公开涉及在记录计算上下文的可重放执行跟踪时保护敏感信息的系统、方法和设备。背景技术:2.跟踪和纠正不期望的软件行为是软件开发中的一项核心活动。不期望的软件行为可能包括许多事情,例如执行崩溃、运行
时间:2022-12-20 热度:49℃
用于存储器地址区的激活和去激活的增强的制作方法
用于存储器地址区的激活和去激活的增强1.交叉参考2.本专利申请要求由科勒拉(colella)等人在2020年11月19日提交的标题为“用于存储器地址区的激活和去激活的增强(enhancement fo
时间:2022-12-04 热度:56℃
用于复位读取干扰缓解的读取高速缓存的制作方法
1.本公开涉及用于复位读取干扰缓解的读取高速缓存。背景技术:2.本章节希望向读者介绍可与在下文描述及/或主张的本技术的各种方面有关的各种技术方面。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进更好地理解本公
时间:2022-12-04 热度:67℃
存储器装置、其操作方法及包括存储器装置的存储器系统与流程
1.本公开的实施方式涉及半导体设计技术,具体地,涉及支持高速缓存读取操作的存储器装置、该存储器装置的操作方法以及包括该存储器装置的存储器系统。背景技术:2.存储器系统是使用诸如硅(si)、锗(ge)、
时间:2022-11-28 热度:162℃
具有优化读取的非易失性存储器的制作方法
具有优化读取的非易失性存储器背景技术:1.本技术涉及非易失性存储器设备的操作。2.半导体存储器广泛用于各种电子设备,诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器
时间:2022-11-27 热度:52℃
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