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(10)申请公布号 CN 102628156 A(43)申请公布日 2012.08.08C N  102628156 A*CN102628156A*(21)申请号 201210101801.8(22)申请日 2012.04.09C23C 14/06(2006.01)C23C 14/22(2006.01)(71)申请人上海仟纳真空镀膜科技有限201107 上海市闵行区纪翟路1457

专利名称：一种防伪标签的制作方法及防伪标签专利类型：发明专利发明人：胡凯，张晓军，辛安玲玲申请号：CN201711185547.3申请日：20171123公开号：CN108130510A公开日：20180608专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种防伪标签的制作方法及一种防伪标签，防伪标签的制作方法包括：提供一种防伪标签的制作方法，包括：生成具有指定含义信息的防伪标签，并制作具有防伪标

专利名称：一种利用EB-PVD技术制备的高熵氧化物超高温热障涂层及其方法专利类型：发明专利发明人：赵晓峰，张显程，郭芳威，石俊秒，范晓慧，杨凯，王卫泽，陆体文，刘利强，孙子豪申请号：CN202111182239.1申请日：20211011公开号：CN114000107A公开日：20220201专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供一种利用EB‑PVD技术制备的高熵氧化物超高温热障涂层及其方法

溅射技术及其发展的历程1842年格洛夫（Grove）在实验室中发现了阴极溅射现象。他在研究电子管阴极腐蚀问题时，发现阴极材料迁移到真空管壁上来了。但是，真正应用于研究的溅射设备到1877年才初露端倪。迄后70年中，由于实验条件的限制，对溅射机理的认同长期处于模糊不请状态，所以，在1950年之前有关溅射薄膜特性的技术资料，多数是不可*的。19世纪中期，只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和

ZnO薄膜材料制备技术及其应用领域研究【摘　要】近几年，ZnO作为宽禁带半导体受到人们越来越多的重视。和目前最成功的宽禁带半导体材料GaN相比，ZnO具有很多优点。本文综述了ZnO薄膜的制备的主要方法及其优缺点。并深入探讨了ZnOdna探针薄膜材料的应用及其发展前景。【关键词】ZnO薄膜；应用；微电子近几年，由于短波长激光二极管 LD激光器的前景，人们对宽禁带半导体的研究产生了极大的兴趣。目前已经

薄膜晶体管的制备技术和过程（以ZnO 薄膜为例）一、薄膜的常用制备方法介绍ZnO 薄膜的制备主要有以下几种方法：射频磁控溅射、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）、脉冲激光沉积（PLD）、原子层淀积（ALD）以及溶胶-凝胶法（Sol-gel）等。下面先简单介绍后五种方法，着重介绍射频磁控溅射法。1、分子束外延法（MBE）分子束外延法（MBE）可以制备得到高质量的光电子器件

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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113461420 A(43)申请公布日 2021.10.01(21)申请号 CN202110684703.0(22)申请日 2021.06.21(71)申请人 桂林电子科技大学    地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号(72)发明人 朱归胜 龙神峰 徐华蕊 赵昀云 (74