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一种热等静压氧化铌靶材的制备方法[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610183421.1(22)申请日 2016.03.28(71)申请人 航天材料及工艺研究所地址 100076 北京市丰台区南大红门路1号申请人 中国运载火箭技术研究院(72)发明人 崔子振 谢飞 石刚 黄国基 赵鹏飞 (74)专利代理机构 中国航天科技专利中心11009代理人
时间:2024-03-23 热度:9℃
某某、某某等侵害作品署名权纠纷民事二审民事判决书裁决书
中华人民共和国民 事 判 决 书***********上诉人(原审被告):**********。住所地:******兴业街与火炬路交叉口西北角。法定代表人:***。委托诉讼代理人:***,*********律师。被上诉人(原审原告):***,*,**********出生,**,住*******。委托诉讼代理人:***,国浩律师(***)事务所律师。原审被告:***,*,********
时间:2024-03-18 热度:12℃
一种绑定式硅旋转靶材的制备方法[发明专利]
(10)申请公布号(43)申请公布日 (21)申请号 201510139806.3(22)申请日 2015.03.27C23C 14/35(2006.01)(71)申请人天津市兆益金科科技有限300112 天津市西青区泰和都市工业园营瑞路26号(72)发明人张步晓 张宁
时间:2024-03-16 热度:10℃
一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法[发明专利]
专利名称:一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法专利类型:发明专利发明人:赵跃,吴东红,陈宇,姜广宇,金之俭申请号:CN202010751690.X申请日:20200730公开号:CN111943674A公开日:20201117专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材的制备方法,所述的大直径稀土钡铜氧化物超导靶材通过以下步骤制备获得:步骤一:将起始原料按
时间:2024-03-10 热度:15℃
旋转圆柱磁控溅射靶[发明专利]
[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101285171A [43]公开日2008年10月15日[21]申请号200710022233.1[22]申请日2007.05.10[21]申请号200710022233.1[71]申请人胜倍尔超强镀膜(苏州)有限215122江苏省苏州市工业园区跨塘镇方泾路8号A1&A2单元[72]发明人孙德恩
时间:2024-02-04 热度:15℃
一种PVD超黑涂层[发明专利]
(10)申请公布号 CN 102628156 A(43)申请公布日 2012.08.08C N 102628156 A*CN102628156A*(21)申请号 201210101801.8(22)申请日 2012.04.09C23C 14/06(2006.01)C23C 14/22(2006.01)(71)申请人上海仟纳真空镀膜科技有限201107 上海市闵行区纪翟路1457
时间:2024-01-22 热度:30℃
一种防伪标签的制作方法及防伪标签[发明专利]
专利名称:一种防伪标签的制作方法及防伪标签专利类型:发明专利发明人:胡凯,张晓军,辛安玲玲申请号:CN201711185547.3申请日:20171123公开号:CN108130510A公开日:20180608专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明公开了一种防伪标签的制作方法及一种防伪标签,防伪标签的制作方法包括:提供一种防伪标签的制作方法,包括:生成具有指定含义信息的防伪标签,并制作具有防伪标
时间:2024-01-16 热度:20℃
...的高熵氧化物超高温热障涂层及其方法[发明专利]
专利名称:一种利用EB-PVD技术制备的高熵氧化物超高温热障涂层及其方法专利类型:发明专利发明人:赵晓峰,张显程,郭芳威,石俊秒,范晓慧,杨凯,王卫泽,陆体文,刘利强,孙子豪申请号:CN202111182239.1申请日:20211011公开号:CN114000107A公开日:20220201专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明提供一种利用EB‑PVD技术制备的高熵氧化物超高温热障涂层及其方法
时间:2024-01-06 热度:13℃
溅射技术及其发展的历程
溅射技术及其发展的历程1842年格洛夫(Grove)在实验室中发现了阴极溅射现象。他在研究电子管阴极腐蚀问题时,发现阴极材料迁移到真空管壁上来了。但是,真正应用于研究的溅射设备到1877年才初露端倪。迄后70年中,由于实验条件的限制,对溅射机理的认同长期处于模糊不请状态,所以,在1950年之前有关溅射薄膜特性的技术资料,多数是不可*的。19世纪中期,只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和
时间:2023-11-07 热度:19℃
ZnO薄膜材料制备技术及其应用领域研究
ZnO薄膜材料制备技术及其应用领域研究【摘 要】近几年,ZnO作为宽禁带半导体受到人们越来越多的重视。和目前最成功的宽禁带半导体材料GaN相比,ZnO具有很多优点。本文综述了ZnO薄膜的制备的主要方法及其优缺点。并深入探讨了ZnOdna探针薄膜材料的应用及其发展前景。【关键词】ZnO薄膜;应用;微电子近几年,由于短波长激光二极管 LD激光器的前景,人们对宽禁带半导体的研究产生了极大的兴趣。目前已经
时间:2023-10-05 热度:19℃
薄膜晶体管的制备技术和过程
薄膜晶体管的制备技术和过程(以ZnO 薄膜为例)一、薄膜的常用制备方法介绍ZnO 薄膜的制备主要有以下几种方法:射频磁控溅射、分子束外延(MBE)、金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层淀积(ALD)以及溶胶-凝胶法(Sol-gel)等。下面先简单介绍后五种方法,着重介绍射频磁控溅射法。1、分子束外延法(MBE)分子束外延法(MBE)可以制备得到高质量的光电子器件
时间:2023-10-05 热度:15℃
XRD 基本原理
一文看懂XRD基本原理(必收藏)XRD全称X射线衍射(X-Ray Diffraction),利用X射线在晶体中的衍射现象来获得衍射后X射线信号特征,经过处理得到衍射图谱。利用谱图信息不仅可以实现常规显微镜的确定物相,并拥有“透视眼”来看晶体内部是否存在缺陷(位错)和晶格缺陷等,下面就让咱们来简要的了解下XRD的原理及应用和分析方法,下面先从XRD原理学习开始。1X射线衍射仪的基本构造三中全会决定X
时间:2023-10-04 热度:10℃
XRD-基本原理
一文看懂XRD基本原理(必收藏)乡间小路带我回家XRD全称X射线衍射(X-Ray Diffraction),利用X射线在晶体中的衍射现象来获得衍射后X射线信号特征,经过处理得到衍射图谱。利用谱图信息不仅可以实现常规显微镜的确定物相,并拥有“透视眼”来看晶体内部是否存在缺陷(位错)和晶格缺陷等,下面就让咱们来简要的了解下XRD的原理及应用和分析方法,下面先从XRD原理学习开始。1X射线衍射仪的基本构
时间:2023-10-04 热度:9℃
旋转圆柱磁控溅射靶[发明专利]
[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101285171A [43]公开日2008年10月15日[21]申请号200710022233.1[22]申请日2007.05.10[21]申请号200710022233.1[71]申请人胜倍尔超强镀膜(苏州)有限215122江苏省苏州市工业园区跨塘镇方泾路8号A1&A2单元[72]发明人孙德恩
时间:2024-05-29 热度:5℃
一种高密度ITO靶材的制备方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113461420 A(43)申请公布日 2021.10.01(21)申请号 CN202110684703.0(22)申请日 2021.06.21(71)申请人 桂林电子科技大学 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号(72)发明人 朱归胜 龙神峰 徐华蕊 赵昀云 (74
时间:2024-05-29 热度:4℃
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