环路振荡器环形振荡器定义：三个非门或更多奇数个非门输出端和输入端首尾相接，构成环状。以三个非门为例，即非门A输出端连接到非门B输入端，非门B输出端连接到非门C输入端，非门C输出端到连接非门A输入端，在其中任何一个连接的位置都可以引出输出信号。原理：以三个非门为例，假定某一时刻T0，非门A输入端变为高电平，则非门A输出端（非门B输入端）在非门延迟时间ΔT 后（T=T0+ΔT）变为低电平，T=T0+2

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种读写电路、读写方法和存储器。背景技术：2.动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram）是一种半导体存储器，主要的作

1.本发明涉及三维相变存储器技术领域，特别是涉及一种三维相变存储器高可靠写电路。背景技术：2.三维相变存储器是一种高密度新型存储器，在保留传统相变存储器优点的同时，进一步提高了存储密度。但三维相变存储

1.本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种应用于低功耗芯片的修调电路。背景技术：2.在集成电路设计中，由于设计工艺的偏差，往往会造成参数精度不够，甚至超出了规格书的范围，这就需要对参数进行修调

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及锁存电路、显示驱动电路及显示设备。背景技术：2.现有技术中，在对显示装置中的像素阵列中的每一行或每一列所对应像素进行刷新时，通常需要对像素阵列中的每一行或每一列像

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及锁存电路、显示驱动电路及显示设备。背景技术：2.现有技术中，在对显示装置中的像素阵列中的每一行或每一列所对应像素进行刷新时，通常需要对像素阵列中的每一行或每一列像

1.本公开的实施例涉及集成电路技术领域，具体地，涉及单稳态电路。背景技术：2.one-shot电路(单稳态电路)被广泛应用于脉冲整形，延时(产生滞后于触发脉冲的输出脉冲)以及定时(产生固定时间宽度的脉

1.本实用新型涉及软启动电路技术领域，特别涉及一种容易调整输出占空比的软启动电路。背景技术：2.现有的软启动电路存在一定不足，不不安于调整输出占空比。技术实现要素：3.针对现有技术中的上述不足，本实用

1.本发明涉及一种具有回读功能的寄存器，属于集成电路技术领域。背景技术：2.fpga中文名字是现场可编程门阵列，是一种通用集成电路，与cpu，dsp一起并称为3大通用信号处理芯片。其通用性的实现方式为

1.本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种异步仲裁电路、异步仲裁方法及异步仲裁器。背景技术：2.仲裁器是通信体系结构中的重要组成部分，在片上网络(network on chip，noc)系统、多核系统以

1.本技术涉及电子电路技术领域，特别涉及一种开盖自动开机电路、装置及电子设备。背景技术：2.笔记本电脑的发展趋势是，体积越来越小，重量越来越轻，而功能越来越强大。现有的笔记本电脑中，合盖时系统进入待机

一种减少纹波的pump电路、非易失性存储器技术领域1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种减少纹波的pump电路、非易失性存储器。背景技术：2.现有的非易失性存储器在对存储器中的数据进行读取操作时，

1.本发明涉及存内计算技术领域，特别是涉及一种分布式位线补偿数模混合存内计算阵列。背景技术：2.近年来，人工智能(ai)对高能效计算系统的需求日益增长，包括边缘智能及其应用，冯诺依曼体系结构广泛用于支

一种适用于sram的低功耗电路技术领域1.本实用新型涉及sram电路，具体涉及一种适用于sram的低功耗电路。背景技术：2.sram(static random access memory)静态随机存

1.本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种电源控制装置及其控制方法。背景技术：2.在dram存储器设计中，随着存储器芯片的特征尺寸越来越小，芯片对功耗的要求也越来越高，由于存储器芯片中存储电容漏电，必