专利名称：在半导体制造工艺中形成低K电介质的方法专利类型：发明专利发明人：詹姆斯·N·杜甘，莱斯利·A·斯密斯申请号：CN200480029071.9申请日：20040730公开号：CN1864251A公开日：20061115专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种低K电介质复合层(26，28)，由低K阻挡层(26)和阻挡层(26)上的低K电介质层(28)形成。采用氧等离子体处理阻挡层(26)以使表

专利名称：用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺专利类型：发明专利发明人：周继承，石之杰，郑旭强，刘福，黄迪辉申请号：CN200910043000.9申请日：20090331公开号：CN101515580A公开日：20090826专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101397481A [43]公开日2009年4月1日[21]申请号200810149126.X [22]申请日2008.09.12[21]申请号200810149126.X[30]优先权[32]2007.09.25 [33]JP [31]2007－247958[71]申请人富士胶片株式会社地址日本国东京都[72

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.04.16C N  103730550A (21)申请号 201410006643.7(22)申请日 2014.01.07H01L 33/00(2010.01)H01L 33/14(2010.01)(71)申请人聚灿光电科技（苏州）有限215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号(72)发明人李忠武  魏天使 

专利名称：在半导体制造工艺中形成低K电介质的方法专利类型：发明专利发明人：詹姆斯·N·杜甘，莱斯利·A·斯密斯申请号：CN200480029071.9申请日：20040730公开号：CN1864251A公开日：20061115专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种低K电介质复合层(26，28)，由低K阻挡层(26)和阻挡层(26)上的低K电介质层(28)形成。采用氧等离子体处理阻挡层(26)以使表

专利名称：选择性导电阻挡层形成专利类型：发明专利发明人：J·J·徐,J·J·朱,C·F·耶普申请号：CN201580009551.7申请日：20150219公开号：CN106030792A公开日：20161012专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种半导体器件包括具有将第一互连层(110)耦合至沟槽(302)的通孔(304)的管芯。该半导体器件还包括在沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在通孔的侧壁上的阻挡

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113565274 A(43)申请公布日 2021.10.29(21)申请号 CN202110827386.3(22)申请日 2021.07.21(71)申请人 山东京博控股集团有限公司    地址 256500 山东省滨州市博兴县经济开发区(72)发明人 马韵升 赵立秋 马英鹏 赵青松 慕永佳

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.04.16C N  103730550A (21)申请号 201410006643.7(22)申请日 2014.01.07H01L 33/00(2010.01)H01L 33/14(2010.01)(71)申请人聚灿光电科技（苏州）有限215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号(72)发明人李忠武  魏天使 

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.04.16C N  103730550A (21)申请号 201410006643.7(22)申请日 2014.01.07H01L 33/00(2010.01)H01L 33/14(2010.01)(71)申请人聚灿光电科技（苏州）有限215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号(72)发明人李忠武  魏天使 

薄膜测量：椭圆偏振光谱仪成为制作工业用薄膜的关键工具作者：Eric Teboul 中央军过去十年，人们对纳米薄膜属性的研究兴趣与日俱增。将薄膜的厚度减小到100纳米以内导致了材料的光学属性和物理尺寸之间强烈的相互作用。结合这种趋势，当前大部分研发活动将重点放在使用具有复杂光学属性的柔性聚合物材料。一种薄膜测量技术——椭圆偏振光谱法（SE） 图1.利用椭圆偏振法测量在电磁场的入射面(p或TM)和垂直

　1.双嵌入式铜互连工艺  随着芯片集成度的不断提高，铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术。作为铝的替代物，铜导线可以降低互连阻抗，降低功耗和成本，提高芯片的集成度、器件密度和时钟频率。  由于对铜的刻蚀非常困难，因此铜互连采用双嵌入式工艺，又称双大马士革工艺（Dual Damascene），1）首先沉积一层薄的氮化硅（Si3N4）作为扩散阻挡层和刻蚀终止层，2

PN结的击穿特性：大型众性活动安全管理条例步菲烟当反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加，这种现象称为PN结的击穿，反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压，如上图所示， PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种。1、雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电 子—空穴对新