(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910322520.7(22)申请日 2019.04.22(71)申请人 南京邮电大学地址 210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号(72)发明人 王钰琪　王东宇　徐威　陈义豪　梁定康　童祎　(74)专利代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224代理人 董建林(51

63电子元件与材料电子技术Electronic Technology电子技术与软件工程Electronic Technology & Software Engineering1 介绍1971年，美籍华裔科学家蔡少堂首次提出电路元件忆阻器的概念，它被认为是继电阻，电容，电感之后的第四个基本电路元件。然而，HP 实验室直到2008年才实现了第一个实用的忆阻器—TiO 2，从而确认了忆阻器的存在

40 科学中国人  2021年1月创新之路Way of Innovation探索记忆电阻 创新人工智能黑止血钳——记北京大学信息科学技术学院微纳电子学研究院助理研究员黄鹏　倪海波阿里达摩院在2020年1月发布了《2020十大科技趋势》报告，其中第二大趋势为“计算存储一体化突破A I算力瓶颈”。报告指出：“数据存储单元和计算单元融为一体，能显著减少数据搬运，极大提高计算并行度和能效。计算

专利名称：基于氮化物的忆阻器谢希德专利类型：发明专利护理学基础精品课程发明人：J.杨,G.M.里贝罗,R.S.威廉斯申请号：CN201180073607.7申请日：20110803稀土永磁三步上篮是哪种球类项目的动作公开号：CN103797573A公开日：20140514波斯王子男主角专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种基于氮化物的忆阻器，忆阻器包括：包括第一氮化物材料的第一电极；包括第二氮化物

40 科学中国人  2021年1月创新之路Way of Innovation探索记忆电阻 创新人工智能——记北京大学信息科学技术学院微纳电子学研究院助理研究员黄鹏　倪海波阿里达摩院在2020年1月发布了《2020十大科技趋势》报告，其中第二大趋势为“计算存储一体化突破A I算力瓶颈”。报告指出：“数据存储单元和计算单元融为一体，能显著减少数据搬运，极大提高计算并行度和能效。计算存储一体化

专利名称：一种二值型忆阻器电路仿真器专利类型：发明专利发明人：梁燕，卢振洲，杨柳，王永慧，赵晓梅申请号：CN201910904410.1申请日：20190924公开号：CN110765718A公开日：20200207专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种二值型忆阻器电路仿真器，本发明采用运算放大器、电流传输器、乘法器、电阻和电容组成的二值型忆阻器电路仿真器，通过选择积分电路参数来适应不

㊀基金项目：国家重点研究发展计划(2017YFB 0406400)；国家自然科学基金(51772044,51602039,U 1435208)收稿日期:2020-01-06㊀㊀㊀通信作者：帅垚作者简介：帅垚(1983-)，男，四川乐山人，副教授，博士，研究方向为氧化物薄膜阻变效应，热释电单元与线列器件;梁翔(1993-)，男，四川峨眉山人，研究生，研究方向为基于单晶薄膜忆阻器的STDP 特性㊂第3

基于BaTiO3纳米复合薄膜的铁电忆阻器及神经突触仿生研究阿米什人摘要：铁电忆阻器作为一种新型的记忆材料，在神经网络应用中具有广阔的应用前景。本文基于BaTiO3纳米复合薄膜的性能，设计并制备了具有铁电忆阻特性的器件。通过研究器件的电学性能、热学特性和结构特征，分析了改善器件电学特性的关键因素。通过搭建仿生神经网络模型，研究了铁电忆阻器在神经突触中的仿生应用。实验结果表明，基于BaTiO3纳米复合

专利名称：基于忆阻器阵列的PageRank算法硬件电路实现方法专利类型：发明专利发明人：程泽智，赵洪霄，韩础均，国洪轩申请号：CN202210331235.3申请日：20220330公开号：CN114664350A公开日：20220624专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种基于忆阻器阵列的PageRank算法硬件电路实现方法。该方法包括：设置忆阻器阵列各忆阻单元电导值，将对应于网站链

专利名称：一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用专利类型：发明专利发明人：张磊，汪炼成，司佳威，肖灿城申请号：CN202010611824.8申请日：20200630公开号：CN111725401A公开日：20200929专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬

功能氧化物忆阻器特性调控及电路仿真    功能氧化物忆阻器特性调控及电路仿真    近年来，功能氧化物忆阻器作为一类具有忆阻特性的材料，引起了广泛的研究兴趣。功能氧化物忆阻器是指那些能够在外加电场或电流的作用下发生忆阻效应的氧化物材料。它们具有多种应用潜力，如非易失性存储器、模拟器件、神经元仿真器件等。本文将探讨功能氧化物忆阻器的特性调控以及相应的电路仿真问

基于共价有机框架（COF）薄膜的忆阻器及其制备方法与流程cof共价有机框架（COF）是由有机分子与金属或有机配体之间相互作用形成的多孔的三维化合物结构，在电子器件领域中具有潜在的应用前景。COF薄膜作为一种新型材料，在半导体器件和存储器领域中具有广泛的应用前景。其中，基于COF薄膜的忆阻器作为一种新型存储器件，其具有高密度、低功耗、快速写入、长寿命等优势，引起了科学家们的极大兴趣。本文将简要介绍忆

4.4 变阻器一、填空题1．滑动变阻器是通过改变接入电路中电阻丝的来改变电阻大小的，其符号为_______．2．滑动变阻器铭牌上标有“10Ω  2 A"的字样，表示的意思是_____________________.将此滑动变阻器连入电路（如图所示），当滑片P分别为下列情况时，确定滑动变阻器连入电路的电阻值RAB．(1)滑片P在最左端时，RAB=_______；(2)滑片P在中点时，RA

国内发展状况忆阻器的理论是于1971六氢邻苯二甲酸酐年由美国华裔科学家蔡少堂提出，并且在2008年被HP公司发现。虽说有关忆阻器的发言权在西方国家，但是无论是最新理论创新方面还是忆阻器应用方面，我国在这方面的研究并不比他们落后多少。早在上世纪九十年代（1991年），我国对气体放电灯的电压电流特性进行了深刻的研究，发现了气体放电灯的一些新性质，最后指出气体放电灯属于一种流控忆阻器，其特性不能用电路中

忆阻器数字化仿真器的设计与实现吴杰;王光义;丘嵘;司德成微服务开发【摘 要】忆阻器是一种新型记忆电阻元件,在非易失性存储器、逻辑计算电路、神经网络和非线性电路等领域中有巨大的应用潜能.目前,忆阻器尚未市场化,为了给忆阻器的研究提供一种替代仿真器,基于数字电位器,设计并实现了一种具有掉电记忆特性的忆阻器硬件仿真器电路.实验测试表明,该仿真器和忆阻器的滞回伏安特性一致,并具有真正的非易失特性,弥补了目