DIBL效应对小尺寸MOS晶体管阈值电压和亚阈值特性的影响1．MOS晶体管阈值电压阈值电压定义为沟道源端的半导体表面开始强反型所需要的栅压。根据定义，它由以下三部分组成：（1）抵消功函数差和有效界面电荷的影响所需的栅压，即平带电压Vfb；（2）产生强反型所需的表面势，即2Φf；（3）强反型时栅下表面层电荷Qs在氧化层上产生的附加电压，通常近似为-Qb(2Φf)/Cox。对于MOSFET，阈值电压表

s al es @o pt e .c o m .c n型号波长(nm)峰值功率(W)发射区面积(μm)光谱带宽（nm）阈值电流（mA）工作电流（A）封装850D1S06X 85010.5150*1  5.570012C,R,S,U,Y 905D1S03UA 905675x182007UA 905D1S03C 905675x152007C,R,S,U,Y 905D1S03R 905675

850nm垂直腔面发射激光器布拉格反射镜的优化摘要：为了降低垂直腔面发射激光器（采集程序vcsel）内部热损耗、阈值电流密度，本文利用matlab软件来仿真垂直腔面发射激光器的反射镜——分布式布拉格反射器（dbr）。同时从dbr材料的选取、构成dbr周期性对数的选择、dbr反射率对十字型钢vcsel阈值电流密度的影响三个方面对dbr进行优化设计，以此来达到降低内部热损耗、降低阈值电流密度、提升器件

DIBL效应对小尺寸MOS晶体管阈值电压和亚阈值特性的影响1．MOS晶体管阈值电压阈值电压定义为沟道源端的半导体表面开始强反型所需要的栅压。根据定义，它由以下三部分组成：（1）抵消功函数差和有效界面电荷的影响所需的栅压，即平带电压Vfb；（2）产生强反型所需的表面势，即2Φf；（3）强反型时栅下表面层电荷Qs在氧化层上产生的附加电压，通常近似为-Qb(2Φf)/Cox。对于MOSFET，阈值电压表

半导体激光器输出特性的影响因素半导体激光器是一类非常重要的激光器，在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的输出特性，并分析影响这些输出特性的主要因素。1． 波长半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的，这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)。hf=Egf(Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长