门极可关断晶闸管GTO驱动电路1.电力电子器件驱动电路简介电力电子器件的驱动电路是指主电路与控制电路之间的接口，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。驱动电路的基本任务：按控制目标的要求施加开通或关断的信号；对半控型器件只需提供开通控制信号；对全控型器件则既要提供开通

禅修学院基于GaN器件的驱动设计方案  氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。  正文  氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范，其端到端能效

14囱肛科拭2020年•第11期GCT芯片阻断电压测试介绍◊西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司乔旭王超付苗苗本文简单介绍了IGCT器件的结构、组成，提出了一种在GCT芯片工艺生产过程中阻断电压、漏电流的测试方法，在此基础上设计了测试夹具的基本结构、和测试流程。通过具体的生产实践验证了方法的可行性。1引言随着现代电气设备的更新换代，功率半导体工业得到了快速的发展。在传统的功率晶闸管器件和MOS器

什么是“死区时间”？如何减⼩IGBT的死区时间在现代⼯业中，采⽤IGBT器件的电压源逆变器应⽤越来越多。为了保证可靠的运⾏，应当避免桥臂直通。桥臂直通将产⽣不必要的额外损耗，甚⾄引起发热失控，结果可能导致器件和整个逆变器被损坏。下图画出了IGBT⼀个桥臂的典型结构。在正常运⾏时，两个IGBT将依次开通和关断。如果两个器件同时导通，则电流急剧上升，此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。图1 电压源

GaN器件的驱动设计方案c型变压器  氮化镓(GaN)是接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。  正文  氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范，其端到端能效高于当今

GaN器件的驱动设计方案  氮化镓(GaN)是接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。  正文  氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范，其端到端能效高于当今的硅基方案