(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114433283 A(43)申请公布日 2022.05.06(21)申请号 CN202111582018.3(22)申请日 2021.12.22(71)申请人 浙江东尼电子股份有限公司    地址 313000 浙江省湖州市吴兴区织里镇利济东路555号(72)发明人 沈晓宇 郁思烨 叶国伟 肯

硬质点指的就是碳化硅，硬质点片即所谓的线痕片。来源2个方面1）硅材料的含碳量高2）炉子的热场碳的挥发个人理解：多晶锭中的硬质点主要为SIC和Si3N4杂质，主要聚集在顶部10 mm范围内；硅锭内部的硬质点为SiC。一般来说，多晶硅锭中多少都会有点硬质夹杂，我们铸锭的主要目的就是减小SiC硬质点的数量和大小，主要是不影响切片就行。除了对原料进行控制之外，转述他人的一些解决方法：1)在装料后执行严格的

时代农机TIMES AGRICULTURAL MACHINERY2020年第3期第47卷第3期Vol.47No.32020年3月Mar.2020超导横向磁场在大尺寸半导体级单晶硅长晶中的应用穆童（南京晶升能源设备制造有限公司，江苏南京210000）摘要：随着半导体行业的发展，传统的Cusp 磁场（勾型磁场）由于其耗能大，磁场强度低（<1000GS ）等特点，难以适用于大尺寸晶体的长晶需求。超

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