专利名称：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法专利类型：发明专利发明人：井立强，苏海娇，付宏刚申请号：CN200810064977.4申请日：20080723公开号：CN101318708A公开日：20081210专利内容由知识产权出版社提供摘要：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法，它涉及一种纳米铁酸镧的合成方法。本发明解决了现有铁酸镧的比表面积低的问题。一、La(N

专利名称：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法专利类型：发明专利发明人：井立强，苏海娇，付宏刚申请号：CN200810064977.4申请日：20080723公开号：CN101318708A公开日：20081210专利内容由知识产权出版社提供摘要：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法，它涉及一种纳米铁酸镧的合成方法。本发明解决了现有铁酸镧的比表面积低的问题。一、La(N

专利名称：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法专利类型：发明专利发明人：井立强，苏海娇，付宏刚申请号：CN200810064977.4申请日：20080723公开号：CN101318708A公开日：20081210专利内容由知识产权出版社提供摘要：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法，它涉及一种纳米铁酸镧的合成方法。本发明解决了现有铁酸镧的比表面积低的问题。一、La(N

专利名称：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法专利类型：发明专利发明人：井立强，苏海娇，付宏刚申请号：CN200810064977.4申请日：20080723公开号：CN101318708A公开日：20081210专利内容由知识产权出版社提供摘要：以介孔二氧化硅为模板合成高比表面积纳米铁酸镧的方法，它涉及一种纳米铁酸镧的合成方法。本发明解决了现有铁酸镧的比表面积低的问题。一、La(N