(一) 砷化鎵元件製造概況：          1. 砷化鎵元件的特性GaAs化合物所製做之半導體元件，由於其電子遷移速度為矽元素的五倍，且具有功率高、耗電量小及不失真的特性，因此在高頻元件的製造上，遠比矽元素合適，故近來高頻無線( IC )元件的生產， 多採用砷化鎵的技術模式。         

2023年12月27日发(作者：heads) DCON Utility 使用手冊 2006 年六月出版 版本編號 1.1 ICP DAS, Co., LTD DCON Utility 使用手冊 版本編號 V1.1 ----- 1 章節目錄 第一章. 簡介..............................