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  • 制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法及还原炉
    (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114212794 A(43)申请公布日 2022.03.22(21)申请号 CN202111661099.6(22)申请日 2021.12.30(71)申请人 新疆大全新能源股份有限公司    地址 832000 新疆维吾尔自治区石河子经济开发区化工新材料产业园纬六路16号(72)发明人 杨涛
    时间:2024-01-15  热度:14℃
  • 内热式-多热源-电热法金属镁还原炉[实用新型专利]
    专利名称:内热式-多热源-电热法金属镁还原炉专利类型:实用新型专利发明人:王晓刚申请号:CN200620136021.7申请日:20061026公开号:CN200964433Y公开日:20071024专利内容由知识产权出版社提供摘要:本实用新型提供了一种内热式-多热源-电热法金属镁还原炉,包括立式真空炉体,炉体内设有反应仓和热渣仓,热渣仓下方设有冷渣仓,炉体进料口上部设有进料、贮料仓,进料仓与贮料
    时间:2024-05-28  热度:4℃
  • 一种还原炉控制方法及系统[发明专利]
    (10)申请公布号(43)申请公布日              (21)申请号 201510424673.4(22)申请日 2015.07.17F27D 19/00(2006.01)(71)申请人新特能源股份有限830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区(新市区)甘泉堡高新技术产业园(72)发明人张
    时间:2024-03-04  热度:7℃
  • 制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法及还原炉
    (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114212794 A(43)申请公布日 2022.03.22(21)申请号 CN202111661099.6(22)申请日 2021.12.30(71)申请人 新疆大全新能源股份有限公司    地址 832000 新疆维吾尔自治区石河子经济开发区化工新材料产业园纬六路16号(72)发明人 杨涛
    时间:2024-01-18  热度:12℃
  • 制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法及还原炉
    (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114212794 A(43)申请公布日 2022.03.22(21)申请号 CN202111661099.6(22)申请日 2021.12.30(71)申请人 新疆大全新能源股份有限公司    地址 832000 新疆维吾尔自治区石河子经济开发区化工新材料产业园纬六路16号(72)发明人 杨涛
    时间:2024-01-09  热度:9℃
  • 钢铁工业酸洗废弃盐酸循环利用并回收纳米铁粉及一氧化碳的方法[
    专利名称:钢铁工业酸洗废弃盐酸循环利用并回收纳米铁粉及一氧化碳的方法专利类型:发明专利电桥平衡加权发明人:卢玉柱申请号:CN200610016272.6牙科材料申请日:20061025公开号:CN1974853A大明宫词导演公开日:复合材料学报20070606四川的眼泪专利内容由知识产权出版社提供摘要:将钢铁工业酸洗废弃盐酸用耐酸滤布,过滤去除废液中的杂质收集滤液备用。将工业草酸以,废酸∶草酸4∶
    时间:2023-08-17  热度:16℃
  • 改良西门子法多晶硅生产工艺关键设备
    电加热棒改良西门子法多晶硅生产工艺关键设备郭丹;王恩俊;武锦涛;王泽武;银建中【摘 要】随着人们对太阳能资源的开发和深入研究,作为其原材料供给的多晶硅行业也得到迅猛发展。在对多晶硅生产工艺改进的同时,其生产设备也得到相应的改进和更新。就改良西门子法多晶硅生产过程中的不同工序和不同工艺的主要生产设备进行探讨,比较其优缺点,并介绍相应的改进方法以获得更优的生产效率。%Along with develo
    时间:2023-12-05  热度:15℃
  • 多晶硅还原炉电气系统的设计和应用
    多晶硅还原炉电气系统的设计和应用一.综述多晶硅还原炉电气系统的主要设备是大功率调压器。调压器所带负载是多晶硅棒串联而成的纯电阻负载。调压器的作用实际上是对负载电阻进行电加热,并且保持硅棒表面温度恒定(一般1080℃)。硅棒串联而成的电阻是一个变化的电阻:第一,硅棒温度从常温上升到1000℃,Φ8直径硅芯电阻从几百kΩ下降到几十Ω;第二,保持硅棒表面温度1080℃,硅棒直径从Φ8增加到Φ150,硅棒
    时间:2023-12-05  热度:14℃
  • 各种常用材料的密度对照表-(最新版)
    常用材料密度序号材料名称密度(g/cm3)备注1空气(20℃)2空气(20℃)3空气(20℃)4软木5软木6软木7泡沫塑料8泡沫塑料9泡沫塑料10泥煤序号材料名称密度(g/cm3)备注11泥煤12泥煤13工业用毛毡14工业用毛毡15工业用毛毡16木炭17木炭18木炭19焦炭20焦炭序号材料名称密度(g/cm3)备注21焦炭22烟煤粉23烟煤粉24烟煤粉25木材26木材27木材28皮革多功能按摩垫2
    时间:2023-11-21  热度:17℃
  • 多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉[实用新型专利]
    专利名称:多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉专利类型:实用新型专利发明人:李宇辰,马辉,胡西军,吉红平,王琳,施光明,郭光伟,李勇明,童占忠,祁永双,韩玲,王秀菊申请号:CN202123024414.2铝合金切削液配方申请日:20211202公开号:CN216512891U弹簧包公开日:硅棒20220513专利内容由知识产权出版社提供摘要:本申请提供一种多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉,多晶
    时间:2023-11-17  热度:13℃
  • 一种48对棒多晶硅还原炉[实用新型专利]
    专利名称:一种48对棒多晶硅还原炉专利类型:实用新型专利发明人:蔺彦东,崔学伟,刘晓,黄锦,胡崇刚,李永明申请号:CN202123067048.9申请日:20211208市政隔离栏公开号:CN216377501U公开日:相册内页逐步追踪20220426专利内容由知识产权出版社提供无水厕所摘要:本实用新型公开了一种48对棒多晶硅还原炉,多个所述硅棒呈依次12、18、24、36个排布,所述还原炉的内壁
    时间:2023-11-17  热度:24℃
  • 多晶硅的生产工艺图及车间工艺培训21页
    还原氢化工序工艺讲义第一节  工序划分及主要设备一、三氯氢硅还原的工序划分单元号工序名称T1100/T1101三氯氢硅(TCS)蒸发T1200/T1201四氯化硅(STC)蒸发高频淬火工艺T100/T101还原T200/T201氢化T300硅芯拉制T400硅芯腐蚀T500破碎、分级T600超纯水制取T700实验室(分析检测中心)音箱制作T800/801钟罩清洗T900冷却水循环系统T10
    时间:2023-11-17  热度:14℃
  • 我国改良西门子法多晶硅生产的发展现状
    我国改良西门子法的发展现状在能耗方面,我国先进的企业已经达到生产每千克多晶硅综合耗电60~80kW·h/kg的世界先进指标,摘掉了多晶硅生产“高能耗”的帽子。企业通过技术引进和自主创新,以成熟运行的氢化技术解决副产物处理问题,实现了物料的循环利用,环保排放达标。在规模化经营方面,江苏中能、新特能源、洛阳中硅、大全新能源、亚洲硅业、四川永祥等多个企业产能已达万吨以上;在成本方面,大全新能源已经控制在
    时间:2023-11-17  热度:45℃
  • 多晶硅还原炉接地故障预防措施
    直线度测量多晶硅还原炉接地故障预防措施摘 要:高纯三氯氢硅与氢气在还原炉内反应生成硅为改良西门子法生产多晶硅的关键步骤,还原炉运行情况对多晶硅的质量、产量及设备本体有极大的影响。接地故障是还原炉非正常停炉的常见原因。文章分析、总结接地故障发生的原因并提出相应预防措施。关键词:多晶硅 还原炉 接地故障多晶硅是光伏产业与半导体行业的基础材料,随着光伏行业快速发展,多晶硅的需求量也日益增大。目前,我国的
    时间:2023-11-17  热度:18℃
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