(10)申请公布号 CN 102834546 A(43)申请公布日 2012.12.19C N  102834546 A*CN102834546A*(21)申请号 201180019365.3(22)申请日 2011.04.1461/324,909 2010.04.16 USC23C 16/24(2006.01)C23C 16/455(2006.01)(71)申请人欧瑞康太阳能股份公司（

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920412685.9(22)申请日 2019.03.28(73)专利权人 佛山科学技术学院地址 528000 广东省佛山市南海区狮山镇仙溪水库西路佛山科学技术学院(72)发明人 黄家瀚　丁东红　卢清华　张文灿　(74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205代理人

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114496690 A(43)申请公布日 2022.05.13(21)申请号 CN202011167677.6(22)申请日 2020.10.27(71)申请人 中微半导体设备(上海)股份有限公司    地址 200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号(72)发明人 段蛟

专利名称：运动传感器的结构和方法专利类型：发明专利发明人：徐家保，戴文川，洪嘉明，陈相甫申请号：CN201210281583.0申请日：20120808公开号：CN102951595A公开日：20130306专利内容由知识产权出版社提供摘要：本公开内容提供了运动传感器结构的一个实施例。运动传感器结构包括：第一衬底，具有形成在其上的集成电路；第二衬底，通过第一表面与第一衬底接合，其中，第二衬底包括形

专利名称：制备硅质膜的方法以及带有由该方法制备的硅质膜的衬底专利类型：发明专利发明人：石川智规，中熊映乃申请号：CN200780001888.9申请日：20070117公开号：CN101366103A公开日：20090211专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明的目的在于提供一种制备硅质膜的方法以及带有由该方法制备的硅质膜的衬底。该硅质膜的品质均匀，无关位置并无关在凹槽的内部还是外部，并且在凹槽

(10)申请公布号 CN 102292807 A(43)申请公布日 2011.12.21C N  102292807 A*CN102292807A*(21)申请号 201080005564.4(22)申请日 2010.01.262009-016283 2009.01.28 JP2009-271597 2009.11.30 JP2009-282872 2009.12.14 JPH01L 2

专利名称：超导单晶膜的水热制备方法及其产品专利类型：发明专利发明人：董晓莉，刘少博，马晟，周放，赵忠贤申请号：CN202010489858.4申请日：20200602公开号：CN111607826A公开日：20200901专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种超导单晶膜的制备方法，所述方法为水热法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将反应物和去离子水，装入可封闭加热容器中，拌混合充分，并

专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置专利类型：发明专利发明人：赵猛申请号：CN201710058812.5申请日：20170123公开号：CN108346689A公开日：20180731专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有隔离结构；在所述半导体衬底中形成第一导电类型的源极和漏极，其中，所述源极和所

专利名称：复合衬底专利类型：发明专利发明人：M·舒尔,M·S·沙塔拉维,A·杜博尔因斯基,R·加斯卡申请号：CN201510170384.6申请日：20150410公开号：CN104979440A公开日：20151014专利内容由知识产权出版社提供摘要：提供了配置用于其上的半导体层的外延生长的复合衬底。复合衬底包括由具有不同热膨胀系数的不同材料制成的多个衬底层。半导体层的材料的热膨胀系数可以在衬底

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210186086.6(22)申请日 2022.02.28(71)申请人 郑州航空工业管理学院地址 450015 河南省郑州市二七区大学中路2号(72)发明人 许坤　赵俊贤　王沛　王皓　吕思远　叶志豪　曾凡光　杜银霄　陈雷明　(74)专利代理机构 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120专

产品介绍：透明玻璃加热养生壶特点：1、 耐高温高硼硅玻璃壶体，食品不与任何金属接触，避免二次污染。2、 热源工作温度底，使用中无明火，产品绝缘性能好，不会发生触电事故。3、 底部整体加热均匀，透明美观。4、 有2档功率选择，可以慢火加热。5、 重力保护开关设计有弹簧顶起装置， 当水壶装水达到一定重量，水壶下压电源连接铜片触点粘合，电源接通，当水壶缺水到一定重量，弹簧顶起水壶，电源断开。材质分析：1

专利名称：半导体衬底表面分析的预处理方法和装置专利类型：发明专利发明人：渡边香里申请号：CN98117901.0申请日：19980903公开号：CN1211730A公开日：19990324专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种半导体衬底表面分析的预处理装置，具有保持分解/回收液的衬底处理部分，所述分解/回收液要与经表面分析的衬底的整个表面接触；保持要进行表面分析的衬底并将要进行表面分析的衬底在衬底

专利名称：一种半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利发明人：刘峻，鞠韶复申请号：CN202011446820.5申请日：20201209公开号：CN112582408A公开日：20210330专利内容由知识产权出版社提供摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底和设置在衬底上的第一器件和第二器件；第一器件包括第一栅极、第一源漏区和位于第一栅极横向两侧的第一间隔单元；第一源漏

专利名称：光伏器件专利类型：发明专利发明人：角村泰史，大钟章义，马场俊明申请号：CN201280070921.4申请日：20120302公开号：CN104145344A公开日：20141112专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明的光伏器件(100)具备结晶类半导体的衬底(10)和形成在衬底(10)的主面上的第一非晶层(12a)，在衬底(10)与第一非晶层(12a)的界面中，具有从与衬底(10)

专利名称：半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法专利类型：发明专利发明人：季华，陈国庆申请号：CN200410066298.2申请日：20040910公开号：CN1747136A公开日：20060315专利内容由知识产权出版社提供摘要：半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)淀积多晶硅层；(4)