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  • 一种基于IEEE标准Chiplet电路测试方法[发明专利]
    (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202110233827.7(22)申请日 2021.03.03(71)申请人 南京邮电大学地址 210023 江苏省南京市栖霞区亚东新城文苑路9号(72)发明人 蔡志匡 王运波 宋健 周国鹏 王子轩 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限公司 32243代理人 王素琴(51)I
    时间:2024-05-29  热度:5℃
  • 一种芯粒抓取装置及其抓取方法[发明专利]
    专利名称:一种芯粒抓取装置及其抓取方法专利类型:发明专利发明人:魏家举,杨硕,陈春阳,许原豪,余力丞,罗全申请号:CN201510601848.4申请日:20150921公开号:CN105324022A公开日:20160210专利内容由知识产权出版社提供摘要:一种芯粒抓取装置及其抓取方法,用于LED芯粒的分选工艺,采用耐高温膜代替现有普通蓝膜,增加顶针加热器,提供顶针稳定的加热源,结合平面顶端的顶
    时间:2024-03-05  热度:7℃
  • GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析
    双导程蜗杆GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析发表时间:2019-08-27T14:48:23.153Z  来源:《当代电力文化》2019年第7期作者:尹斌[导读] GaN基LED正在逐渐取代传统光源在通用照明、液晶显示器背光源等领域的应用。天津三安光电有限公司,天津 300384摘要:随着氮化镓(GaN)基发光二极管的效率、亮度、寿命等参数的进一步提升和成本的持续下降,GaN基
    时间:2023-08-24  热度:13℃
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