(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114154386 A(43)申请公布日 2022.03.08(21)申请号 CN202010927456.8(22)申请日 2020.09.07(71)申请人 联华电子股份有限公司    地址 新竹市(72)发明人 洪世芳 (74)专利代理机构 11105 北京市柳沈律师事务所&nbs

专利名称：一种芯片转换板及其制造方法专利类型：发明专利发明人：邱碧辉，罗雄科申请号：CN201810845151.5申请日：20180727公开号：CN108695295A公开日：20181023专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种芯片转换板及其制造方法，该芯片转换板包括：板本体，所述板本体的第一面设置有多个和芯片引脚对应的第一焊盘，所述板本体的第二面设置有多个第二焊盘，所述第一焊盘

CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。现在对于一般的wafer工艺，很多公司多吧CP给省了；减少成本。ＣＰ　对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试而ＦＴ　则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。ＣＰ　Ｐａｓｓ　才会去封装。然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（

产业聚焦23ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD      2021.3游园惊梦 影评电子产品世界美光专家对176层NAND的解答迎 九 （《电子产品世界》编辑）辉县市教育局2020年11月，美光科技宣布出货全球首款176层 NAND ，实现闪存性能和密度的重大突破（如图1）。为此，《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 112853496 A(43)申请公布日 2021.05.28高纯球形硅微粉(21)申请号 CN201911100571.1(22)申请日 2019.11.12(71)申请人 洛阳阿特斯光伏科技有限公司    地址 节能装置471023 河南省洛阳市洛龙科技园关林大道10号(72)发明人 李煜燚

CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。现在对于一般的wafer工艺，很多公司多吧CP给省了；减少成本。ＣＰ　对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试而ＦＴ　则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。ＣＰ　Ｐａｓｓ　才会去封装。然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（

芯片良率预测方法、装置及计算机可读存储介质与流程随着全球化的趋势以及消费市场对更小、更快、更低功耗的需求，半导体行业成为了崛起的行业之一、在半导体制造过程中，达到较高的芯片良率是至关重要的，因为许多工艺步骤和材料都切实影响芯片的质量和成本。为了确保芯片生产的可靠性和效率，工程师不断努力提高芯片良率。预测芯片良率是有效的优化芯片制造过程的关键因素之一、在本文中，我们将探讨芯片良率预测方法、装置及计算

CPU制造过程和销售的那些事之二红外线加热灯经常有朋友问我：“Intel为什么不出个100核的CPU”，“AMD单核干不过Intel，怎么不堆出个巨无霸和Intel竞争呢？”。“质不够，量来凑”似乎是个好主意，顿时感觉摩尔定律有希望了，我们相关行业又可以混几年了。幻想美妙，现实残酷。CPU制程不变的情况下，堆砌内核必定造成CPU核心Die尺寸的增大，而其对于产品的良率有极大的影响。产品的良率影响到

光盘标签纸影响芯⽚可靠性设计的六⼤因素⽂︱ANN STEFFORA MUTSCHLER来源︱Semiconductor Engineering编译 |编辑部1 63现阶段，越来越多的芯⽚应⽤于安全或关键任务领域，对于芯⽚缺陷率和良率的要求越来越⾼。另⼀⽅⾯，对于企业来说，更低缺陷率和更⾼良率也是降低设计和制造成本的⼀种⽅式。冯代存⽽在初始设计中解决这些问题已经成为降低芯⽚缺陷率、提⾼良率的新⽅向。

产业聚焦23焗炉ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD      2021.3电子产品世界吊耳美光专家对176层NAND的解答迎 九 （《电子产品世界》编辑）2020年11月，美光科技宣布出货全球首款176层 NAND ，实现闪存性能和密度的重大突破（如图1）。为此，《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Ku

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CP、FT、WATCP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。钻机导管现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。CP对整片Wafer的每个Die来测试兑换频率限制而FT则对封装好的Chip来测试。CP  Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。WAT是Wafer A

产品结构GGGFFGFGFOGS　G+GG+F+FG+F(G1+F1)G+F(GF2或G+1F)G+F(ASF防曝膜)制造优势最优较优一般一般差厚度指标略厚（最薄1.03mm,薄（最薄0.925mm,较薄（最薄0.775mm,钓鱼支架较薄（最薄0.775mm,最薄（最薄0.65mm,　CG0.55+0.15 OCR+0.33 SG）CG0.55+0.125 OCA+0.25 Film-Senor)

密级★期限项目名称单向器客户名称制作人·站组投入数（PCS）不良数(PCS)良品数(PCS)良品率备注站组投入数（PCS）不良数(PCS)良品数(PCS)良品率备注·站组投入数（PCS）不良数(PCS)良品数(PCS)良品率站组投入数（PCS）不良数(PCS)良品数(PCS)良品率不良项目不良数量不良绝对比率不良相对比例不良相对比例累计不良项目不良数量不良绝对比率不良相对比例不良相对比例累计NO.

专利名称：一种用于硅片的单组份金刚线切割液专利类型：发明专利发明人：胡磊，张浩，陈珍珍，景欣欣，杜威劲申请号：CN201711118431.8中空玻璃全自动打胶机申请日：20171113公开号：CN109777588A甲基化分析丝光沸石公开日：相册加工设备20190521专利内容由知识产权出版社提供回收锡摘要：本发明公开了一种用于硅片的单组份金刚线切割液的制备方法。按重量百分比包括以下组分：具有P