背照式CMOS图像传感器专利技术综述作者：詹斯琦 王真真 李哲来源：《科学与财富》2016年第31期        摘 要：背照式CMOS图像传感器是是相对于正照式而提出的一种图像传感器。本文先简要介绍传感器光电性能的技术发展概况，并从专利文献的视角对背照式CMOS图像传感器的发展进行了统计分析，总结了与背照式CMOS图像传感器相关的国内外专利的申请趋势、主

专利名称：提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法专利类型：发明专利发明人：韩恒利，李佳，廖乃镘申请号：CN201510215780.6申请日：20150430公开号：CN104867952A公开日：20150826专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法，其创新在于：在制作硅基背照式图像传感器的过程中，采用湿法腐蚀或者干法刻蚀对背面注入层进行处理，去除背面注

CMOS图像传感器可靠性：背照式（BSI）败给前照式（FSI）的原因探究微型齿轮据麦姆斯咨询报道，CMOS图像传感器技术演进路线从前照式（FSI）、背照式（BSI）到堆栈式，背照式技术正逐渐成为中⾼端CMOS图像传感器主流技术。背照式CMOS图像传感器是把光电⼆极管放到微透镜、彩⾊滤波⽚下⾯，⽽原先的⾦属布线层则放到了光电⼆极管之后。相⽐前照式CMOS图像传感器，这种结构不仅增加了单位像素获得的光

背照式CMOS的优缺点与普通CCD传感器相比，背照式CMOS传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和预制梁晶体管的阻碍。更具体地说，它是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层“挡住了”一部分光线。如此一来，通过微透镜和彩滤镜进来的光线就可以最

背照式CMOS的‎优缺点与普通C‎C D传感器相比，‎背照式CMOS传‎感器通过向没有布‎线层的一面照射光‎线从而避免了金属‎线路和晶体管的阻‎碍。更具体地说‎，它是将光电二极‎管“放置”在了影‎像传感器芯片的最‎上层，把A/D 转‎换器及放大电路挪‎到了影像传感器芯‎片的“背面”，而‎不是像传统CMO‎S传感器一样，A‎/D转换器和放大‎电路位于光电二极‎管的上层“挡住了‎”一部分光线。‎如此一