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  • 一种平面肖特基二极管及其制备方法与流程
    1.本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种平面肖特基二极管及其制备方法。背景技术：2.sbd主要应用在低压开关电源上，其良好的低正向饱和及优良的高频特性是低压开关电源的优良器件，而终端电路需求除了
    时间：2023-03-13  热度：34℃
  • 一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法与流程
    一种准垂直结构gan肖特基二极管及其制备方法技术领域1.本发明涉及肖特基二极管技术领域，尤其涉及一种准垂直结构gan肖特基二极管及其制备方法。背景技术：2.gan是宽禁带半导体材料的一种，由于优良的电
    时间：2023-03-12  热度：27℃
  • MLCC器件可靠性快速评估方法、系统、设备及介质与流程
    mlcc器件可靠性快速评估方法、系统、设备及介质技术领域1.本发明涉及陶瓷电容器检测技术领域，尤其涉及一种mlcc器件可靠性快速评估方法、系统、设备及介质。背景技术：2.片式多层陶瓷电容器(mlcc)
    时间：2022-12-19  热度：54℃
  • 毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法与流程
    1.本发明涉及肖特基二极管技术领域，尤其涉及一种毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法。背景技术：2.毫米波是指频率在波长在毫米级的电磁波，对应频率范围是30ghz-300ghz。毫米波由于工作频率高，对
    时间：2022-12-05  热度：48℃
  • 具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法与流程
    1.本发明涉及半导体领域，更具体而言，涉及具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法。背景技术：2.半导体器件，例如碳化硅(sic)半导体器件，诸如碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，
    时间：2022-11-29  热度：49℃
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