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结电容对双向CLLC谐振变换器影响的研究
电力电子技术Power Electronics第53卷第6期2019年6月Vol.53 , No.6June 2019结电容对双向CLLC 谐振变换器影响的研究詹天霞,戴慧纯,张方禹,王正仕(浙江大学,电气工程学院,浙江杭州310027)摘要:介绍一种基于CLLC 拓扑的双向DC/DC 谐振变换器,该变换器容易受到谐振腔寄生参数的影响。此处在考虑次级结电容这一寄生参数的情况
时间:2023-08-28 热度:15℃
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss “结电容”(图3. 12)的定义适⽤于所有的FET,并不局限于VMOS,也适⽤于所有的VMOS晶体管,只是测定⽅法与标识⽅法有差异。⽽且图3. 12中的表⽰⽅法也是近似的,实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与封装之间的分布电容。Cgd在BJT(双极性晶体管)中也称为⽶勒
时间:2023-11-04 热度:38℃
p-i-n InPInGaAs光电探测器的电流及电容特性研究
文章编号:1672-8785(2021)01-0001-05p-i-n In&InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究夏少杰陈俊"(苏州大学电子信息学院,江苏苏州215006)摘要:为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化&利用Silvaco 器件仿真工具研究了 p-i-n 型InP/Ino. 53Ga 0.47As/In 0. 53Ga °. 47A s 光电探
时间:2023-08-11 热度:14℃
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