光波干涉测量结深王传庆(中国华晶电子集团公司计量处，无锡214061)  摘　要　在半导体芯片制造过程中，结深是重要的工艺参数之一。本文介绍用光波干涉法测量结深，操作简便，精度高，特别对10μm 以下的结深测量，有其独到的优越性。关键词　结深　光波干涉　干涉条纹一、前言在半导体芯片(集成电路、晶体管器件)制造过程中，结深是重要的工艺参数之一。一些生产实体在测量这项参数时，沿用的主要方法是

摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。 引言：目前，在国际环境和