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等离子切割机割嘴容易烧毁的原因有哪些?
等离⼦切割机割嘴容易烧毁的原因有哪些?等离⼦切割机割嘴容易烧毁主要原因:1、没有采⽤合理的切距。2、没有保持割炬和消耗件清洁。在割炬和消耗件上的任何脏物都会极⼤地影响等离⼦系统的功能。3、没有清除空⽓或氧⽓喷嘴上的氧化物。当选⽤空⽓或氧⽓等离⼦时,喷嘴内会沉积氧化物,这种氧化物会影响⽓流和减少消耗件的寿命。等离⼦切割机在使⽤过程中,割咀与电极是更换较频繁的消耗件。正常情况下,⼀套普通电极割咀使⽤寿
时间:2023-10-03 热度:15℃
简介ICP(电感耦合等离子体发射光谱)起源
简介ICP(电感耦合等离⼦体发射光谱)起源前⾔现代分析仪器中,对于溶剂中⾦属的分析⽐较普遍的应⽤是采⽤电感耦合等离⼦体发射光谱法(ICP),或者是电感耦合等离⼦体质谱法(ICP-MS),并逐渐取代了传统的原⼦吸收(AA),概因发射光谱法技术灵敏度⾜够⾼,也就是检出限⾜够低;同时动态线性范围完胜吸收光谱。同时如果考虑到分析速度以及结果精密度的因素,这种趋势成为⼀种必然。成都制药一厂等离⼦体⼈类对于等
时间:2023-10-03 热度:13℃
等离子体发射光谱仪组成及工作原理
等离⼦体发射光谱仪组成及⼯作原理江口涣你知道电感耦合等离⼦体发射光谱仪是由哪⼏部分组成么?不知道也没关系那么今天就来跟⼤家分享⼀下电感耦合等离⼦体发射光谱仪的组成及⼯作原理是什么吧。电感耦合等离⼦体发射光谱仪,是多元素顺序测量的分析测试仪器。网球旋风党史文苑该仪器由扫描分光器、射频发⽣器、试样引⼊系统、光电转换、控制系统、数据处理系统、分析操作软件组成。等离⼦体是在三重同⼼⽯英炬管中产⽣。炬管内分
时间:2023-10-03 热度:16℃
电感耦合等离子体质谱仪工作原理
灿烂的宋元文化>胃电图仪电感耦合等离⼦体质谱仪⼯作原理南京工业大学学报电感耦合等离⼦体质谱仪是在这个⾏业中⽐较常⽤到的⼀种设备,它主要是由等离⼦体发⽣器、雾化室、矩管、四极质谱仪和⼀个快速通道电⼦倍增管等部件组成,下⾯我们就来详细的介绍下电感耦合等离⼦体质谱仪⼯作原理。 电感耦合等离⼦体质谱仪⼯作原理是根据被测元素通过⼀定形式进⼊⾼频等离⼦体中,在⾼温下电离成离⼦,产⽣的离⼦经过离⼦光
时间:2023-10-03 热度:11℃
SCCM与SLM分别表示的质量流量控制器的什么单位
SCCM与SLM分别表⽰的质量流量控制器的什么单位⽇常中我们常见的热式⽓体质量流量控制器/质量流量计的表⽰单位⽤SCCM和SLM来表⽰,那它们具体代表的是什么意思呢?听听莱峰科技的专业解答。sccm:标准毫升/分钟;slm:标准升/分钟标准状况:温度--273.15K(0℃) 压⼒--101325Pa(760mmHg)F. S(Full Scale)表⽰满量程热式质量流量控制器/质量流量计可直接测
时间:2023-12-24 热度:9℃
等离子切割机割嘴容易烧毁的原因有哪些?
等离⼦切割机割嘴容易烧毁的原因有哪些?等离⼦切割机割嘴容易烧毁主要原因:1、没有采⽤合理的切距。2、没有保持割炬和消耗件清洁。在割炬和消耗件上的任何脏物都会极⼤地影响等离⼦系统的功能。3、没有清除空⽓或氧⽓喷嘴上的氧化物。当选⽤空⽓或氧⽓等离⼦时,喷嘴内会沉积氧化物,这种氧化物会影响⽓流和减少消耗件的寿命。等离⼦切割机在使⽤过程中,割咀与电极是更换较频繁的消耗件。正常情况下,⼀套普通电极割咀使⽤寿
时间:2023-12-06 热度:39℃
半导体刻蚀工艺简介
半导体刻蚀⼯艺简介此保护膜可保护多晶硅的侧壁,进⽽形成⾮等向性刻蚀。使⽤Cl2等离⼦体对多晶硅的刻蚀速率⽐使⽤F原⼦团慢很多,为兼顾刻蚀速率与选择⽐,有⼈使⽤SF6⽓体中添加SiCl4或CHCl3。SF6的⽐例越⾼,刻蚀速率越快;⽽SiCl4或CHCl3的⽐例越⾼,多晶硅/SiO2的刻蚀选择⽐越⾼,刻蚀越趋向⾮等向性刻蚀。除了Cl和F的⽓体外,溴化氢(HBr)也是⼀种常⽤的⽓体,因为在⼩于0.5µ
时间:2023-11-28 热度:22℃
等离子体发射光谱仪组成及工作原理
等离⼦体发射光谱仪组成及⼯作原理束胸衣>pvc绝缘材料你知道电感耦合等离⼦体发射光谱仪是由哪⼏部分组成么?不知道也没关系那么今天就来跟⼤家分享⼀下电感耦合等离⼦体发射光谱仪的组成及⼯作原理是什么吧。电感耦合等离⼦体发射光谱仪,是多元素顺序测量的分析测试仪器。该仪器由扫描分光器、射频发⽣器、试样引⼊系统、光电转换、控制系统、数据处理系统、分析操作软件组成。等离⼦体是在三重同⼼⽯英炬管中产⽣。炬管内分
时间:2023-11-02 热度:13℃
等离子体处理设备工作技术原理介绍
等离⼦体处理设备⼯作技术原理介绍等离⼦体处理设备⼯作技术原理介绍:双面胶贴1.表⾯刻蚀在等离⼦体的作⽤下,材料表⾯的⼀些化学键发⽣断裂,形成⼩分⼦产物或被氧化成CO、CO:等,这些产物被抽⽓过程抽⾛,使材料表⾯变得凹凸不平,粗糙度增加。水压力传感器等离⼦表⾯刻蚀_⾦铂利莱等离⼦机2.表⾯活化在等离⼦体作⽤下,难粘塑料表⾯出现部分活性原⼦、⾃由基和不饱和键,这些活性基团与等离⼦体中的活性粒⼦接触会反
时间:2023-10-28 热度:11℃
干蚀刻和湿蚀刻
纯化核酸电梯门机系统⼲蚀刻和湿蚀刻⼲法和湿法蚀刻-等离⼦蚀刻和湿法蚀刻的优缺点玻璃胶嘴>cao20蚀刻是从材料表⾯去除材料的过程。蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和⼲蚀刻(例如,等离⼦体蚀刻)。涉及使⽤液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻⼯艺称为湿蚀刻。在等离⼦体蚀刻⼯艺中,也称为⼲蚀刻,使⽤等离⼦体或蚀刻⽓体来去除衬底材料。⼲蚀刻会产⽣⽓态产物,这些产物应扩散到⼤量⽓体中并通过真空系统排出。⼲蚀刻有
时间:2023-10-26 热度:14℃
半导体刻蚀工艺简介
半导体刻蚀⼯艺简介此保护膜可保护多晶硅的侧壁,进⽽形成⾮等向性刻蚀。使⽤Cl2等离⼦体对多晶硅的刻蚀速率⽐使⽤F原⼦团慢很多,为兼顾刻蚀速率与选择⽐,有⼈使⽤SF6⽓体中添加SiCl4或CHCl3。SF6的⽐例越⾼,刻蚀速率越快;⽽SiCl4或CHCl3的⽐例越⾼,多晶硅/SiO2的刻蚀选择⽐越⾼,刻蚀越趋向⾮等向性刻蚀。除了Cl和F的⽓体外,溴化氢(HBr)也是⼀种常⽤的⽓体,因为在⼩于0.5µ
时间:2023-10-26 热度:27℃
等离子体源(plasma
等离⼦体源(plasma sources)的原理及应⽤探针天线R&R公司同时提供等离⼦体源以及等离⼦体源相关的刻蚀、薄膜沉积设备。其等离⼦体源主要分成平⾏平板等离⼦体源、微波等离⼦体源以及ICP⾼频等离⼦体源。平⾏平板等离⼦体源(电容耦合)电容耦合等离⼦体源采⽤直径300mm的两圆型平⾏平板作为上下电极,平板间距离从30mm到100mm可调。射频电源频率为13.56 MHz,通过配⽹耦合到
时间:2023-10-26 热度:20℃
一篇文章读懂原子层刻蚀(ALE)
⼀篇⽂章读懂原⼦层刻蚀(ALE)希腊哲学家德谟克利特(公元前 460-370 年)是最早提出基本粒⼦概念的⼈,他称这种粒⼦为“atomos”(原⼦)。他当年可能从未料古希腊哲学家德谟克利特原⼦级⼯艺进⾏加⼯。到,有朝⼀⽇,某些器件会因尺⼨极⼩且结构复杂⽽必须采⽤原⼦级⼯艺随着智能⼿机和其他互联设备的蓬勃发展,市场不断追逐着尺⼨更⼩、功能更强⼤的芯⽚,⽽对复杂的集成⽅案以及新型的元器件结构的需求也随
时间:2023-10-26 热度:37℃
等离子体源(plasma
等离⼦体源(plasma sources)的原理及应⽤长江三峡水利枢纽安全保卫条例R&R公司同时提供等离⼦体源以及等离⼦体源相关的刻蚀、薄膜沉积设备。其等离⼦体源主要分成平⾏平板等离⼦体源、微波等离⼦体源以及ICP⾼频等离⼦体源。苄基三乙基溴化铵平⾏平板等离⼦体源(电容耦合)气液分离器电容耦合等离⼦体源采⽤直径300mm的两圆型平⾏平板作为上下电极,平板间距离从30mm到100mm可调。射
时间:2023-07-30 热度:9℃
LCD液晶显示屏主要的应用领域
LCD液晶显⽰屏主要的应⽤领域无线视频服务器LCD液晶显⽰屏主要的应⽤领域,LCD屏液晶屏如今的应⽤⾮常的⼴泛,那么他们主要的应⽤领域有哪些呢?下⾯就给⼤家介绍下LCD液晶显⽰屏主要的应⽤领域。⼀般按各种FPD的画⾯尺⼨及图像分辨率对其进⾏分类。不同画⾯尺⼨和图像分辨率对应着下述不同的应⽤领域。防盗1)⼿机、数码相机、摄像机2)汽车导航仪、控制屏等车⽤仪表3)PDA、便携计算机4)笔记本电脑⽤
时间:2023-09-28 热度:14℃
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