光子晶体及其特性王娟娟摘要：光子晶体是一种介电常数不同的、其空间呈周期分布的新型光学材料。通过深入研究，达到进一步了解光子晶体的原理、特性、制备方法以及应用之目的。关键词：光子晶体光子禁带光子局域Purce ll效应1.引言20世纪，半导体的发现并应用引发了一场影响开半导体材料，半导体内部存在周期性势场电子受到周期性势场的调制发生布拉格散射形成能带结构，而带与带之间可能存在禁带，落入禁带中的电子则

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溶胶凝胶法制备ZnO-Fe2O3纳米复合材料及其光催化特性纳米ZnO是一种新型的光催化材料，具有无毒性、低成本、结构稳定、催化效率较高等显著优点。但由于ZnO的禁带宽度为3.2ev，其吸收波长阙值大多在紫外区，同时其载流子复合率高，导致光能利用率低，光降解污染物效果并不显著。本文以六水合硝酸锌（Zn（NO3）2∙6H2O）与九水合硝酸铁（Fe（NO3）3∙9H2O）为前驱体，无水乙醇（C2H5O

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材料类别材料名称HOMO（eV）HOMO（eV）禁带宽度（eV）吸收峰（nm）发射峰（nm）Tg（oC）空穴注入材料CuPc-5.3-3.6自然之道教学实录1.72T-NATAPEDOT：PSS-5.2-3.71.5空穴传输材料PVK-6.0-2.53.5NPB-5.5-2.43.2350436/42598TPD-5.5-2.3 3.260TCTA150辽宁医学院护理学院空穴阻挡材料BCP-6.5

wald西北大学学报碳化硅材料特性及其应用浅析计算机辅助工业设计作者：***来源：《新材料产业》2018年第01期新闻报道与写作        一、碳化硅单晶特性        以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较，SiC具有高热导率、高

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光子晶体的应用引言光子晶体是随人们对光控制的需求应运而生的，也是现代通信发展的需要。在过去的几十年旱，半导体技术在人们日常生活中扮演重要的角。现代高科技的发展要求集成电路微型化和高速化，但是微型化将导致电阻增加和更高的能量损耗：高速则导致对信号同步化的敏感性。为提高集成密度和系统的性能，科学家把目光从电子转向了光子。与电子相比，光子的优点是：高速、大容量、低损耗；缺点是：传统光学对光的控制主要依

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