实验15 巨磁阻材料的磁阻效应引 言磁敏电阻效应是指某些材料的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。如图1所示,当半导体处于磁场中时,半导体中的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向()运动的载流子数量将减少,电阻增大,表现出横向磁阻效应(沿方向)。,A B
7.1 磁敏传感器磁敏传感器是基于磁电转换的传感器,主要原理有霍尔效应和磁阻效应。一、霍尔式传感器(一)霍尔效应将一载流导体置于磁场中,磁场方向与电流方向正交,则在与两者垂直的方向上产生横向电势——霍尔电势,这一现象称为霍尔效应。如图所示:对于N 型半导体材料,载流子为电子。在如图的磁场下,受到洛仑兹力作用(方向如图),有:L f evB =同时,电场作用于电子的电场力为:H E H U f eE
磁敏传感器的国内外现状及发展趋势安全刀具>支承板The Current Situation And Tendency ofMagnetic 电热丝绕线机Sensor at Home and Aboarddi palomo摘 要传感器是各种仪器仪表和自动化设备的基础,尤其在当今以计算机为标志的信息社会中,传感器技术更承担着获取信息的重要任务。各种各样的磁场传感器都是为不同的磁场测量目的而
实验15 巨磁阻材料的磁阻效应引 言磁敏电阻效应是指某些材料的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。如图1所示,当半导体处于磁场中时,半导体中的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向()运动的载流子数量将减少,电阻增大,表现出横向磁阻效应(沿方向)。,A B
第31卷第4期浙江师范大学学报(自然科学版)V o.l31,N o.42008年12月 Journa l o f Zhe ji ang N or m a lU n i ve rsity(N at.Sc.i) D ec.2008文章编号:1001 5051(2008)04 0416 04*摘 要:利用铁基纳米微晶材料的巨