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> TAG信息列表 > 硅源
不同硅溶胶对L沸石合成晶型的影响
不同硅溶胶对L沸石合成晶型的影响以不同牌号的硅溶胶为硅源合成L沸石,利用TEM和SEM、XRD表征技术,考察硅溶胶质量对L沸石合成的影响。结果表明:硅溶胶的粒径影响L沸石晶粒尺寸;浓度影响L合成时凝胶速度;无论何种牌号的硅溶胶在优选的配比下,均可获得较纯的L沸石。承德师专标签:硅溶胶;L沸石;合成;晶型北京农学院信息平台L沸石是一种含钾人工合成沸石,在自然界尚示未发现与其类似的矿物,其基本结构单元
时间:2023-11-15 热度:23℃
一种制备锂离子电池硅碳复合负极材料的方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 103078092 A(43)申请公布日 2013.05.01(21)申请号 CN201210558705.6(22)申请日 2012.12.20(71)申请人 中南大学 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号(72)发明人 王志兴 苏明如 郭华军 李新海 黄思林 甘雷 彭
时间:2024-04-25 热度:6℃
一种制备锂离子电池硅碳复合负极材料的方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 103078092 A(43)申请公布日 2013.05.01(21)申请号 CN201210558705.6(22)申请日 2012.12.20(71)申请人 中南大学 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号(72)发明人 王志兴 苏明如 郭华军 李新海 黄思林 甘雷 彭
时间:2024-04-25 热度:7℃
分子筛生产过程废水排放现状及处理技术研究进展
分⼦筛⽣产过程废⽔排放现状及处理技术研究进展167分⼦筛是⼀类重要的催化材料,在⽯油炼制、⽯油化⼯、精细化⼯、煤化⼯、环境保护以及吸附分离等⾏业应⽤⼴泛,包括催化裂化、加氢裂化、烷基化、环⼰酮氨肟化、丙烯环氧化、甲醇制烯烃等多个催化过程。⼯业上重要的分⼦筛主要有A、Y、MOR、ZSM-5、ZSM-22、ZSM-35、MCM-22、SPAO-34、TS-1、Beta和SSZ-13等。分⼦筛的⽣产流程
时间:2023-12-27 热度:14℃
zsn法高纯硅烷生产技术
zsn法高纯硅烷生产技术高纯硅烷是一种重要的无机化合物,具有广泛的应用领域,如光电子、半导体、太阳能等。zsn法是一种常用的生产高纯硅烷的技术。本文将介绍zsn法高纯硅烷生产技术的原理、工艺流程、设备和应用等方面的内容。一、原理zsn法,即气相氢还原法,是通过将低纯度的硅源与氢气在高温下反应生成高纯度硅烷的方法。其原理是利用硅源在高温下与氢气的反应,生成二硅烷(Si2H6)和硅烷(SiH4),然后
时间:2023-12-04 热度:23℃
硅源对合成a型分子筛膜的影响
硅源对合成a型分子筛膜的影响 近年来,硅源对合成A型分子筛膜的影响受到了越来越多的关注。分子筛膜是一种用于控制物质和能量传输的膜材料,能够有效地控制分子尺寸,从而影响物质的流动。其中,硅源对分子筛膜合成过程的影响极其重要。 硅源对合成A型分子筛膜的影响 硅源的影响主要集中在分子筛膜的合成和性能方面。首先,硅源对分子筛膜的
时间:2023-08-01 热度:13℃
硅源对合成a型分子筛膜的影响
硅源对合成a型分子筛膜的影响 硅源(SiO2Source)是一种重要的表面活性剂,其中的SiO2被广泛应用于一系列有机和无机用品中。硅源具有优异的流动性,可与化学成分完全混合,用于制备低温和高温聚合物膜,同时具有良好的耐腐蚀性和抗氧化性。硅源的强化特性能够改善塑料的性能,使其具有更高的强度和耐热性,并且可以减少成型过程中的破裂和非对称性问题。锚
时间:2023-08-01 热度:14℃
硅源对合成a型分子筛膜的影响
硅源对合成a型分子筛膜的影响 硅源是指用于制备分子筛膜的原料。传统的原料包括水泥、烧结石英粉末等,把这些原料经过调节处理,制成合成A型分子筛膜就可以了。但是,由于这些原料本身的特性,其由此制得的分子筛膜性能有限、效率低下。因此,硅源的应用已经在近年来被广泛的采用。嵌入式软件开发羽毛球发球机 硅源的应用大大提高了分子筛膜的制备效率,并且提高了分子筛
时间:2023-08-01 热度:14℃
硅源对合成a型分子筛膜的影响
本振频率硅源对合成a型分子筛膜的影响 近年来,硅源对合成A型分子筛膜的影响受到了越来越多的关注。分子筛膜是一种用于控制物质和能量传输的膜材料,能够有效地控制分子尺寸,从而影响物质的流动。其中,硅源对分子筛膜合成过程的影响极其重要。滤波装置 硅源对合成A型分子筛膜的影响 硅源的影响主要集中在分子筛膜的合成和性能方面。首先,
时间:2023-08-01 热度:14℃
单晶炉连续加料工艺技术
冰车单晶炉连续加料工艺技术lc谐振单晶炉连续加料工艺技术是一种用于生产单晶硅的技术,它能够持续地向炉内加入硅源材料,从而能够不间断地生产高质量的单晶硅。以下是单晶炉连续加料工艺技术的步骤:1.准备高纯度的硅源材料,通常使用硅块或硅杆。蚊帐 圆顶2.将硅源材料投放到炉内,通常是在炉顶加入。3.一旦硅源材料进入炉内,它们将被加热至高温,并开始融化。4.融化后的硅源材料会开始在炉内形成单晶,它们会不断地
时间:2023-06-10 热度:39℃
单晶炉连续加料工艺技术
单晶炉连续加料工艺技术产品样本制作单晶炉连续加料工艺技术是一种用于生产单晶硅的技术,它能够持续地向炉内加入硅源材料,从而能够不间断地生产高质量的单晶硅。以下是单晶炉连续加料工艺技术的步骤:1.准备高纯度的硅源材料,通常使用硅块或硅杆。焊接衬垫>wifi室内定位2.将硅源材料投放到炉内,通常是在炉顶加入。周广普3.一旦硅源材料进入炉内,它们将被加热至高温,并开始融化。d1秒4.融化后的硅源材料会开始
时间:2023-06-10 热度:22℃
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