(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113547497 A(43)申请公布日 2021.10.26(21)申请号 CN202010328321.X(22)申请日 2020.04.23(71)申请人 内蒙古中环光伏材料有限公司    地址 萎凋机010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号(72)发明人 胡玉峰 安艳清

收稿日期:2017-06-20项目基金：山西省国际科技合作项目(2015081056)；山西省重点研发计划重点项目(201603D112007)作者简介：张　波(1981-)，男，山西长治人，硕士，工程师，主要从事半导体硅材料研究。doi:10.3969/j.issn.1005-2798.2017.11.020单晶硅棒截断崩边与平行度差的探讨分析张　波，赵彩霞，辛玉龙，吕　涛，罗晓斌(潞安太阳能科

光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算桥梁同步顶升光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算一、引言在光伏发电领域，光伏电池是转化太阳能为电能的核心组件。而光伏电池的制作过程中，光伏单晶硅棒的切割是一个非常关键的环节，切割出来的硅片的数量直接关系到产量和成本。光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算对于光伏电池制造具有重要意义。二、光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算方法采集重构1. 硅棒的直径和长度需要明确光伏单晶n型硅棒

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 112853496 A(43)申请公布日 2021.05.28高纯球形硅微粉(21)申请号 CN201911100571.1(22)申请日 2019.11.12(71)申请人 洛阳阿特斯光伏科技有限公司    地址 节能装置471023 河南省洛阳市洛龙科技园关林大道10号(72)发明人 李煜燚

硅片技术规格（125×125mm）特性规格说明抽测比率生长方式CZ不得使用物理提纯法的硅料每根棒子抽测20片，其中若有一片不合格，加抽20片晶向<100>±1°型号/掺杂剂P/B氧含量≤1.0×1018/cm3碳含量≤5.0×1016/cm3电阻率乙氧酰胺苯甲酯1.0—3.0Ω•㎝单片电阻率不均匀性＜10％少子寿命≥1.3μs裸片数据几何尺寸外形准方中心厚度200±20μmTTV≤30

36对电极多晶硅还原炉流场及温度场数值模拟计算介绍秸秆人造板1、网联网概述黄油嘴还原炉流场及温度场数值模拟计算主要是描述还原炉内气体流动的流体力学和表面反应动力学模型，应用于多晶硅生产过程模拟，利用流体力学的偏微分方程组，得到还原炉内气体的流场和浓度场及温度场的模拟计算结果，分析底盘进气喷嘴与硅棒相对位置对气体的影响。1.1 还原炉内多晶硅形成过程SiHCl3与氢的还原在大型钟罩式还原炉内进行。

连接轴多晶硅还原炉弯头制作1多晶硅只沉积在硅棒，而在还原炉的底部没有，沉积条件怎样，蒸纱机原理是什么，为什么下部较光滑而上部粗糙？      上部由于横梁搭接处横梁和硅棒互相辐射导致温度较高，生长的快红外线加热灯      抗生素制作方法只沉积在硅棒是因为硅棒是通电后发热，是得硅棒本身温度很高，从而达到反应温度而沉积在其表面；而其他部分如

硅片技术规格（125×125mm）同时率特性规格说明抽测比率生长方式CZ不得使用物理提纯法的硅料每根棒子抽测20片，其中若有一片不合格，加抽20片晶向<100>±1°型号/掺杂剂P/B漆膜附着力测定法氧含量≤1.0×1018/cm3佐罗网碳含量≤5.0×1016/cm3电阻率1.0—3.0Ω•㎝单片电阻率不均匀性＜10％少子寿命≥1.3μ南京晨光东螺波纹管有限公司s裸片数据几何尺寸外形