专利名称：一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法专利类型：发明专利发明人：肖清华，屠海令，周旗钢，王敬申请号：CN200310112908.3申请日：20031225公开号：CN1632919A公开日：20050629专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法。可用于消除硅单晶片表面的晶体原生颗粒缺陷，即消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷。本法以直拉法

专利名称：半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法专利类型：发明专利发明人：季华，陈国庆申请号：CN200410066298.2申请日：20040910公开号：CN1747136A公开日：20060315专利内容由知识产权出版社提供摘要：半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)淀积多晶硅层；(4)

专利名称：硅单晶锭X射线定向仪专利类型：实用新型专利发明人：赵久，关守平，甄伟申请号：CN200520092740.9申请日：20050929公开号：CN2826421Y公开日：20061011专利内容由知识产权出版社提供摘要：本实用新型涉及硅单晶锭X射线定向仪，包括工作台、测角仪、X射线管、样品测量台、自动控制面板及单片机。特点是样品测量台设有硅锭滚动装置、硅锭测量定位装置和硅锭自转自动测量装置

梁骏吾：“永求创造”的非凡人生作者：***来源：《红岩春秋》2022年第07期        2022年6月29日，中国工程院院士、中国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾的追悼会在北京举行。笔者敬赠挽联“木兰山铭旌颂巨匠，烟波江溅泪吊梁公”，寄托同乡后学的哀思。        14年前，笔者与梁骏吾院士因传记写作结缘。重温那

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201811476667.3(22)申请日 2018.12.04(71)申请人 有研半导体材料有限 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧(72)发明人 王永涛　尚锐刚　刘建涛　李明飞　鲁进军　张建　闫志瑞　(74)专利代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11

专利名称：IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法专利类型：发明专利发明人：小野敏昭，梅野繁，杉村涉，宝来正隆申请号：CN200710084192.9申请日：20070217公开号：CN101054721A公开日：20071017专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×10原子/cm或以下，

投篮训练机自然界物质存在的形态有气态物质、液态物质和固态物质。固态物质可根据它们的质点(原子、离子和分子)排列规则的不同，分为晶体和非晶体两大类。具有确定的熔点的固态物质称为晶体，如硅、砷化镓、冰及一般金属等；没有确定的熔点、加热时在某一温度范围内就逐渐软化的固态物质称为非晶体，如玻璃、松香等。    所有晶体都是由原子、分子、离子或这些粒子集团在空间按一定规则排列而成的。这种

一种检测用区熔硅单晶棒及其拉制方法检测用区熔硅单晶棒是用于半导体硅片生产的关键材料之一，其质量对半导体器件的性能和可靠性有着重要影响。本文将介绍检测用区熔硅单晶棒的拉制方法以及其在半导体制造中的应用。1. 检测用区熔硅单晶棒的基本概念与作用毛刷制作检测用区熔硅单晶棒是通过区熔法生长的硅单晶材料，其主要作用是用于半导体硅片的质量检测。由于硅单晶具有较高的纯度和均匀性，可以作为参照物与待测硅片进行对比

国家标准《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》编制说明（讨论稿）一、工作简况1、立项的目的和意义    硅单晶是典型的元素半导体材料，具有优良的热性能与机械性能，易于长成大尺寸高纯度晶体，是目前最重要、用途最广的半导体材料。在当今全球超过半导体市场中，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是在硅单晶片上制作的，在未来30年内，它仍是半导体工业最基本和最重要的

多晶硅的基础知识重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业电磁炮制作上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。  在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。19

管道防爬刺多晶硅的基础知识重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。  在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。19

第26卷　第11期2005年11月半　导　体　学　报CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORSVol.26　No.11Nov.,20053国家自然科学基金(批准号:60225010,90207024)和国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA3Z1142)资助项目　江慧华　男,1981年出生，硕士研究生，现从事硅材料杂质及缺陷的研究.　杨德仁　男,1964年出生，教

硅单晶腐蚀片1　范围本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。2　规范性引

浏阳霉素>磷酸化3.4.2硅单晶棒的截断 对硅单晶棒采用外圆切割（OD Saw）、内圆切割（ID Saw）或带锯切割（Band Saw）技术截断目的主要是切除硅单晶棒的头（硅单晶的籽晶和放肩部分）、尾及直径小于规格要求的部分；将硅单晶棒切割成切片机可以处理的长度晶棒段；对硅单晶棒切取样品，以检测其电阻率、氧/碳含量、晶体缺陷等质量参数。随着IC工艺、技术的不断发展，大直径硅片的需求量增大，采用外圆

中国集成电路ＣｈｉｎａｌｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｌｔ创新专栏（总第９８期）ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｉｃｍａｇ．ｃｏｍ１、产品及其简介公司立足自主创新，攻克了１２英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面金属和颗粒的去除等关键技术难题，形成了从单晶生长到晶片加工、处理和检测的自有成套技术，并利用该套技术开发成功直径１２英寸硅单晶抛光片新产品，填补了国内空白。产