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  • 用于选择性膜生长的原子层沉积方法
    CN201880042184.4，用于选择性膜生长的原子层沉积方法，提供了通过原子层沉积形成含金属膜的方法。所述方法包括在足够的条件下将含金属配合物、吹扫气体和共反应物输送至第一基材，从而使所述含金属膜选择性地生长在所述第一基材的至少一部分上。
    时间：2023-03-15  热度：18℃
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