(10)授权公告号 (45)授权公告日 2014.04.09C N  203530509U (21)申请号 201320665150.5(22)申请日 2013.10.25C30B 35/00(2006.01)F27B 17/00(2006.01)(73)专利权人英利能源（中国）有限071051 河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人王保强  杨乐 

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202021289765.9(22)申请日 2020.07.03(73)专利权人 晶科能源有限 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号专利权人 浙江晶科能源有限公司(72)发明人 卢亮　张涛　金浩　肖贵云　邓清香　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202021289765.9(22)申请日 2020.07.03(73)专利权人 晶科能源有限 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号专利权人 浙江晶科能源有限公司(72)发明人 卢亮　张涛　金浩　肖贵云　邓清香　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202021289765.9(22)申请日 2020.07.03(73)专利权人 晶科能源有限 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号专利权人 浙江晶科能源有限公司(72)发明人 卢亮　张涛　金浩　肖贵云　邓清香　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202021289765.9(22)申请日 2020.07.03(73)专利权人 晶科能源有限 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号专利权人 浙江晶科能源有限公司(72)发明人 卢亮　张涛　金浩　肖贵云　邓清香　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202021289765.9(22)申请日 2020.07.03(73)专利权人 晶科能源有限 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号专利权人 浙江晶科能源有限公司(72)发明人 卢亮　张涛　金浩　肖贵云　邓清香　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11

硬质点指的就是碳化硅，硬质点片即所谓的线痕片。来源2个方面1）硅材料的含碳量高2）炉子的热场碳的挥发个人理解：多晶锭中的硬质点主要为SIC和Si3N4杂质，主要聚集在顶部10 mm范围内；硅锭内部的硬质点为SiC。一般来说，多晶硅锭中多少都会有点硬质夹杂，我们铸锭的主要目的就是减小SiC硬质点的数量和大小，主要是不影响切片就行。除了对原料进行控制之外，转述他人的一些解决方法：1)在装料后执行严格的

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113913938 A(43)申请公布日 2022.01.11(21)申请号 CN202111192315.7(22)申请日 2021.10.13(71)申请人 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司    地址 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松北(深圳龙岗)

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 112725903 A(43)申请公布日 2021.04.30(21)申请号 CN202011350688.8(22)申请日 2020.11.26(71)申请人 南京晶升能源设备有限公司    地址 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区恒发路30-1号(72)发明人 李辉 杨茜 毛瑞川

碳化硅表面高温改性法热场模拟研究摘要:SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。关键词:石墨烯  热场模

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 113913938 A(43)申请公布日 2022.01.11(21)申请号 CN202111192315.7碳化硅石墨坩埚(22)申请日 2021.10.13(71)申请人 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司    地址 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松

永磁同步电机热分析研究综述sma天线 对永磁同步电机的损耗和温度场进行研究综述。对永磁同步电机的热分析研究进行综述，并介绍了永磁同步电机中的重要损耗。本文对比了解析法和数值法两种不同类型的热分析法，并考虑了每种方法的优缺点，同时对各种散热形式作了介绍.虹吸式咖啡壶标签： 永磁同步电机；磁损耗；热分析1 引言现如今由于客户对高效率、小型化、紧凑型电机的需求日益上升[1]，对设计者来说电机的温度场设计

碳/碳复合材料在CZ单晶炉热场中的应用摘要生产单晶硅主要有Cz法和浮游带区(Fz)法。图1是Cz单晶硅炉的结构示意图，在氩气保护下，将多晶硅加热到1500℃左右，使其熔融：由炉上部旋转垂放晶籽(种)拉线，使其与熔融硅面接触，并使熔融硅面保温在1400℃左右，向上提拉晶籽而单晶硅也随之逐步生成，一直生长到设计的尺寸，如15．24、20．32、25．4和30．48cm。由图1可知，工作室内除了熔融硅和

了解⼀下单晶炉热场结构在太阳能光伏⾏业，的好坏直接关系到单晶硅的质量，合格的热场能够⽣长出⾼质量的单晶，因此创造良好的热场条件，在直拉单晶⼯艺上有⾮常重要的因素。⽯墨是单晶⽣长的载体，⽯墨在直拉单晶⽣长炉中以⾼纯⽯墨和等静压⽯墨加⼯件为主。根据实际情况的需要，热场的⼤⼩根据⽯英坩埚的直径⼤⼩来划分的，⽬前我国热场从φ12"~φ28"都有，⼀般情况下φ18"~φ22"居多。我们在这⾥所讲的单晶炉的热

辣椒种植技术电子的种类不同，电子束的会聚直径、能量的发散度不同，从而很大程度上决定了照射到样品上电子的性质。电子：主要是热电子发射型和场发射型。热电子发射主要来源于阴极灯丝发出的电子经加速管加速得到。如果在金属表面加一个强电场，金属表面势垒降低，由于隧道效应，金属内部的电子穿过势垒从金属表面发射出来，这种现象称场发射。场发射电子较之热电子发射型具有亮度高约100倍，光源尺寸也非常小，其电子数