第38卷第5期原子能科学技术Vol.38,No.5 2004年9月Atomic Energy Science and TechnologySep.2004MOSFET 功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量李志常1,李淑媛1,刘建成1,曹 洲2,杨世宇2(11中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413;21中国航天科技集团公司五院510所,甘肃兰州 730000)摘要:对MOSFE
• 29•在大尺寸LCD TV 产品生产过程中,频繁出现COF IC 烧毁情况,影响模组良率及产品品质。本文针对大尺寸产品因COF IC 烧毁原因引起画面显示异常情况进行机理分析并针对性改善,为实际生产提供指导意义。前言:薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD )为目前的主流平板显示器(TFT-LCD 光致发绿不良改善、机理分析及研究:液晶与显示,2019),在电视应用中取代CRT 成为主流技术(大