(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 114464682 A(43)申请公布日 2022.05.10(21)申请号 CN202210198842.7(22)申请日 2022.03.02(71)申请人 西安电子科技大学    地址 710071 陕西省西安市太白南路2号(72)发明人 段宝兴 李明哲 杨银堂 (74)专利代理机构 &n

DMOS介绍2010年01月08日 星期五 09:36    DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double-dif fused

The Design and Optimization of High VoltageDDDMOS作者： 游淑民作者机构： 集美大学信息工程学院，福建厦门361021出版物刊名： 三明学院学报页码： 39-46页年卷期： 2018年 第4期高压mos管主题词： 高压DDDMOS;resurf技术；击穿电压；优化摘要：通过Silvaco TCAD软件，对DDDMOS进行工艺仿真，形成漂移区长度为2μ

采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计慈朋亮自动排焊机【摘 要】研究了一种N型50V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构.通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻RDsSon.最终仿真得到的击穿电