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液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途
CN201280019617.7,液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途,本发明涉及式(I)所示的化合物,其用于高频组件的用途,包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件,特别是天线,尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。
时间:2023-03-15 热度:27℃
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