CN201780056145.5，液晶介质及液晶器件，本发明涉及介质，其包含一种或多种式I化合物，R11?A11?A12?(CH2)s?A13?A14?R12I其浓度为至多30％或更小，及一种或多种式II化合物，R21?A21?A22?(A23)u?Z21?(CH2)t?Z22?A24?A25?A26?R22II其浓度为10％或更大，其中R11至R22、A11至A26、Z21、Z22、s、t及u具有如在权利要求1中所给出的含义之一，涉及产生这样的介质的方法，涉及这样的介质在液晶器件中、特别是在弯电液晶器件

CN201880052721.3，液晶介质及液晶器件，本发明涉及式(I)化合物，R11?A11?(Z11?A12)p?X11?Sp11?X12?(A13?Z13)q?A14?R12I其中R11、R12、A11至A14、Z11、Z13、X11、X12、Sp11、p和q具有如下所给含义之一。本发明还涉及制备式I化合物的方法，涉及所述化合物在液晶介质中的用途和包含一种或多种式I化合物的液晶介质。此外，本发明涉及制备这种液晶介质的方法，涉及这种介质在液晶器件中，尤其是在弯电液晶器件中的用途，和涉及包括根据本发明的

CN201880050921.5，液晶介质及液晶器件，本发明涉及式(I)化合物，R11?A11?(Z11?A12)p?X11?Sp11?X12?(A13?Z13)q?A14?R12 I其中R11、R12、A11至A14、Z11、Z13、X11、X12、Sp11、p和q具有如下所给含义之一。本发明还涉及制备式I化合物的方法，涉及所述化合物在液晶介质中的用途和涉及包含一种或多种式I化合物的液晶介质。此外，本发明涉及制备这种液晶介质的方法，涉及这种介质在液晶器件中，尤其是在弯电液晶器件中的用途，和涉及包括根据本