基于浮栅MOS管的研究作者：王思远来源：《现代信息科技》2018年第12期        摘 要：随着集成电路技术的迅猛发展，传统集成电路开始显现出诸多缺陷以及迫切需要解决的问题，而浮栅MOS晶体管（Floating-gate MOS），作为具有单个器件较强功能性、多个输入且阈值可以灵活控制的新型电子器件为解决这些问题提供了一种有效途径。  &nb

第 卷第 期 第 88卷， 77期 第 Vol．　8， No． 7电 子 与 封 装 电 子 与 ELECTRONICS & PACKAGING总　第63 期 2008 年 7 月微 电 子 制 造 与 可 靠 性社会心理学理论0.5 μ m OTP 工艺开发与器件特性研究马春霞，李  冰（东南大学集成电路学院，南京 2 1 00 9 6 ）摘　要：文章对 0.5 μ m 一次编

FPGA系统中DRAM,SRAM,SDRAM,FLASH区别（转）⼀般来说这⼏种存储器是⼀个nios系统都具有的，sram的好处是接⼝简单，速度快容易操作，⽤资源也⽐较少；sdram的最⼤好处是容量⼤，当然速度也⽐较快，但是接⼝复杂些，也耗逻辑资源多些；flash是⾮易失性存储器，速度慢。SRAM、SDRAM都⽤于程序⼯作时保存临时数据和程序，因为在系统调电后，保存在其中的数据都会丢失。FLASH

SPI NOR FLASH存储器的原理与常见问题分析1.前言FLASH闪存，一般简称为“FLASH”，它属于内存器件的一种，是一种非易失性(Non-Volatile)内存。FLASH因其特殊的浮栅结构得以在掉电后长久地保存数据，这使得Flash成为各类便携型数字设备的存储介质。本文主要介绍了SPI NOR FLASH存储器的基本原理以及常见的问题，可以帮助读者进一步了解和应对产品中的FLASH相关

SPI NOR FLASH存储器的原理与常见问题分析1.前言FLASH闪存，一般简称为“FLASH”，它属于内存器件的一种，是一种非易失性(Non-Volatile)内存。FLASH因其特殊的浮栅结构得以在掉电后长久地保存数据，这使得Flash成为各类便携型数字设备的存储介质。本文主要介绍了SPI NOR FLASH存储器的基本原理以及常见的问题，可以帮助读者进一步了解和应对产品中的FLASH相关

非易失性存储器1.绪论随机存储器（如DRAM和电子台历SRAM）的缺点之一就是掉电后所存储的数据会随之丢失。为了克服这个问题，人们已设计并开发出了多种非易失或/且可编程的存储器。最近，基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失存储器。因此,在本文中，我们将着重介绍ROM的两种结构（即NOR和NAND阵列）和闪存的基本结构及其应用。2.MOS ROM 阵列的两种实现方

电子科技行业的前沿技术集锦（2013年）一、复旦成功研发世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。2二、石墨烯新进展神奇之碳再写神奇。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6三、意念控制的未来正在走近。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13四、全新液流电

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