专利名称：一种多发光子区GaN基LED集成芯片专利类型：发明专利发明人：徐洲，陈鹏，谭崇斌，徐兆青，张琳，吴真龙，徐峰，高峰，邵勇，王栾井，宋雪云申请号：CN201310617852.0申请日：20131129公开号：CN103730479A公开日：20140416专利内容由知识产权出版社提供摘要：一种多发光子区GaN基LED集成芯片，属于LED芯片结构的技术领域，包括衬底、n-GaN 层、量子阱

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201720336394.7(22)申请日 2017.03.31(73)专利权人 中交第二航务工程局有限 430040 湖北省武汉市东西湖区金银湖路11号(72)发明人 陈德银　王金龙　冯兆胜　熊辉　(74)专利代理机构 武汉开元知识产权代理有限公司 42104代理人 俞鸿　彭成

专利名称：淋浴防溅罩专利类型：实用新型专利发明人：马东瑞，许福运申请号：CN200720017484.6申请日：20070124公开号：CN200994747Y公开日：20071226专利内容由知识产权出版社提供摘要：淋浴防溅罩，属日用品，由半圆形支撑架、上支架及防溅罩组成，上支架一端固定在半圆形支撑架中间上面，半圆形支撑架下面带有沟槽，沟槽内置可沿沟槽滚动的挂钩，挂钩上挂带防溅罩。本实用新型的半

专利名称：一种用于狭窄空间外沟槽直径检测的专用手动检具专利类型：实用新型专利发明人：范志新，李秀玲申请号：CN202021334557.6申请日：20200708公开号：CN212585637U公开日：20210223专利内容由知识产权出版社提供摘要：本实用新型涉及外沟槽测量技术领域，尤其是一种用于狭窄空间外沟槽直径检测的专用手动检具。其包括手柄，所述手柄下端面通过连接件可拆卸的连接底板，底板上表

专利名称：制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法专利类型：发明专利发明人：陈振隆，林平伟，聂俊峰，郑丰绪申请号：CN03119437.0申请日：20030312公开号：CN1531057A公开日：20040922专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明是关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽的底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅

专利名称：一种高强度排水沟结构专利类型：发明专利发明人：高延安，张赛赛，田新强，丁怡，叶姝彤申请号：CN202011472858.X申请日：20201215公开号：CN112593615A公开日：20210402专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种高强度排水沟结构，包括盖板和沟槽，所述盖板下部的推拉式卡扣与沟槽的上部的推拉式卡口连接，大大增强了排水沟的密闭性和防盗性；所述沟槽的前端的

专利名称：深孔R沟槽端面测量量具专利类型：发明专利发明人：王振文申请号：CN201410798665.1申请日：20141218公开号：CN104406501A公开日：20150311专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明涉及钻井工具技术领域，尤其涉及一种深孔R沟槽端面测量量具，包括主体、百分表、操作件、顶针以及滑块，所述百分表安装在表座上，所述主体设有左、右两个腔体，所述左腔体中设有顶杆，所述

专利名称：一种多晶硅栅极的生长方法专利类型：发明专利发明人：信恩龙，李润领，关天鹏申请号：CN201611077583.3申请日：20161130公开号：CN106783567A公开日：20170531专利内容由知识产权出版社提供摘要：本发明公开了一种多晶硅栅极的生长方法，通过先采用选择性生长工艺，在有源区薄的氧化物和沟槽隔离区厚的氧化物上有选择性的沉积第一栅极，使在初始阶段有源区上的生长速率大大

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）实用新型专利（10）申请公布号 CN202493521U（43）申请公布日 2012.10.17（21）申请号 CN201220072321.9（22）申请日 2012.03.01（71）申请人 锦州万得机械装备有限公司    地址 121000 辽宁省锦州市经济技术开发区西海路万得园（72）发明人 陈文赢（74）专利代理机构 锦州恒

聚四氟乙烯档圈 提供任意规格白垫档圈。 挡圈没有密封功能，其作用是保护和防止密封件挤出。挡圈经常和弹性密封圈一起安装在沟槽内一特别适合与O形圈、星形圈一起使用。由于紧紧地将挡圈安装在沟槽中，故挡圈能防止弹性密封圈受压后被挤入间隙中。挡圈一般具有矩形的截面，特别符合相应的O形圈、星形*圈沟槽尺寸。 设 计isao·挡圈，型号6U，没有切口这种没有切口的挡圈，优先使用在与

给水管网施工技术交底帝喾工程名称分部工程施工单位分项工程交底内容：一、施工准备1、作业条件地下管道铺设必须在土回填夯实或挖到管底标高，沿管线铺设位置清理干净，管道穿墙处巳留管洞或安装套管，其洞口尺寸和套管规格符合要求，坐标、标高正确。2、材料要求（1）室外给水管：室外生活给水管阀门井后接入单体的埋地给水管段采用覆塑薄壁不锈钢管，焊接，焊接处防腐采用在管外壁套塑料膜或缠绕防腐胶带保护。（2）消防给水

SGT MOSFET的研究与进展陈利，陈瑞森厦门海洋职业技术学院摘要：介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进，对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述；简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展；同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题，以及今后的研究发展重点。关

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