CN200610140756.1，氮化镓表面低损伤蚀刻，氮化镓表面低损伤蚀刻：在基于氮化镓的器件上(如氮化镓HEMT)，一般在器件的表面有一层或多层钝化层。无损伤刻蚀钝化层是器件制作中一项重要的生产工艺。本发明采用等离子体两步干法蚀刻方法，首先采用含氟高的氟/氯混合气体在较高的ICP功率下，完成75%的刻蚀，控制刻蚀坡度，然后采用含氯高的氟/氯混合气体，在较低的ICP功率下完成刻蚀。这样等离子体干法蚀刻对氮化镓的电气性能的损伤有显著降低。最后采用退火处理，进一步恢复刻蚀损伤，器件可靠性得到提高。

CN200610140756.1，氮化镓表面低损伤蚀刻，氮化镓表面低损伤蚀刻：在基于氮化镓的器件上(如氮化镓HEMT)，一般在器件的表面有一层或多层钝化层。无损伤刻蚀钝化层是器件制作中一项重要的生产工艺。本发明采用等离子体两步干法蚀刻方法，首先采用含氟高的氟/氯混合气体在较高的ICP功率下，完成75%的刻蚀，控制刻蚀坡度，然后采用含氯高的氟/氯混合气体，在较低的ICP功率下完成刻蚀。这样等离子体干法蚀刻对氮化镓的电气性能的损伤有显著降低。最后采用退火处理，进一步恢复刻蚀损伤，器件可靠性得到提高。