实验  用椭偏仪测量薄膜厚度在半导体平面工艺中，SiO 2薄膜是不可缺少的重要材料。它既可以被作为杂质掩蔽、表面钝化和器件的电隔离材料，也可以用作电容器的介质和MOS 管的绝缘栅介质等。无论SiO 2膜用作哪一种用途的材料，都必须准确的测定和控制它的厚度。另外，折射率也是表征SiO 2膜性质的重要参数之一，因此我们必须掌握SiO 2膜厚及其折射率的测量方法。通常测定薄模厚度的方法有比法

实验  用椭偏仪测量薄膜厚度在半导体平面工艺中，SiO 2薄膜是不可缺少的重要材料。它既可以被作为杂质掩蔽、表面钝化和器件的电隔离材料，也可以用作电容器的介质和MOS 管的绝缘栅介质等。无论SiO 2膜用作哪一种用途的材料，都必须准确的测定和控制它的厚度。另外，折射率也是表征SiO 2膜性质的重要参数之一，因此我们必须掌握SiO 2膜厚及其折射率的测量方法。通常测定薄模厚度的方法有比法