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  • 几种主流MOSFET驱动电路的分析
    几种主流MOSFET驱动电路的分析   开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点,应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。一个好的MOSFET驱动电路的要求是:   (1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速
    时间:2023-11-24  热度:25℃
  • 场效应管栅源电压
    场效应管栅源电压贫富差距论文1. 场效应管简介场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种常用的电子器件,它通过调节栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。场效应管主要分为三种类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、JFET(结型场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极性晶体管)。其中,MOSFET是最常见和广泛使用的一种。2. MOSFET的基本结构正交多项式
    时间:2023-11-24  热度:25℃
  • 变频器IGBT模块的工作原理及特性
    日志审计设备集电环辣椒红素的提取  变频器IGBT模块的工作原理  变频器IGBT 模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使 IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。  当MOSFET的沟道形成
    时间:2023-10-24  热度:22℃
  • 或门电路
    或门电路目前实际应用的门电路都是集成电路。在集成电路设计过程中,将复杂的逻辑函数转换为具体的数字电路时,不管是手工设计还是EDA工具自动设计,通常要用到七种基本逻辑(与、或、非、与非、或非、同或、异或)的图形表示,在电路术语中这些逻辑操作符号被称作门,对应的具体电路就叫做门电路,包括某个基本逻辑或者多个基本逻辑组合的复杂逻辑。比如实现取反功能的反相器,就叫做非门;实现“先与后反”功能的就是与非门,
    时间:2023-08-17  热度:20℃
  • 增强型GaN FETs
    张力控制增强型GaN FETs1、GaN FETs工作原理:由于AlGaN/GaN异质结生长完成后,异质结界面就存在大量二维电子气(2DEG),与Si基器件不同的是,电子不受原子的束缚,以很高的传输速度运动,从而具有非常高的传导率。具体来说,GaN FETs与Si MOSFET相比主要有以下优点:1)电流密度大,功率密度高;2)开关频率高;3)在同样的耐压下导通电阻和器件体积小。GaN FETs的
    时间:2023-08-15  热度:25℃
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