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...电路测试系统EVA100的DDR3功能测试平台[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911300661.5(22)申请日 2019.12.17(71)申请人 成都华微电子科技有限 610041 四川省成都市高新区益州大道中段1800号天府软件园G1楼22层(72)发明人 姜曾 杨超 马天赐 刘建明 陈瑶 陈六赢 (74)专利代理机构 北京众元弘策知识产权代
时间:2024-04-02 热度:8℃
存储系统[发明专利]
专利名称:存储系统专利类型:发明专利发明人:徐建,黄耀生,成龙申请号:CN202110010483.3申请日:20210106公开号:CN112320339A公开日:20210205专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明涉及存储系统,包括有SEMI E84(Specification for Enhanced Carrier Handoff Parallel I/O Interface处理物料交
时间:2024-01-26 热度:12℃
自动络筒机挡车工操作指南
自动络筒机挡车工操作指南anit由于自动络筒机在我们纺织业内飞速发展,业内对这新鲜事物还没有一个完整的操作法,我再这里发上自己准备的操作指南一份,志在抛砖引玉,使我们大家一起讨论,提出优秀的建议,来完善本操作指南。一.开车准备阶段1.按机台的要求摆放空纸管,分清颜、品种,高度不得超过5个,以免触碰游动风机。2.按照生产要求分品种把细纱放到小车上,等待摆管。3.打开总电源,等待电脑完成初始化启动,
时间:2023-11-22 热度:27℃
浅析电子厂房二次配制程排气系统施工要点
浅析电子厂房二次配制程排气系统施工要点——**项目技术总结**公司**本项目是为**市**光电第6代LTPS(OXIDE)·LCD/AMOLED显示面板生产线项目提供符合相关要求的二次工艺制程排气系统,即从机台端至主系统Takeoff点之间Hookup排气配管施工。本专业(通风专业)所负责的是1号建筑一、二层的二次配排风系统,主要系统有:工艺一般排风系统(GEX)、酸废气排风系统(SEX)、碱废气
时间:2023-11-06 热度:20℃
注塑机参数及技术规格表
多血症注塑机参数及技术规格表 常用注塑机参数及技术规格表 顺德某模具公机台号 厂家 型号 吨位 机台出厂日 期 注射容量 cm3 (机台标 称) 791 791 749.3 1071.3 __ __ 2340 2799 3927 92 92 92 163 83.1 83.1 83.1 246.8 370.9 370.9 370.9 370.9 7
时间:2023-11-06 热度:23℃
注塑成型工艺流程及条件介绍中英文对照
成型工艺流程及条件介绍Molding technique procedure and parameter introduction第一^成型工艺Section 1 molding technique.1.成型工艺参数类型Sorts of molding parameter.(1). 注塑参数Injection parameter.a.莫里森公式注射量Injection rate.b.计量行程Scr
时间:2023-10-15 热度:22℃
2014设备工程师考核试题
外延设备考核试题姓名:成绩:一、填空题。1.MOCVD 的全称是:英文:中文:2.我们公司 MOCVD 中所用到的 MO Source 及该 MO Source 分别在 Wafer 哪 一层使用:3.VEECO 机台中所用到得 MFC 有哪几种: ,校准零点的方法分别是。4.MOCVD 中所用到得工艺气体有: ,说明其中一49日下载种由进入机台至进入 Scrubber 的流程。蒋廷探5.Veec&
时间:2023-10-05 热度:20℃
MOCVD设备资料 国产mocvd设备
邵峰晶MOCVD设备资料 国产mocvd设备 德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司几乎生产了全球90%以上的主流MOCVD设备。 1、生产效率和成本概况 国际上MOCVD技术已经相当成熟,主流设备从2003 年6-8 片机、2004 年12 片机、2005 年15片机、2006 年的21-24 片机,目前已经达到42、45、49 片机(
时间:2023-10-05 热度:20℃
MOCVD设备资料 国产mocvd设备
MOCVD设备资料 国产mocvd设备 德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司几乎生产了全球90%以上的主流MOCVD设备。 1、生产效率和成本概况 国际上MOCVD技术已经相当成熟,主流设备从2003 年6-8 片机、2004 年12 片机、2005 年15片机、2006 年的21-24 片机,目前已经达到42、45、49 片机(一次可
时间:2024-07-30 热度:0℃
MOCVD设备资料 国产mocvd设备
MOCVD设备资料 国产mocvd设备 德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司几乎生产了全球90%以上的主流MOCVD设备。 1、生产效率和成本概况 国际上MOCVD技术已经相当成熟,主流设备从2003 年6-8 片机、2004 年12 片机、2005 年15片机、2006 年的21-24 片机,目前已经达到42、45、49 片机(一次可
时间:2024-07-24 热度:0℃
UTM万能材料试验机软件中文说明书
软件操作说明书Chapter 1 序文本公司发展此套软件时,便以功能完整及使用简单两方向为出发点作研发,希望能以最少的操作程序完成所有的测试动作,因此我们运用大量数据库记录所有测试的条件,并包装成模块使得使用者在测试过程中不须输入大量的测试条件,此点将可达成三项优点 :降低测试者所须具备的测试知识,一但使用者设定完成测试资料后,往后的测试只须叫用,不必重新输入。增加测试
时间:2023-09-10 热度:17℃
INSTRON5566万能试验机操作规程
INSTRON 5566 万能试验机操作规程Instron 5566 拉力机操作规程 1、根据试验项目要求,选择适当的夹具和配套联接器,检查全部电缆线、接插的自身和连接有无异常, 2、检查实验室环境、温度、湿度等是否符合试验及试验机的要求。 3、接通220V交流电源,打开5566机架电源开关,观察自检过程是否正常(数码管自“8”至“2”连续变化,最终停在“2.”,且“.”以1赫频率连续闪烁)。机架
时间:2023-09-10 热度:28℃
中束流离子注入机
M/C离子注入机§1. 概述在半导体行业中,离子注入的机台主要分为高能量(H/E),大束流(H/C月亮的尾巴),中束流(M/C)三种。这里主要介绍的是中束流的离子注入机台。中束流机台(Medium Current)一般是单个晶片进行注入,注入的剂量一般在1E11到1E14之间,而能量则在5kev到200kev 之间。我们经常用到的4种离子为:1.B 12Kev  
时间:2023-09-09 热度:16℃
一种汽车进气管金属模重力铸造工艺[发明专利]
专利名称:一种汽车进气管金属模重力铸造工艺专利类型:发明专利发明人:张志平申请号:CN201210062122.4申请日:20120309公开号:CN103302243A公开日:20130918专利内容由知识产权出版社提供摘要:一种汽车进气管金属模重力铸造工艺,其工艺步骤,属于机械零件铸造方法技术领域;(1)模具预热至200-250度;(2)喷涂:模具清理干净后,将T11喷涂或刷涂在金属模上,(3
时间:2024-04-04 热度:5℃
水平往复式传动机构
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)申请公布号 CN201438987U(43)申请公布日 2010.04.21(21)申请号 CN200920167458.0(22)申请日 2009.07.24(71)申请人 欣麟科技股份有限公司 地址 台中市(72)发明人 叶东龙(74)专利代理机构 天津三元专利商标代理有限责任公司 &
时间:2024-03-31 热度:5℃
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